The utility model discloses a crucible device for the growth of aluminum nitride single crystal, including a crucible body for placing aluminum nitride powder or aluminum nitride sintered body, a crucible cover placed on the top of the crucible body, a seed crystal set on the inner surface of the crucible cover, and a guide cover fixed on the seed crystal table on the upper end, and the diversion cover along the seeds. The direction of the crystal stage is gradually opened in radial direction. The utility model is a crucible device for the growth of aluminum nitride single crystal. By setting a guide cover which is gradually opened along the direction of the seed crystal table, the gas concentrates on the central part of the seed crystal platform, effectively restraining the formation of the polycrystal around the seed crystal, and solving the difficulty of the crucible cover and the crucible body because of the crystal bond. At the same time, by connecting the seed table to the inner surface of the crucible, the seedtable heat transfer through the cover of the crucible to reduce the central temperature of the seed crystal platform, and improve the temperature difference between the seed crystal table and the aluminum nitride powder source, and improve the rate of the long crystal.
【技术实现步骤摘要】
一种用于氮化铝单晶生长的坩埚装置
本技术涉及一种用于氮化铝单晶生长的坩埚装置。
技术介绍
第三代半导体材料氮化铝(AlN)禁带宽度为6.2eV,在紫外/深紫外发光波段具有独特优势,是紫外LED最佳衬底材料之一。同时,因其较高的击穿场强、较高的饱和电子漂移速率以及高的导热、抗辐射能力,AlN也可满足高温/高频/高功率电子器件的设计要求,在电子、印刷、生物、医疗、通讯、探测、环保等领域具有巨大的应用潜力。几乎难溶于任何液体,且熔点在2800℃以上,无法通过传统的溶液法、熔体法获得。利用AlN粉源材料在1800℃以上发生升华的特点,可以通过物理气相传输法获得AlN体材料。此方法以粉源表面与生长界面之间的温度梯度为驱动力,使氮蒸汽与铝蒸汽从高温区传输至低温区,在微过饱和状态下结晶得到AlN单晶。籽晶诱导是得到大尺寸AlN单晶的有效方法,用这种方法生长的晶体内应力小,缺陷密度低,但由于籽晶定向、籽晶粘结及温度场分布等问题,籽晶周围易形成多晶,影响最后单晶尺寸。同时,在坩埚盖上长晶过程中,坩埚盖边缘与坩埚本体内壁接触处易结晶,导致单晶生长结束后坩埚盖不易打开,容易破坏坩埚盖及坩埚本体。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种用于氮化铝单晶生长的坩埚装置,使气体集中往籽晶台中心部位传输,有效的抑制了籽晶周围多晶的形成,解决了坩埚盖与坩埚本体由于晶体粘结而难打开的问题;同时提高了长晶的温差,提高了长晶的速率。为达到上述目的,本技术采用的技术方案是:一种用于氮化铝单晶生长的坩埚装置,包括用于放置氮化铝粉源或氮化铝烧结体的坩埚本体、盖设于所述坩埚本体顶部的坩埚盖、固设于所述坩埚盖的内表 ...
【技术保护点】
一种用于氮化铝单晶生长的坩埚装置,其特征在于:包括用于放置氮化铝粉源或氮化铝烧结体的坩埚本体、盖设于所述坩埚本体顶部的坩埚盖、固设于所述坩埚盖的内表面的籽晶台、上端固定在所述籽晶台上的导流罩,所述导流罩沿远离所述籽晶台的方向向下逐渐径向张开。
【技术特征摘要】
1.一种用于氮化铝单晶生长的坩埚装置,其特征在于:包括用于放置氮化铝粉源或氮化铝烧结体的坩埚本体、盖设于所述坩埚本体顶部的坩埚盖、固设于所述坩埚盖的内表面的籽晶台、上端固定在所述籽晶台上的导流罩,所述导流罩沿远离所述籽晶台的方向向下逐渐径向张开。2.根据权利要求1所述的一种用于氮化铝单晶生长的坩埚装置,其特征在于:所述坩埚装置还包括设于所述坩埚本体中的用于隔开所述坩埚盖和所述氮化铝粉源或用于隔开所述坩埚盖和所述氮化铝烧结体的隔离件。3.根据权利要求2所述的一种用于氮化铝单晶生长的坩埚装置,其特征在于:所述隔离件上设有通孔,所述籽晶台包括用于穿过所述通孔并抵接在所述坩埚盖的内表面的第一台体、与所述第一台体一体成型的位于所述隔离件远离所述坩埚盖一侧的第二台体,所述导流罩固定安装在所述第二台体上。4.根据权利要求3所述的一种用于氮化铝单晶生长的坩埚装置,其特征在于:所述第二台体的直径大于所述通孔的直径,所述第二台体的上表面与所述隔离件的下表面之间间隙...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴亮,黄嘉丽,王智昊,贺广东,王琦琨,龚加玮,雷丹,
申请(专利权)人:苏州奥趋光电技术有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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