【技术实现步骤摘要】
微波大功率合成器
本专利技术涉及一种输出功率达1000W的微波大功率合成器,属于微波功率合成领域。
技术介绍
近年来,高功率微波的应用多种多样:卫星和空间平台供能、深空探测器测控通信、轨道飞行器高度改变推进系统等,无论哪一种应用都需要极大的功率支持。随着半导体材料和工艺的不断发展,微波器件的输出功率量级越来越大,L波段晶体管的脉冲功率已达千瓦量级,X波段砷化钾场效应管连续波达到几十瓦,脉冲功率达到500W。虽然大功率器件的工作频率以及所能达到的功率越来越高,但限于器件的物理特性以及工艺水平,单个功放的输出功率仍是有限的,此时大多数情况下我们采取将多个功放的功率输入到功率合成器进行功率合成达到我们需要的高功率。常规Wilkinson结构合成器适用于小功率合成,一般用在单个功放的电路中实现功率合成,其输出功率在十位数量级;近年发现有论文描述了采用同轴探针阵耦合结构的功率合成器,由于其采用空气耦合形式,功率承受能力也非常受限,匹配不好时会出现严重的发热从而降低其可靠性,并且体积大;经典波导结构合成器虽然能够承受高功率,但是该结构在低频段体积非常大,不便于安装和使用,它更适用于较高频率的高功率合成。通常,大功率合成器设计应注意以下几点:1、大功率合成器具有低损耗,以提高合成效率;2、大功率合成器不改变输入功放的可靠性、稳定性和信号特性;3、大功率合成器的输入输出端具有低的电压驻波比。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术存在的不足之处,提供一种具备在低频段工作下,体积小并且能够输入输出大功率的功率合成器。本专利技术上述目的可以通过以下介绍方案予以实现,一种微波 ...
【技术保护点】
一种微波大功率合成器,包括:正方形空心金属的外导体(1),其特征在于:在所述正方形空心金属的外导体(1)的中央,设有一个正圆形空心金属的内导体(2),内导体(2)为四分之一波长,且外导体(1)的内边长与内导体(2)的外径之比为1.74±0.1,外导体(1)与内导体(2)长度之比≥2.11,内导体(2)的底端中央与输出连接器(4)的探针相连,输出连接器(4)的法兰盘利用焊接工艺将正方形空心金属外导体的底端封闭,且输出连接(4)探针长度与内导体(2)长度之比为0.30‑0.32,输出连接器(4)的探针直径与内导体(2)外径之比为0.40‑0.42;内导体(2)第二端的外表面利用焊接工艺与输入连接器(3)的探针相连,输入连接器(3)的探针和输出连接器(4)的探针将电场信号直接耦合,能量在由外导体(1)和内导体(2)构成的谐振腔体结构中以准TEM模的形式进行传输。
【技术特征摘要】
1.一种微波大功率合成器,包括:正方形空心金属的外导体(1),其特征在于:在所述正方形空心金属的外导体(1)的中央,设有一个正圆形空心金属的内导体(2),内导体(2)为四分之一波长,且外导体(1)的内边长与内导体(2)的外径之比为1.74±0.1,外导体(1)与内导体(2)长度之比≥2.11,内导体(2)的底端中央与输出连接器(4)的探针相连,输出连接器(4)的法兰盘利用焊接工艺将正方形空心金属外导体的底端封闭,且输出连接(4)探针长度与内导体(2)长度之比为0.30-0.32,输出连接器(4)的探针直径与内导体(2)外径之比为0.40-0.42;内导体(2)第二端的外表面利用焊接工艺与输入连接器(3)的探针相连,输入连接器(3)的探针和输出连接器(4)的探针将电场信号直接耦合,能量在由外导体(1)和内导体(2)构成的谐振腔体结构中以准TEM模的形式进行传输。2.如权利要求1所述的微波大功率合成器,其特征在于:输入连接器(3)的法兰盘安装于正圆形空心金属构成的外导体(1)外表面。3.如权利要求1所述的微波大功率合成器,其特征在于:外导体(1)的外表面有四个面,任意两个面安装输入连接器(3),称为2路大功...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨玲玲,程诗叙,谭开洪,赵亚妮,
申请(专利权)人:西南电子技术研究所中国电子科技集团公司第十研究所,
类型:发明
国别省市:四川,51
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