一种具有高反射区和高导电区电极的发光二极管芯片制造技术

本发明专利技术提供了一种具有高反射区和高导电区电极的发光二极管芯片，反射电极层的接触层由第一接触层和覆盖第一接触层的第二接触层组成，第一接触层包括多个实体区和相邻实体区之间的截断区，使得反射电极层对应实体区的区域的导电性高于对应截断区的区域的导电性为高导电区，且反射电极层对应截断区的区域的反射率高于对应实体区的区域的反射率的为高反射区，进而在保证反射电极层兼顾光提取和电流扩散的能力的同时，进一步提高光提取和电流扩散的能力。

【技术实现步骤摘要】
一种具有高反射区和高导电区电极的发光二极管芯片
本专利技术涉及发光二极管芯片
，更为具体的说，涉及一种具有高反射区和高导电区电极的发光二极管芯片。
技术介绍
发光二极管由于其具有发光效率高、颜色范围广、耗电量少、寿命长、单色发光、反应速度快、耐冲击、体积小等优点，而被广泛的应用于显示装置、汽车内部指示灯、家电指示灯、交通信号灯、家用照明等领域内，如何满足提高发光二极管的性能，成为本领域技术人员主要研究方向之一。现有的发光二极管芯片在发光外延片上沉积透明导电层后，需要再沉积一电极层，现有电极层已经发展为兼顾光提取和电流扩散的能力，通常被称之为反射电极层，反射电极层由接触层、反射层、阻挡层和焊接层组成。反射电极层的反射率高低主要由其接触层来决定，同时，接触层也影响电流扩散的性能，故而，对接触层的设计成为本领域技术人员主要研究方向之一。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种具有高反射区和高导电区电极的发光二极管芯片，反射电极层的接触层由第一接触层和覆盖第一接触层的第二接触层组成，第一接触层包括多个实体区和相邻实体区之间的截断区，使得反射电极层对应实体区的区域的导电性高于对应截断区的区域的导电性为高导电区，且反射电极层对应截断区的区域的反射率高于对应实体区的区域的反射率的为高反射区，进而在保证反射电极层兼顾光提取和电流扩散的能力的同时，进一步提高光提取和电流扩散的能力。为实现上述目的，本专利技术提供的技术方案如下：一种具有高反射区和高导电区电极的发光二极管芯片，包括：衬底；位于所述衬底一侧表面的发光叠层结构，所述发光叠层结构包括发光外延层和位于所述发光外延层背离所述衬底一侧的透明导电层，所述发光二极管芯片还包括：位于所述发光叠层结构背离所述衬底一侧的反射电极层；其中，所述反射电极层包括位于所述发光叠层结构背离所述衬底一侧的第一接触层，位于所述第一接触层背离所述衬底一侧、且覆盖所述第一接触层的第二接触层，位于所述第二接触层背离所述衬底一侧的反射层，位于所述反射层背离所述衬底一侧的阻挡层，及位于所述反射层背离所述衬底一侧的焊接层，所述第一接触层包括多个实体区和相邻所述实体区之间的截断区，以使所述反射电极层对应所述实体区的区域的导电性高于对应所述截断区的区域的导电性为高导电区，且所述反射电极层对应所述截断区的区域的反射率高于对应所述实体区的区域的反射率的为高反射区。可选的，所述发光外延层背离所述衬底一侧具有P型表面区和N型表面区，所述透明导电层位于所述发光外延层背离所述衬底一侧、且覆盖所述P型表面区；及，所述反射电极层包括位于所述透明导电层背离所述衬底一侧、且设置于所述P型表面区的P型电极，和位于所述发光外延层背离所述衬底一侧、且设置于所述N型表面区的N型电极。可选的，所述P型电极包括固定部及朝向所述N型电极延伸的至少一个延伸部。可选的，所述截断区位于所述延伸部对应区域。可选的，所述第一接触层对应所述固定部处包括：第一镂空区和环绕所述第一镂空区的第一环形实体区，其中，所述P型电极对应所述第一环形实体区的区域的导电性高于对应所述第一镂空区的区域的导电性为所述高导电区，且所述P型电极对应所述第一镂空区的区域的反射率高于对应所述第一环形实体区的区域的反射率的为所述高反射区。可选的，所述第一接触层对应所述N型电极处包括：第二镂空区和环绕所述第二镂空区的第二环形实体区，其中，所述N型电极对应所述第二环形实体区的区域的导电性高于对应所述第二镂空区的区域的导电性为所述高导电区，且所述N型电极对应所述第二镂空区的区域的反射率高于对应所述第二环形实体区的区域的反射率的为所述高反射区。可选的，所述第一接触层的厚度大于所述第二接触层的厚度。可选的，所述第二接触层的宽度不小于所述第一接触层的宽度。可选的，所述第一接触层和所述第二接触层的材质为铬、钛、镍中任意一种。可选的，所述实体区的长度不大于截断区的长度相较于现有技术，本专利技术提供的技术方案至少具有以下优点：本专利技术提供了一种具有高反射区和高导电区电极的发光二极管芯片，包括：衬底；位于所述衬底一侧表面的发光叠层结构，所述发光叠层结构包括发光外延层和位于所述发光外延层背离所述衬底一侧的透明导电层，所述发光二极管芯片还包括：位于所述发光叠层结构背离所述衬底一侧的反射电极层；其中，所述反射电极层包括位于所述发光叠层结构背离所述衬底一侧的第一接触层，位于所述第一接触层背离所述衬底一侧、且覆盖所述第一接触层的第二接触层，位于所述第二接触层背离所述衬底一侧的反射层，位于所述反射层背离所述衬底一侧的阻挡层，及位于所述反射层背离所述衬底一侧的焊接层，所述第一接触层包括多个实体区和相邻所述实体区之间的截断区，以使所述反射电极层对应所述实体区的区域的导电性高于对应所述截断区的区域的导电性为高导电区，且所述反射电极层对应所述截断区的区域的反射率高于对应所述实体区的区域的反射率的为高反射区。由上述内容可知，本专利技术提供的技术方案，反射电极层的接触层由第一接触层和覆盖第一接触层的第二接触层组成，第一接触层包括多个实体区和相邻实体区之间的截断区，使得反射电极层对应实体区的区域的导电性高于对应截断区的区域的导电性为高导电区，且反射电极层对应截断区的区域的反射率高于对应实体区的区域的反射率的为高反射区，进而在保证反射电极层兼顾光提取和电流扩散的能力的同时，进一步提高光提取和电流扩散的能力。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的一种具有高反射区和高导电区电极的发光二极管芯片的结构示意图；图2为本申请实施例提供的另一种具有高反射区和高导电区电极的发光二极管芯片的结构示意图；图3为本申请实施例提供的又一种具有高反射区和高导电区电极的发光二极管芯片的结构示意图；图4a为本申请实施例提供的又一种具有高反射区和高导电区电极的发光二极管芯片的结构示意图；图4b为图4a中沿AA’方向的切面图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。正如
技术介绍
所述，现有的发光二极管芯片在发光外延片上沉积透明导电层后，需要再沉积一电极层，现有电极层已经发展为兼顾光提取和电流扩散的能力，通常被称之为反射电极层，反射电极层由接触层、反射层、阻挡层和焊接层组成。反射电极层的反射率高低主要由其接触层来决定，同时，接触层也影响电流扩散的性能，故而，对接触层的设计成为本领域技术人员主要研究方向之一。基于此，本申请实施例提供了一种具有高反射区和高导电区电极的发光二极管芯片，反射电极层的接触层由第一接触层和覆盖第一接触层的第二接触层组成，第一接触层包括多个实体区和相邻实体区之间的截断区，使得反射电极层对应实体区的区域的导电性高于对应截断区的区域的导电性为高导电区，且反射电极层对应截断区的区域本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有高反射区和高导电区电极的发光二极管芯片，包括：衬底；位于所述衬底一侧表面的发光叠层结构，所述发光叠层结构包括发光外延层和位于所述发光外延层背离所述衬底一侧的透明导电层，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括：位于所述发光叠层结构背离所述衬底一侧的反射电极层；其中，所述反射电极层包括位于所述发光叠层结构背离所述衬底一侧的第一接触层，位于所述第一接触层背离所述衬底一侧、且覆盖所述第一接触层的第二接触层，位于所述第二接触层背离所述衬底一侧的反射层，位于所述反射层背离所述衬底一侧的阻挡层，及位于所述反射层背离所述衬底一侧的焊接层，所述第一接触层包括多个实体区和相邻所述实体区之间的截断区，以使所述反射电极层对应所述实体区的区域的导电性高于对应所述截断区的区域的导电性为高导电区，且所述反射电极层对应所述截断区的区域的反射率高于对应所述实体区的区域的反射率的为高反射区。

【技术特征摘要】
1.一种具有高反射区和高导电区电极的发光二极管芯片，包括：衬底；位于所述衬底一侧表面的发光叠层结构，所述发光叠层结构包括发光外延层和位于所述发光外延层背离所述衬底一侧的透明导电层，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括：位于所述发光叠层结构背离所述衬底一侧的反射电极层；其中，所述反射电极层包括位于所述发光叠层结构背离所述衬底一侧的第一接触层，位于所述第一接触层背离所述衬底一侧、且覆盖所述第一接触层的第二接触层，位于所述第二接触层背离所述衬底一侧的反射层，位于所述反射层背离所述衬底一侧的阻挡层，及位于所述反射层背离所述衬底一侧的焊接层，所述第一接触层包括多个实体区和相邻所述实体区之间的截断区，以使所述反射电极层对应所述实体区的区域的导电性高于对应所述截断区的区域的导电性为高导电区，且所述反射电极层对应所述截断区的区域的反射率高于对应所述实体区的区域的反射率的为高反射区。2.根据权利要求1所述的具有高反射区和高导电区电极的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光外延层背离所述衬底一侧具有P型表面区和N型表面区，所述透明导电层位于所述发光外延层背离所述衬底一侧、且覆盖所述P型表面区；及，所述反射电极层包括位于所述透明导电层背离所述衬底一侧、且设置于所述P型表面区的P型电极，和位于所述发光外延层背离所述衬底一侧、且设置于所述N型表面区的N型电极。3.根据权利要求2所述的具有高反射区和高导电区电极的发光二极管芯片，其特征在于，所述P型电极包括固定部及朝向所述N型电极延伸的至少一个延伸部。4.根据权利要求3所述的具有高反射区和高导...

【专利技术属性】
技术研发人员：翁启伟，宋彬，吕奇孟，汪洋，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35