射频装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种射频装置，包含有一芯片，包括复数个穿孔以及至少一热穿孔；一讯号导线与一接地导线，设置于所述芯片的背面；一讯号金属片、一第一接地金属片与一第二接地金属片，设置于所述芯片的正面，其中，所述讯号金属片跨越形成于所述讯号导线与所述接地导线之间的一第二间隙，所述第一接地金属片以及所述第二接地金属片通过复数个穿孔耦接于所述接地导线，且所述第一接地金属片以及所述第二接地金属片至少部分包围该讯号金属片。

【技术实现步骤摘要】
射频装置
本专利技术涉及一种射频(RadioFrequency，RF)装置，尤其涉及一种易于组装且可达到良好的高频表现的射频装置。
技术介绍
随着科技演进，无线通讯科技已成为人类日常生活中重要的一部份，各式的电子通讯装置(如智能型手机、穿戴式装置、平板计算机等)皆利用无线射频(RF)前端模块(FEM)，以进行无线射频讯号的接收与发送。近年来发展的射频装置包含有设置于射频装置的一芯片背面的一接地导线与一讯号导线，其中形成于接地导线与讯号导线间的一间隙需具有足够的宽度，才能预防组装时的短路问题，且降低射频装置与一外部电路组装时的难度。然而，该讯号导线间与该接地导线之间的间隙宽度往往牺牲了高频效能(及射频效能)，换句话说，当讯号导线与接地导线之间的间隙增宽度增加时，该射频效能越差。因此，如何提供易于组装的射频装置，同时又可以达到良好的射频效能，就成了业界所努力的目标之一。
技术实现思路
本专利技术主要目的之一在于提供一种易于组装且可达到良好的高频表现的射频装置，以改善现有技术的缺点。为了达到上述目的，本专利技术采用以下技术方案：本专利技术的一种实施例公开了一种射频(RadioFrequency，RF)装置，包含有一芯片、一讯号导线、一接地导线、一讯号金属片、一第一接地金属片和一第二接地金属片，其中，所述芯片包括复数个穿孔(Via)以及至少一热穿孔(HotVia)；所述讯号导线设置于所述芯片的背面；所述接地导线设置于所述芯片的背面，至少部分包围所述讯号导线，其中所述讯号导线沿一第一方向与所述接地导线之间形成一第一间隙，并沿一第二方向与所述接地导线之间形成一第二间隙；所述讯号金属片设置于所述芯片的正面，且通过所述至少一热穿孔耦接于所述讯号导线，其中所述讯号金属片跨越(CrossOver)所述讯号导线与所述接地导线之间的所述第二间隙；所述第一接地金属片和所述第二接地金属片设置于所述芯片的正面上；所述第一接地金属片以及所述第二接地金属片通过所述复数个穿孔耦接于所述接地导线，且所述第一接地金属片以及所述第二接地金属片至少部分包围所述讯号金属片。附图说明图1是本专利技术优选实施例的射频装置的背面示意图；图2是图1中的射频装置的正面示意图；图3是图1中的射频装置的正面透视示意图；图4是图1中的射频装置的背面透视示意图；图5是图3中A-A’线的剖面示意图；图6是图1中的射频装置的传输系数与反射系数频率响应示意图；图7是图2中B-B’线的剖面示意图；图8是图2中C-C’线的剖面示意图；图9A是应用本专利技术优选实施例的射频装置的单晶微波集成电路的正面示意图；图9B是图9A中的单晶微波集成电路的背面示意图。附图标记说明：10射频装置90单晶微波集成电路100芯片102讯号导线104接地导线106、108、110接地金属片1060、1062、1062’金属区块92、94、96转接结构D1、D2方向G1、G2、G3间隙L1、L2、L3边缘VA穿孔HVA热穿孔SP讯号路径A-A’、B-B’、C-C’线具体实施方式下面对照附图并结合优选的实施方式对本专利技术作进一步说明。请参考图1至图5，图1及图2分别为本专利技术优选实施例的射频(RF)装置10的背面及正面示意图，图3及图4为射频装置10的正面及背面透视图，图5为射频装置10沿图3中A-A’线的剖面示图。为方便绘示，图1至图5中标记有射频装置10的一第一边缘L1、一第二边缘L2以及一第三边缘L3。射频装置10可应用于一单晶微波集成电路(MonolithicMicrowaveIntegratedCircuit，MMIC)，其包含有一芯片100、一讯号导线102、一接地导线104、一讯号金属片106、一接地金属片108以及一接地金属片110，图1中的点线代表讯号金属片106、接地金属片108以及接地金属片110(投影至射频装置10背面)的投影结果的边界，图2与图3中的虚线(邻近第三边缘L3)代表讯号导线102及接地导线104(投影至射频装置10正面)的投影结果的边界，图4中的点线代表将讯号金属片106、接地金属片108以及接地金属片110在射频装置10正面上的边界。芯片100包含有复数个穿孔VA与一热穿孔HVA，其中穿孔VA及热穿孔HVA可为一硅通孔(Through-SiliconVia，TSV)，需注意的是，讯号导线102、讯号金属片106、接地金属片108、接地金属片110、接地导线104、热穿孔HVA以及穿孔VA共同形成一转接结构(TransitionStructure)。具体而言，将讯号导线102与接地导线104设置于芯片100的背面，其中讯号导线102是用于与一外部电路进行一射频讯号的接收或传送，接地导线104是用来提供芯片100的接地，接地导线104包围讯号导线102，使得在芯片100的背面上的讯号导线102与接地导线104可形成一接地─讯号─接地(Ground-Signal-Ground，GSG)结构，需注意的是，讯号导线102与接地导线104之间形成一间隙G1及一间隙G2，详细来说，间隙G1为平行于一第一方向D1(如图1中所示)中讯号导线102与接地导线104间的间隙，间隙G2为平行于一第二方向D2(如图1中所示)中讯号导线102与接地导线104之间的间隙，其中第一方向D1平行于射频装置10的第三边缘L3，且第二方向D2平行于第一边缘L1或第二边缘L2，而为便于组装，间隙G1与间隙G2需够大或够宽，例如大于或宽于50微米(μm)，以避免其短路问题。在一实施例中，间隙G1与间隙G2可为300微米(μm)。更进一步地，讯号金属片106、接地金属片108与接地金属片110设置在芯片100的正面上，而讯号金属片106跨越(CrossOver)于射频装置10背面的间隙G2，并与讯号导线102经热穿孔HVA相连接，以传递该射频讯号，而接地金属片108与接地金属片110经穿孔VA与接地导线104相连接，用来维持射频装置10的接地稳定性。需注意的是，在射频装置10正面的讯号金属片106跨越间隙G2(其中间隙G2为平行于第二方向D2且形成于讯号导线102与接地导线104间)，详细来说，讯号金属片106可分割为金属区块1060与金属区块1062(如图2所示)，矩形金属区块1060为一矩形(或正方形)且沿着第三边缘L3设置，而矩形金属区块1062跨越射频装置10背面的间隙G2并与金属区块1060相连接。金属区块1060在射频装置10背面的投影结果与讯号导线102重合，金属区块1062’在射频装置10背面的投影结果跨越或横跨间隙G2及接地导线104，换句话说，讯号金属片106因设置于射频装置10的正面，且跨越形成于射频装置10的背面的间隙G2，因此，在讯号导线102接收该射频讯号后，该射频讯号将经热穿孔HVA传递至射频装置10的正面(即金属区块1060)，再经金属区块1062将该射频讯号传递至射频装置10的一内部电路。除此之外，接地金属片108及接地金属片110是沿着讯号金属片106的边缘设置(即沿着金属区块1060及金属区块1062的边缘设置)，其可形成一共平面波导(CoplanarWaveguide、CPW)结构而加强一射频效能，该射频讯号可经由金属区块1062(或该CPW结构)传递至射频装置10的正面上的一特定本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频装置，其特征在于，包含有：一芯片，包括复数个穿孔以及至少一热穿孔；一讯号导线，设置于所述芯片的背面；一接地导线，设置于所述芯片的背面，至少部分包围所述讯号导线，其中所述讯号导线沿一第一方向与所述接地导线之间形成一第一间隙，并沿一第二方向与所述接地导线之间形成一第二间隙；一讯号金属片，设置于所述芯片的正面，且通过所述至少一热穿孔耦接于所述讯号导线，其中所述讯号金属片跨越所述讯号导线与所述接地导线之间的所述第二间隙；一第一接地金属片，设置于所述芯片的正面上；以及一第二接地金属片，设置于所述芯片的正面上；其中，所述第一接地金属片以及所述第二接地金属片通过所述复数个穿孔耦接于所述接地导线，且所述第一接地金属片以及所述第二接地金属片至少部分包围所述讯号金属片。

【技术特征摘要】
2016.10.13 US 15/292,1271.一种射频装置，其特征在于，包含有：一芯片，包括复数个穿孔以及至少一热穿孔；一讯号导线，设置于所述芯片的背面；一接地导线，设置于所述芯片的背面，至少部分包围所述讯号导线，其中所述讯号导线沿一第一方向与所述接地导线之间形成一第一间隙，并沿一第二方向与所述接地导线之间形成一第二间隙；一讯号金属片，设置于所述芯片的正面，且通过所述至少一热穿孔耦接于所述讯号导线，其中所述讯号金属片跨越所述讯号导线与所述接地导线之间的所述第二间隙；一第一接地金属片，设置于所述芯片的正面上；以及一第二接地金属片，设置于所述芯片的正面上；其中，所述第一接地金属片以及所述第二接地金属片通过所述复数个穿孔耦接于所述接地导线，且所述第一接地金属片以及所述第二接地金属片至少部分包围所述讯号金属片。2.根据权利要求1所述的射频装置，其特征在于，所述第一间隙与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：黃智文，邱瑞杰，
申请(专利权)人：稳懋半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71