阵列基板及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

本公开涉及显示领域，提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：衬底基板；金属配线层，位于所述衬底基板上；所述金属配线层包括第一氧化钼衬底层以及位于所述第一氧化钼衬底层上的第一金属层。通过第一氧化钼衬底层一方面降低了第一金属层形成的金属配线的反射率、增强了金属配线与衬底基板的粘附力，并且避免了金属配线中金属元素扩散到衬底基板；另一方面，本公开中的氧化钼衬底层为直接成膜，减少了工艺流程和制造成本，提高了制造效率。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法、显示装置
本公开涉及显示领域，特别涉及一种阵列基板、阵列基板的制造方法、包含阵列基板的显示装置。
技术介绍
随着科学技术的进步，越来越多的电子设备进入了人们的生活中，比如智能手机、平板电脑、液晶电视等终端设备，丰富和方便了人们的日常生活。显示面板是电子设备中获取信息的重要部件之一，同时阵列基板的性能决定了显示面板的性能，其性能的好坏直接影响终端设备的性能及用户体验。本领域通常在衬底基板形成金属走线。但是金属走线的反射率极高，并且金属和基板之间的粘附力有限，会产生一系列的问题。这些问题极大的限制了显示面板及显示装置的性能。鉴于此，为了降低金属配线的反射率，并提高金属配线和衬底基板的粘附力，进一步提高显示面板及显示装置的性能，本领域亟需研发一种高性能的阵列基板、显示面板及显示装置。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，以提高金属配线和衬底基板的粘附力，并降低金属走线的反射率，进而提高显示装置的性能。本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。根据本公开的第一方面，提供一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；以及金属配线层，位于所述衬底基板上；所述金属配线层包括第一氧化钼衬底层以及位于所述第一氧化钼衬底层上的第一金属层。在本公开的示例性实施例中，所述阵列基板还包括设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管，所述金属配线层包括所述薄膜晶体管的栅极。在本公开的示例性实施例中，所述薄膜晶体管的源漏极包括第二氧化钼层和第二金属层。在本公开的示例性实施例中，所述阵列基板还包括走线图案，所述金属配线层包括所述走线图案。在本公开的示例性实施例中，所述第一氧化钼衬底层的厚度不低于在本公开的示例性实施例中，所述金属层的材质为铜或铝。在本公开的示例性实施例中，所述衬底基板为玻璃基板。根据本公开的第二方面，提供一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成第一氧化钼衬底层；在所述第一氧化钼衬底层上形成第一金属层，所述第一氧化钼衬底层和所述第一金属层形成金属配线层。在本公开的示例性实施例中，所述阵列基板的制造方法还包括：在所述衬底基板上形成薄膜晶体管。在本公开的示例性实施例中，在所述衬底基板上形成薄膜晶体管，包括：形成包括所述薄膜晶体管栅极的图案，对所述金属配线层通过构图工艺形成包括所述薄膜晶体管栅极的图案；形成栅绝缘层，在所述栅极上形成栅绝缘层；形成有源层，在所述栅绝缘层上形成有源层薄膜，通过构图工艺形成包含有源层的图案；形成源漏极，在所述有源层上形成源漏极材料层，通过构图工艺形成包含源漏极的图案。在本公开的示例性实施例中，形成源漏极，包括：在所述有源层上形成第二氧化钼衬底层，在所述第二氧化钼成底层上形成第二金属层，通过构图工艺形成包含源漏极的图案。在本公开的示例性实施例中，所述阵列基板的制造方法还包括，形成走线图案：在所述金属配线层上通过构图工艺形成走线图案。在本公开的示例性实施例中，所述第一氧化钼衬底层采用物理气相沉积法直接成膜，沉积参数为：氩气流量10～3000sccm，气压0.1-2Pa，功率0.5-80kw，沉积速率在本公开的示例性实施例中，所述第一氧化钼衬底层的厚度不低于根据本公开的第三方面，提供一种显示装置，其特征在于，包括上述的阵列基板。由上述技术方案可知，本公开示例性实施例中的阵列基板及其制造方法、显示装置至少具备以下优点和积极效果：本公开中阵列基板包括衬底基板及金属配线层，金属配线层包括第一氧化钼衬底层和位于第一氧化钼衬底层上的第一金属层，通过第一氧化钼衬底层一方面降低了第一金属层形成的金属配线的反射率、增强了金属配线与衬底基板的粘附力，并且避免了金属配线中金属元素扩散到衬底基板；另一方面，本公开中的氧化钼衬底层为直接成膜，减少了工艺流程和制造成本，提高了制造效率。本公开应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1示出本公开示例性实施例中阵列基板的结构示意图；图2示出本领域中各材料反射率的对比图；图3示出本公开示例性实施例中由金属配线层形成栅极的薄膜晶体管的结构示意图；图4示出本公开示例性实施例中由金属配线层形成源漏极的薄膜晶体管的结构示意图；图5示出本公开示例性实施例中由两个金属配线层形成栅极和源漏极的薄膜晶体管的结构示意图；图6示出本公开示例性实施例中阵列基板的制造流程图；图7示出本公开示例性实施例中阵列基板的制造流程图；图8示出本公开示例性实施例中阵列基板的制造流程图；图9示出本公开示例性实施例中阵列基板的制造流程图；图10示出本公开示例性实施例中显示装置的结构示意图。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而省略所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知技术方案以避免喧宾夺主而使得本公开的各方面变得模糊。本说明书中使用用语“一个”、“一”、“该”和“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”和“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。附图中所示的一些方框图是功能实体，不一定必须与物理或逻辑上独立的实体相对应。本示例实施方式首先提供了一种阵列基板，如图1所示，阵列基板100包括衬底基板101和金属配线层102，所述金属配线层102位于所述衬底基板101上，包括第一氧化钼衬底层103和第一金属层104，第一金属层104位于第一氧化钼衬底层103上。衬底基板101为本领域常用的衬底基板，例如玻璃基板、石英基板等，优选地为玻璃基板。金属配线层102包含第一氧化钼衬底层103和第一金属层104，为了提高阵列基板的电性能，第一金属层104可以采用铜、铝等高导电性材料，也可以采用本领域常用的其它具有高导电率的金属材料或金属合金材料。图2示出了各材料的反射率，从图2中可以看出，Cu或MoNb/Cu的反射率很高，纯铜的反射率约为95％，当采用氧化钼作为衬底层时，入射到Cu本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；以及金属配线层，位于所述衬底基板上；所述金属配线层包括第一氧化钼衬底层以及位于所述第一氧化钼衬底层上的第一金属层。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；以及金属配线层，位于所述衬底基板上；所述金属配线层包括第一氧化钼衬底层以及位于所述第一氧化钼衬底层上的第一金属层。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管，所述金属配线层包括所述薄膜晶体管的栅极。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的源漏极包括第二氧化钼衬底层和第二金属层。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括走线图案，所述金属配线层包括所述走线图案。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一氧化钼衬底层的厚度不低于6.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述金属层的材质为铜或铝。7.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板为玻璃基板。8.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成第一氧化钼衬底层；在所述第一氧化钼衬底层上形成第一金属层：所述第一氧化钼衬底层和所述第一金属层形成金属配线层。9.根据权利要求8所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板的制造方法还包括：在所述衬底基板上形成薄膜晶体管。10.根据权利要求9所述的阵列...

【专利技术属性】
技术研发人员：王守坤，邵喜斌，宋勇志，郭会斌，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11