体声波谐振器及其制造方法技术

技术编号:17783670 阅读:14 留言:0更新日期:2018-04-22 14:43
本发明专利技术提供一种体声波谐振器及其制造方法,所述体声波谐振器包括:膜层,设置在基板上并且形成腔;下电极,设置在所述膜层上;压电层,设置在所述下电极上;上电极,设置在所述压电层上,并且包括框架部,所述框架部设置在有效区域的边缘处并且具有比所述上电极的设置在所述有效区域的中央部分中的部分的厚度大的厚度;及频率调节层,设置在所述压电层和所述上电极上。所述频率调节层从所述框架部的倾斜表面被去除,或所述频率调节层的在所述倾斜表面上的部分的厚度小于所述频率调节层的其他部分的厚度。所述频率调节层设置在所述压电层的从所述上电极突出的部分上。

【技术实现步骤摘要】
体声波谐振器及其制造方法本申请要求分别于2016年10月12日和于2017年4月3日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0132113号和第10-2017-0043230号韩国专利申请的权益,所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
本公开涉及一种体声波谐振器及其制造方法。
技术介绍
体声波(BAW)滤波器是例如智能电话或平板电脑的前端模块中允许射频(RF)信号中的期望频带内的信号通过并且阻截RF信号中的不需要的频带内的信号的核心元件。随着移动装置的市场增长,对BAW滤波器的需求已经增加。BAW滤波器包括体声波谐振器。在作为体声波谐振器的品质因数的Q性能良好的情况下,实现从体声波谐振器仅选择期望的频带的边缘特性良好,并且插入损耗和衰减性能得以改善。此外,为了改善体声波谐振器的Q性能,应通过在谐振器周围形成框架并且将在谐振时产生的横向波反射到谐振器中而将谐振能量限制在有效区域中。为此,通常使用与上电极相同的材料将框架形成为比有效区域厚,然后将绝缘层沉积在上电极和框架上,以在去除操作之后执行谐振器的频率修整。然而,由于如上所述沉积的绝缘层沉积在包括谐振器的有效区域以及框架的整个谐振器上,因此形成在框架的外表面上的绝缘层可能会导致谐振时横向波的反射损耗,从而导致谐振能量的泄漏。结果,Q性能劣化。
技术实现思路
提供本
技术实现思路
以按照简化形式介绍选择的构思,以下在具体实施方式中进一步描述所述构思。本
技术实现思路
并不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要技术特征,也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。在一个总体方面,一种体声波滤波器装置包括:膜层,设置在基板上并且与所述基板一起形成腔;下电极,设置在所述膜层上并且位于所述腔上方;压电层,设置在所述下电极上;上电极,设置在所述压电层上,并且包括框架部,所述框架部设置在有效区域的边缘处并且具有比所述上电极的设置在所述有效区域的中央部分中的部分的厚度大的厚度;及频率调节层,设置在所述压电层和所述上电极上。所述频率调节层从所述框架部的倾斜表面被去除,或所述频率调节层的设置在所述倾斜表面上的部分的厚度小于所述频率调节层的其他部分的厚度。所述频率调节层设置在所述压电层的从所述上电极突出的部分上。所述压电层的从所述上电极突出的所述部分可以为平坦表面。所述频率调节层可设置在所述平坦表面上。在所述频率调节层堆叠在所述体声波谐振器中之后,通过修整操作,由于修整率不同,可使得所述频率调节层从所述倾斜表面被去除,或者可使得所述频率调节层的在所述倾斜表面上的所述部分的厚度形成为小于所述频率调节层的所述其他部分的厚度。台阶部可设置在所述频率调节层的设置于所述框架部上的部分上。所述体声波谐振器还可包括设置在所述上电极的部分和所述下电极的部分上的金属焊盘,其中,所述上电极的所述部分和所述下电极的所述部分上没有形成所述频率调节层。在另一方面,一种体声波谐振器包括:基板;膜层,设置在所述基板上,并且与所述基板一起形成腔;下电极,设置在所述膜层上,并且位于所述腔上方;压电层,设置在所述下电极上;上电极,设置在所述压电层上,并且包括框架部,所述框架部设置在有效区域的边缘处并且具有比所述上电极的设置在所述有效区域的中央部分中的部分的厚度大的厚度;及频率调节层,设置在所述压电层和所述上电极上。所述频率调节层从所述框架部的倾斜表面被去除,或所述频率调节层的在所述倾斜表面上的部分的厚度小于所述频率调节层的其他部分的厚度。台阶部设置在所述频率调节层的设置于所述框架部上的部分上。所述体声波谐振器还可包括设置在所述上电极的部分和所述下电极的部分上的金属焊盘,其中,所述上电极的所述部分和所述下电极的所述部分上没有形成所述频率调节层。所述频率调节层可设置在所述压电层的从所述上电极突出的部分上。所述压电层可包括位于所述压电层的从所述上电极突出的所述部分中的平坦表面。所述频率调节层可设置在所述压电层的所述平坦表面上。在所述频率调节层堆叠在所述体声波谐振器中之后,通过修整操作,由于修整率不同,可将所述频率调节层从所述倾斜表面去除,或可使得所述频率调节层的在所述倾斜表面上的所述部分的厚度形成为小于所述频率调节层的所述其他部分的厚度。在另一总的方面,一种用于制造体声波谐振器的方法包括:在基板上形成牺牲层;形成膜层以覆盖所述牺牲层;形成下电极,以使所述下电极设置在所述牺牲层上;在所述下电极和所述膜层上形成压电层,以使所述下电极的部分向外暴露,并且使所述压电层的部分设置在所述牺牲层上;在所述压电层上形成上电极;形成频率调节层,以使所述下电极的所述部分和所述上电极的部分向外暴露;在所述下电极的向外暴露的部分和所述上电极的向外暴露的部分上形成金属焊盘;及从所述上电极的框架部的倾斜表面去除所述频率调节层,或使所述频率调节层的部分形成为具有比所述频率调节层的其他部分的厚度小的厚度。可通过修整操作来执行从所述框架部的所述倾斜表面去除所述频率调节层,或者使所述频率调节层的所述部分形成为具有比所述频率调节层的所述其他部分的厚度小的厚度。可通过所述频率调节层的设置在所述上电极的水平表面上的水平部分和所述频率调节层的设置在所述倾斜表面上的倾斜部分之间的修整率不同进一步执行去除所述频率调节层以及使所述频率调节层的所述部分形成为具有比所述频率调节层的所述其他部分的厚度小的厚度。所述方法还可包括:通过去除所述牺牲层形成腔。所述方法还可包括:在从所述框架部的所述倾斜表面去除所述频率调节层或者使所述频率调节层的所述部分形成为具有比所述频率调节层的所述其他部分的厚度小的厚度之前,在所述频率调节层的设置在所述框架部的顶表面上的部分中形成台阶部。形成所述频率调节层的步骤可包括在所述下电极、所述上电极的中央部分和所述框架部上形成所述频率调节层。可将所述框架部设置在所述体声波谐振器的有效区域的边缘处,并且可使所述框架部具有比所述上电极的所述中央部分的厚度大的厚度。形成所述频率调节层的步骤还可包括在所述压电层的从所述上电极突出的部分上形成所述频率调节层。通过下面的具体实施方式、附图以及权利要求,其他特征和方面将显而易见。附图说明图1是示出根据实施例的体声波谐振器的示意性截面图。图2是示出根据另一实施例的体声波谐振器的示意性截面图。图3是示出根据另一实施例的体声波谐振器的示意性截面图。图4至图7是示出根据实施例的用于制造体声波谐振器的方法的工艺图。在整个附图和具体实施方式中,相同的标号指示相同的元件。附图可不按照比例绘制,为了清楚、说明以及方便起见,可夸大附图中元件的相对尺寸、比例和描绘。具体实施方式提供以下具体实施方式,以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而,在理解了本申请的公开内容之后,在此所描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改及等同物将是显而易见的。例如,在此描述的操作的顺序仅仅是示例,且不限于在此所阐述的示例,而是除了必须按照特定顺序发生的操作外,可做出在理解了本申请的公开内容之后将是显而易见的改变。此外,为了增加清楚性和简洁性,可省略本领域中公知的特征的描述。在此描述的特征可按照不同的形式实施,并且将不被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说,已经提供在此描述的示例,仅为了示出在理解了本申请的公开本文档来自技高网...
体声波谐振器及其制造方法

【技术保护点】
一种体声波谐振器,包括:膜层,设置在基板上并且与所述基板一起形成腔;下电极,设置在所述膜层上并且位于所述腔上方;压电层,设置在所述下电极上;上电极,设置在所述压电层上,并且包括框架部,所述框架部设置在有效区域的边缘处并且具有比所述上电极的设置在所述有效区域的中央部分中的部分的厚度大的厚度;及频率调节层,设置在所述压电层和所述上电极上,其中,所述频率调节层从所述框架部的倾斜表面被去除,或所述频率调节层的在所述倾斜表面上的部分的厚度小于所述频率调节层的其他部分的厚度,其中,所述频率调节层设置在所述压电层的从所述上电极突出的部分上。

【技术特征摘要】
2016.10.12 KR 10-2016-0132113;2017.04.03 KR 10-2011.一种体声波谐振器,包括:膜层,设置在基板上并且与所述基板一起形成腔;下电极,设置在所述膜层上并且位于所述腔上方;压电层,设置在所述下电极上;上电极,设置在所述压电层上,并且包括框架部,所述框架部设置在有效区域的边缘处并且具有比所述上电极的设置在所述有效区域的中央部分中的部分的厚度大的厚度;及频率调节层,设置在所述压电层和所述上电极上,其中,所述频率调节层从所述框架部的倾斜表面被去除,或所述频率调节层的在所述倾斜表面上的部分的厚度小于所述频率调节层的其他部分的厚度,其中,所述频率调节层设置在所述压电层的从所述上电极突出的部分上。2.如权利要求1所述的体声波谐振器,其中,所述压电层的从所述上电极突出的所述部分包括平坦表面。3.如权利要求2所述的体声波谐振器,其中,所述频率调节层设置在所述平坦表面上。4.如权利要求1所述的体声波谐振器,其中,在所述频率调节层堆叠在所述体声波谐振器中之后,通过修整操作,由于修整率不同,使所述频率调节层从所述倾斜表面被去除,或者使得所述频率调节层的在所述倾斜表面上的所述部分的厚度形成为小于所述频率调节层的所述其他部分的厚度。5.如权利要求1所述的体声波谐振器,其中,台阶部设置在所述频率调节层的设置于所述框架部上的部分上。6.如权利要求1所述的体声波谐振器,所述体声波谐振器还包括设置在所述上电极的部分和所述下电极的部分上的金属焊盘,其中,所述上电极的所述部分和所述下电极的所述部分上没有形成所述频率调节层。7.一种体声波谐振器,包括:基板;膜层,设置在所述基板上,并且与所述基板一起形成腔;下电极,设置在所述膜层上,并且位于所述腔上方;压电层,设置在所述下电极上;上电极,设置在所述压电层上,并且包括框架部,所述框架部设置在有效区域的边缘处并且具有比所述上电极的设置在所述有效区域的中央部分中的部分的厚度大的厚度;及频率调节层,设置在所述压电层和所述上电极上,其中,所述频率调节层从所述框架部的倾斜表面被去除,或所述频率调节层的在所述倾斜表面上的部分的厚度小于所述频率调节层的其他部分的厚度,其中,台阶部设置在所述频率调节层的设置于所述框架部上的部分上。8.如权利要求7所述的体声波谐振器,所述体声波谐振器还包括设置在所述上电极的部分和所述下电极的部分上的金属焊盘,其中,所述上电极的所述部分和所述下电极的所述部分上没有形成所述频率调节层。9.如权利要求8所述的体声波...

【专利技术属性】
技术研发人员:林昶贤韩源李文喆李泰京
申请(专利权)人:三星电机株式会社
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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