【技术实现步骤摘要】
包括电介质层的半导体器件相关申请的交叉引用2016年10月13日在韩国知识产权局提交的题为“包括电介质层的半导体器件”的韩国专利申请No.10-2016-0132750通过引用全部并入本文中。
本公开内容涉及一种包括电介质层的半导体器件及其制造方法。
技术介绍
为了改进半导体器件的集成度,已经研发了一种NAND闪存器件,其包括沿与衬底的上表面垂直的方向设置的字线以及在穿过所述字线的孔中设置的电介质层和沟道层。
技术实现思路
根据本公开的一个方面,提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括:在衬底上设置的堆叠结构。所述堆叠结构包括彼此交替地堆叠的层间绝缘层和第一栅电极。半导体层设置在穿透所述层间绝缘层和所述第一栅电极的开口中。第一电介质层插入在所述半导体层和所述堆叠结构之间。下部图案设置为更靠近所述衬底而不是所述第一栅电极。所述下部图案包括面对所述第一电介质层的第一表面和面对所述堆叠结构同时与所述第一表面形成锐角的第二表面。所述第一电介质层包括面对所述堆叠结构的第一部分以及面对所述下部图案的第一表面并且厚度大于所述第一部分的厚度的第二部分。根据本公开的一个方面,提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括:在衬底上设置的堆叠结构。所述堆叠结构包括彼此交替地堆叠的层间绝缘层和字线。设置穿透所述字线和所述层间绝缘层的半导体层。设置第一电介质层,所述第一电介质层包括插入在所述半导体层和所述堆叠结构之间的第一部分以及从所述第一部分弯曲并且厚度比所述第一部分的厚度大的第二部分。设置下部图案,所述下部图案设置为更靠近所述衬底而不是所述字线,同时位于所述衬底上。根据本公开的一个方面 ...
【技术保护点】
一种半导体器件,包括:衬底上的堆叠结构,所述堆叠结构包括彼此交替地堆叠的层间绝缘层和第一栅电极;穿透所述堆叠结构的开口中的半导体层;所述半导体层和所述堆叠结构之间的第一电介质层;以及所述堆叠结构中更靠近所述衬底而不是所述第一栅电极的下部图案,所述下部图案包括面对所述第一电介质层的第一表面以及面对所述堆叠结构的第二表面,所述第二表面与所述第一表面限定了锐角,其中所述第一电介质层包括面对所述堆叠结构的第一部分和面对所述下部图案的第一表面的第二部分,所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。
【技术特征摘要】
2016.10.13 KR 10-2016-01327501.一种半导体器件,包括:衬底上的堆叠结构,所述堆叠结构包括彼此交替地堆叠的层间绝缘层和第一栅电极;穿透所述堆叠结构的开口中的半导体层;所述半导体层和所述堆叠结构之间的第一电介质层;以及所述堆叠结构中更靠近所述衬底而不是所述第一栅电极的下部图案,所述下部图案包括面对所述第一电介质层的第一表面以及面对所述堆叠结构的第二表面,所述第二表面与所述第一表面限定了锐角,其中所述第一电介质层包括面对所述堆叠结构的第一部分和面对所述下部图案的第一表面的第二部分,所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第一电介质层的第二部分的厚度是所述第一电介质层的第一部分的厚度的1.5倍或以上。3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第一电介质层的第二部分在所述第一电介质层的下端,并且相对于所述第一电介质层的第一部分弯曲。4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述下部图案包括半导体材料或硅材料。5.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括第二电介质层和第三电介质层,所述第二电介质层在所述第一电介质层和所述第三电介质层之间,并且所述第三电介质层在所述第二电介质层和所述半导体层之间。6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第一电介质层的第一部分包括下部区域和上部区域,所述下部区域的厚度大于所述上部区域的厚度。7.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括位于所述第一栅电极下方同时设置在所述衬底上的第二栅电极,所述开口穿透所述第二栅电极,并且所述下部图案在所述开口中且包括面对所述第二栅电极的侧表面。8.根据权利要求7所述的半导体器件,其中所述下部图案包括从所述下部图案的上部凹陷的凹陷部分,所述凹陷部分与所述半导体层接触。9.根据权利要求8所述的半导体器件,其中所述凹陷部分比所述第二栅电极的下表面的高度高。10.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述下部图案的第二表面与所述衬底的上表面垂直。11.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述下部图案的第二表面与所述衬底的上表面平行。12.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述开口包括第一孔区域和第二孔区域,所述第二孔区域在所述第一孔区域和所述衬底之间,所述第一孔区域在顶视图中基本上是圆形的,并且所述第二孔区域在顶视图中具有扭曲的圆形形状。13.一种半导体器件,包括:衬底上的堆叠结构,所述堆叠结构包括彼此交替地堆叠的层间绝缘层和字线;半导体层,穿透所述堆叠结构的所述字线和所述层间绝缘层;第一电介质层,包括插入在所述半导体层和所述堆叠结构之间的第一部分、以及从所述第一部分弯曲并且厚度比所述第一部分的厚度大的第二部分;以及所述衬底上的下部图案,所述下部图案更靠近所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:崔至薰,金成吉,金智美,金重浩,金泓奭,南泌旭,安宰永,林汉镇,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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