The utility model discloses an array binding area structure, which includes a substrate, a metal layer set on the substrate, an insulating layer set on the substrate, covered with the metal laminated edge, a pixel electrode layer set on the metal stack, set on the edge stack, and covered with the pixel electrode layer. A pixel definition layer on the edge, and a metal protection stack arranged on the pixel electrode layer. The structure of the array binding area of the utility model protects it by adding the pixel electrode layer on the metal stack, and sets the metal protective layer on the pixel electrode layer to protect the pixel electrode layer, enlarges the material selection range of the metal stacked layer, and does not need to increase the extra process while protecting the array binding area.
【技术实现步骤摘要】
阵列绑定区结构
本技术涉及有源发光显示
,尤其涉及一种阵列绑定区结构。
技术介绍
现有AMOLED(有源矩阵有机发光二极体)技术,较多采用Topemission(顶发光)结构。在Array制程中,bonding区(绑定区)一般为单层金属(M1或M2),或者双层金属(M1和M2)。在双层金属中,M2通过过孔与M1搭接。现有的具有双层金属的ArrayBonding区中,M2直接裸露在表面,而长时间暴露在空气中使得M2容易被氧化。因此,为了避免M2氧化,一般采用Ti/Al/Ti三层结构,只能使用干法蚀刻形成。并且,M2裸露在外的设置使得其选择的材料非常有限,一般只能采用钛(Ti)作为外层材料。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题在于,提供一种改进的阵列绑定区结构。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:提供一种阵列绑定区结构,包括基板、设置在所述基板上的金属叠层、设置在所述基板上并覆盖所述金属叠层边缘的绝缘叠层、设置在所述金属叠层上的像素电极层、设置在所述绝缘叠层上并覆盖所述像素电极层边缘的像素定义层、以及设置在所述像素电极层上的金属保护叠层。优选地,所述金属保护叠层包括设置在所述像素电极层上的第一金属保护层;所述第一金属保护层的边缘延伸至所述像素定义层上。优选地,所述第一金属保护层为多层结构,包括导电金属层以及设置在所述导电金属层相对两侧的金属导电保护层;所述第一金属保护层以一侧的所述金属导电保护层设置在所述像素电极层上。优选地,所述阵列绑定区结构还包括绝缘层;所述绝缘层设置在所述像素定义层上并覆盖所述第一金属保护层的边缘。优选地,所述金属保护叠层还包括设置在 ...
【技术保护点】
一种阵列绑定区结构,其特征在于,包括基板(10)、设置在所述基板(10)上的金属叠层(20)、设置在所述基板(10)上并覆盖所述金属叠层(20)边缘的绝缘叠层(30)、设置在所述金属叠层(20)上的像素电极层(40)、设置在所述绝缘叠层(30)上并覆盖所述像素电极层(40)边缘的像素定义层(50)、以及设置在所述像素电极层(40)上的金属保护叠层(60)。
【技术特征摘要】
1.一种阵列绑定区结构,其特征在于,包括基板(10)、设置在所述基板(10)上的金属叠层(20)、设置在所述基板(10)上并覆盖所述金属叠层(20)边缘的绝缘叠层(30)、设置在所述金属叠层(20)上的像素电极层(40)、设置在所述绝缘叠层(30)上并覆盖所述像素电极层(40)边缘的像素定义层(50)、以及设置在所述像素电极层(40)上的金属保护叠层(60)。2.根据权利要求1所述的阵列绑定区结构,其特征在于,所述金属保护叠层(60)包括设置在所述像素电极层(40)上的第一金属保护层(61);所述第一金属保护层(61)的边缘延伸至所述像素定义层(50)上。3.根据权利要求2所述的阵列绑定区结构,其特征在于,所述第一金属保护层(61)为多层结构,包括导电金属层以及设置在所述导电金属层相对两侧的金属导电保护层;所述第一金属保护层(61)以一侧的所述金属导电保护层设置在所述像素电极层(40)上。4.根据权利要求2所述的阵列绑定区结构,其特征在于,所述阵列绑定区结构还包括绝缘层(70);所述绝缘层(70)设置在所述像素定义层(50)上并覆盖所述第一金属保护层(61)的边缘。5.根据权利要求4所述的阵列绑定区结构,其特征在于,所述金属保护叠层(60)还包括设置在所述第一金属保护层(61)上的第二金属保护层(62);所述第二金属保护层(62)的边缘延伸至所述绝缘层(70)上,并与所述第一金属保护层(61)搭接...
【专利技术属性】
技术研发人员:尚琼,宋英伟,
申请(专利权)人:深圳市柔宇科技有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
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