一种OLED显示面板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种OLED显示面板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可降低发光组件发出的光对非发光区中薄膜晶体管特性的影响。所述OLED显示面板，包括多个亚像素区域，所述亚像素区域包括发光区和非发光区，所述OLED显示面板包括位于所述非发光区的至少三层绝缘层；还包括：衬底以及位于所述发光区且可朝向衬底发光的发光组件；其中，至少三层所述绝缘层中至多两层所述绝缘层由所述非发光区延伸至所述发光区、且位于所述发光组件和所述衬底之间。

【技术实现步骤摘要】
一种OLED显示面板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED显示面板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
OLED(OrganicLight-EmittingDiode,有机电致发光二极管)显示装置具有自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特性，因此被广泛应用于显示领域。现有的OLED显示装置，包括显示区和非显示区，显示区包括发光区和非发光区，发光区包括OLED器件，非发光区包括薄膜晶体管。受工艺限制，发光区发出的光很容易直接照射或者反射到非发光区薄膜晶体管的有源层上，导致薄膜晶体管的阈值电压产生负向漂移，从而引起薄膜晶体管特性发生变化，导致像素产生漏电，无法正常显示。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种OLED显示面板及其制备方法、显示装置，可降低发光组件发出的光对非发光区中薄膜晶体管特性的影响。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：第一方面，提供一种OLED显示面板，包括多个亚像素区域，所述亚像素区域包括发光区和非发光区，所述OLED显示面板包括位于所述非发光区的至少三层绝缘层；所述OLED显示面板还包括：衬底以及位于所述发光区且可朝向衬底发光的发光组件；其中，至少三层所述绝缘层中至多两层所述绝缘层由所述非发光区延伸至所述发光区、且位于所述发光组件和所述衬底之间。可选的，所述非发光区包括薄膜晶体管，所述发光组件的下表面到所述衬底的距离小于所述薄膜晶体管的有源层的下表面到所述衬底的距离。可选的，所述发光组件设置在所述衬底的表面上。可选的，所述发光组件包括依次设置的第一电极、电致发光层、第二电极。可选的，三个所述亚像素区域构成像素区域，一个所述像素区域内的三个所述亚像素区域的所述发光单元发出的光互为第一基色光、第二基色光、第三基色光。可选的，四个所述亚像素区域构成像素区域，一个所述像素区域内的四个所述亚像素区域的所述发光单元发出的光互为第一基色光、第二基色光、第三基色光、白光。第二方面，提供一种OLED显示面板，包括多个亚像素区域，所述亚像素区域包括发光区和非发光区，所述OLED显示面板包括：衬底以及位于所述发光区且设置在所述衬底的表面上的发光组件。第三方面，提供一种OLED显示装置，包括第一方面或第二方面所述的OLED显示面板。第四方面，提供一种OLED显示面板的制备方法，所述OLED显示面板包括多个亚像素区域，所述亚像素区域包括发光区和非发光区；所述方法包括：在衬底上形成至少三层绝缘层，至少三层所述绝缘层中至多两层所述绝缘层由非发光区延伸至所述发光区；在形成有至少三层所述绝缘层的衬底上形成发光组件，所述发光组件位于所述发光区。可选的，所述在衬底上形成至少三层绝缘层，至少三层所述绝缘层中至多两层所述绝缘层由非发光区延伸至所述发光区，具体包括：在衬底上形成至少三层绝缘膜层；对所述绝缘膜层进行图案化，去除所述绝缘膜层位于所述发光区的部分。可选的，所述在形成有至少三层所述绝缘层的衬底上形成发光组件，具体包括：在形成有至少三层所述绝缘层的衬底上形成第一电极，所述第一电极位于所述衬底的表面上；在形成有所述第一电极的衬底上喷墨打印形成电致发光层；在形成有所述电致发光层的衬底上形成第二电极。本专利技术提供一种OLED显示面板及其制备方法、显示装置，通过仅将现有技术中非显示区包含的多层绝缘层中的部分绝缘层延伸至显示区，使得发光组件发出的光能照射到非发光区的角度越小，使得发光组件发出的光直接照射到有源层的角度减小，并使发光组件发出的光经薄膜晶体管的金属层反射到有源层上的光也减小，以使光照对非发光区薄膜晶体管的影响越小，从而降低了发光组件发出的光对非发光区中薄膜晶体管特性的影响。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种OLED显示面板的结构示意图一；图2为本专利技术实施例提供的一种OLED显示面板的结构示意图二；图3为本专利技术实施例提供的一种OLED显示面板的结构示意图三；图4为本专利技术实施例提供的一种OLED显示面板的制备方法的流程图；图5为本专利技术实施例提供的一种OLED显示面板的制备过程示意图。附图标记10-衬底；20-第一电极；30-薄膜晶体管；31-有源层；40-电致发光层；50-第二电极；01-缓冲层；02-栅绝缘层；03-层间绝缘层；04-钝化层。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种OLED显示面板，如图1和图2所示，包括多个亚像素区域，所述亚像素区域包括发光区和非发光区，OLED显示面板包括位于非发光区的至少三层绝缘层(图1和图2中以四层绝缘层进行示意)；OLED显示面板还包括：衬底10以及位于发光区且可朝向衬底10发光的发光组件(图1和图2中仅示意出发光组件的第一电极20)；其中，至少三层绝缘层中至多两层绝缘层由非发光区延伸至发光区、且位于发光组件和衬底10之间。需要说明的是，第一，此处的OLED显示面板，可以包含衬底10以及设置在衬底10上的显示所需结构(例如薄膜晶体管和发光组件等)，进一步的，还可以包括封装结构(例如封装薄膜或者封装基板)。当发光组件发出的光为白光时，显示面板还可以包括彩色滤光图案。第二，OLED显示面板包括位于非发光区的至少三层绝缘层，此处的至少三层绝缘层，例如可以是缓冲层(bufferlayer)、栅绝缘层(GateInsulator，简称GI)、层间绝缘层(InterlayerDielectric，简称ILD)、钝化层(PVX)等任意几种的组合。其中，图1和图2以OLED显示面板包括位于非发光区的四层绝缘层进行示意，具体的，包括缓冲层01、栅绝缘层02、层间绝缘层03、钝化层04。第三，OLED显示面板包括可朝向衬底10发光的发光组件，也就是说本专利技术提供的显示面板为底发光型OLED显示面板。第四，发光组件与衬底10之间包括至多两层绝缘层，也就是说，发光组件与衬底10之间可以如图1所示包括两层绝缘层、可以包括一层绝缘层或者可以如图2所示没有绝缘层。其中，至少三层绝缘层中至多两层绝缘层由非发光区延伸至发光区，是指如图1所示，非发光区包括四层绝缘层，发光区只包括上述四层绝缘层中的两层绝缘层，另外两层绝缘层并未延伸至发光区，只在非发光区有在发光区没有。这样一来，如图1和图2所示，带箭头的虚线表示最边缘的光路，发光组件与衬底10之间的绝缘层越少，发光组件发出的光照射到非发光区的越少。当然，根据需要，还可以在衬底10与发光组件之间设置仅在发光区有，不延伸至非发光区的绝缘层。第五，衬底10可以是玻璃衬底，也可以是柔性衬底。本专利技术实施例提供的OLED显示面板，通过仅将现有技术中非显示区包含的多层绝缘层中的部分绝缘层延伸至显示区，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED显示面板，包括多个亚像素区域，所述亚像素区域包括发光区和非发光区，所述OLED显示面板包括位于所述非发光区的至少三层绝缘层；其特征在于，所述OLED显示面板还包括：衬底以及位于所述发光区且可朝向衬底发光的发光组件；其中，至少三层所述绝缘层中至多两层所述绝缘层由所述非发光区延伸至所述发光区、且位于所述发光组件和所述衬底之间。

【技术特征摘要】
1.一种OLED显示面板，包括多个亚像素区域，所述亚像素区域包括发光区和非发光区，所述OLED显示面板包括位于所述非发光区的至少三层绝缘层；其特征在于，所述OLED显示面板还包括：衬底以及位于所述发光区且可朝向衬底发光的发光组件；其中，至少三层所述绝缘层中至多两层所述绝缘层由所述非发光区延伸至所述发光区、且位于所述发光组件和所述衬底之间。2.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述非发光区包括薄膜晶体管，所述发光组件的下表面到所述衬底的距离小于所述薄膜晶体管的有源层的下表面到所述衬底的距离。3.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述发光组件设置在所述衬底的表面上。4.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述发光组件包括依次设置的第一电极、电致发光层、第二电极。5.根据权利要求1-4任一项所述的OLED显示面板，其特征在于，三个所述亚像素区域构成像素区域，所述像素区域内的三个所述亚像素区域的所述发光单元发出的光互为第一基色光、第二基色光、第三基色光；或者，四个所述亚像素区域构成像素区域，所述像素区域内的四个所述亚像素区域的所述发光单元发出的光互为第一基色光、第二基色光、第三基色光、白光。6.一种OLED显示面板，包括多个亚像...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁志东，李永谦，袁粲，李蒙，蔡振飞，冯雪欢，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34