电子零件、电子零件的制造装置及电子零件的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种形成于封装体上的磁性体的电磁波屏蔽膜可获得良好的屏蔽特性的电子零件、电子零件的制造装置及电子零件的制造方法。一种电子零件(10)，其在将元件(11)密封的封装体(12)的顶面形成有电磁波屏蔽膜(13)，且封装体(12)的顶面中的电磁波屏蔽膜(13)的膜厚为0.5μm～9μm，封装体(12)的顶面的粗糙度曲线要素的平均高度(Rc)与电磁波屏蔽膜(13)的膜厚(Te)的关系为Rc≤2Te。

【技术实现步骤摘要】
电子零件、电子零件的制造装置及电子零件的制造方法
本专利技术涉及一种电子零件、电子零件的制造装置及电子零件的制造方法。
技术介绍
在以移动电话为代表的无线通信设备中搭载着许多作为电子零件的半导体装置。为了防止对通信特性的影响，要求半导体装置抑制电磁波向外部泄漏等电磁波对内外的影响。因此，使用具有对电磁波的屏蔽功能的半导体装置。一般来说，半导体装置通过以下方式形成：将半导体芯片搭载于作为相对于安装基板的中继用的基板的插入基板的上方，并利用树脂将所述半导体芯片密封。已开发出通过将导电性的电磁波屏蔽膜设置于所述密封树脂的上表面及侧面来赋予屏蔽功能的半导体装置(参照专利文献1)。这种电磁波屏蔽膜可设为多种金属材料的层叠膜。例如，已知有形成不锈钢(SUS)膜后在其上方形成Cu膜，进而在所述Cu膜上方形成SUS膜的层叠结构的电磁波屏蔽膜。在电磁波屏蔽膜中，为了获得充分的屏蔽效果，需要降低电阻率。因此，对电磁波屏蔽膜要求某种程度的厚度。在半导体装置中，一般来说，只要有1μm～10μm左右的膜厚，则可获得良好的屏蔽特性。已知在所述SUS、Cu、SUS的层叠结构的电磁波屏蔽膜中只要有1μm～5μm左右的膜厚，则可获得良好的屏蔽效果。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]国际公开第2013/035819号公报
技术实现思路
[专利技术所要解决的问题]电磁波屏蔽膜的形成方法已知有镀敷法。但是，镀敷法需要前处理工序、镀敷处理工序、及水洗之类的后处理工序等湿式工序，因此半导体装置的制造成本的上升不可避免。因此，作为干式工序的溅射法受到关注。作为利用溅射法的成膜装置，提出有使用等离子体进行成膜的等离子体处理装置。等离子体处理装置将惰性气体导入配置有靶材(target)的真空容器中，并施加直流电压。使经等离子体化的惰性气体的离子撞击成膜材料的靶材，并使从靶材敲打出的材料堆积于工件来进行成膜。一般的等离子体处理装置用于形成能够在数十秒至数分钟的处理时间内形成的10nm～数百nm厚的膜。但是，如上所述，作为电磁波屏蔽膜，需要形成微米级别的厚度的膜。溅射法是使成膜材料的粒子堆积于成膜对象物上来形成膜的技术，因此所形成的膜越厚，膜形成所需要的时间越长。因而，为了形成电磁波屏蔽膜，需要比一般的溅射法长的、数十分钟至一小时左右的处理时间。例如，在SUS、Cu、SUS的层叠结构的电磁波屏蔽膜中，为了获得5μm的膜厚，有时需要一小时多的处理时间。于是，在使用等离子体的溅射法中，在所述处理时间中，作为半导体的外包装的封装体持续承受等离子体的热。结果，在获得5μm厚的膜之前，有时封装体被加热至200℃前后。另一方面，关于封装体的耐热温度，若为数秒～数十秒左右的暂时性加热，则为200℃左右，但在加热超过数分钟的情况下，一般为150℃左右。因此，难以使用一般的借助等离子体的溅射法来形成微米级别的电磁波屏蔽膜。为了应对这一情况，考虑到使用Ni、Fe等磁性体作为膜材料。磁性体的屏蔽效果高，且可设为比较薄的膜厚，因此可通过缩短利用溅射的加热时间来抑制温度上升，并且缩短节拍时间(takttime)。然而，实际上即使通过溅射在半导体的封装体上形成磁性体的电磁波屏蔽膜，有时也无法获得所期望的对电磁波的屏蔽特性。另外，考虑在等离子体处理装置中设置用于抑制半导体封装体的温度上升的冷却单元。所述情况下，装置构成复杂化、大型化，但可抑制形成包含Cu的电磁波屏蔽膜时的加热。但是，在非磁性体的电磁波屏蔽膜中，也出现了无法获得所期望的屏蔽特性的情形。本专利技术的目的在于提供一种形成于封装体上的电磁波屏蔽膜可获得良好的屏蔽特性的电子零件、电子零件的制造装置及电子零件的制造方法。[解决问题的技术手段]为了达成所述目的，本专利技术的电子零件在将元件密封的封装体的顶面形成有电磁波屏蔽膜，且所述电子零件的特征在于：所述封装体的顶面中的所述电磁波屏蔽膜的膜厚Te为0.5μm～9μm，所述封装体的顶面的粗糙度曲线要素的平均高度Rc与所述电磁波屏蔽膜的膜厚Te的关系为Rc≤2Te。所述封装体的顶面的粗糙度曲线要素的平均高度Rc也可以为5μm以下。本专利技术的电子零件的制造装置的特征在于具有：研磨装置，对利用密封材将多个元件密封的密封体的顶面进行研磨；分离装置，通过切断所述密封体，使其分离为由密封材的封装体将各元件密封的各个电子零件；及成膜装置，在所述各个电子零件的封装体的外表面通过溅射来形成所述电磁波屏蔽膜。所述成膜装置也可以具有：腔室，即为导入溅射气体的容器；搬运部，设置于所述腔室内，且以圆周轨迹对所述电子零件进行循环搬运；及多个成膜处理部，具有通过溅射使成膜材料堆积于利用所述搬运部进行循环搬运的状态的所述电子零件来进行成膜的溅射源，并且具有对利用所述溅射源将所述电子零件成膜的成膜位置进行划分的划分部。所述多个成膜处理部也可以包含与不同种类的成膜材料对应的溅射源，通过使每一种成膜材料选择性堆积来形成包括多种成膜材料的层的膜。本专利技术的电子零件的制造方法的特征在于：利用研磨装置对所述封装体的顶面进行研磨，利用成膜装置在所述封装体上通过溅射来形成所述电磁波屏蔽膜。另外，本专利技术的电子零件的制造方法的特征在于：对利用密封材将多个元件密封的密封体的顶面进行研磨，通过切断所述密封体，使其分离为由密封材的封装体将各元件密封的各个电子零件，且在所述各个电子零件的封装体的外表面通过溅射来形成所述电磁波屏蔽膜。[专利技术的效果]根据本专利技术，形成于封装体上的电磁波屏蔽膜可获得良好的屏蔽特性。附图说明图1是表示实施方式的电子零件的示意剖面图。图2(A)、图2(B)是表示由于电子零件的封装体表面的弯曲而无法获得电磁波屏蔽特性的原理的说明图。图3是表示实施方式的电子零件获得电磁波屏蔽膜的屏蔽特性的原理的一例的说明图。图4是表示实施方式的研磨装置的说明图。图5是表示实施方式的研磨装置的研磨动作的立体图。图6是表示实施方式的分离装置的说明图。图7是表示实施方式的分离装置的立体图。图8是实施方式的成膜装置的透视立体图。图9是实施方式的成膜装置的透视平面图。图10是图9的A-A示意纵剖面图。图11是表示配置有电子零件的托盘(tray)的立体图。图12是表示实施方式的控制装置的框图。图13(A)～图13(C)是表示实施方式的电子零件的制造工序的说明图。图14(A)、图14(B)是表示实施方式的电子零件的制造工序的说明图。图15是表示屏蔽特性的试验中使用的电磁波屏蔽膜的示意剖面图。图16是表示屏蔽特性的试验结果的图表。图17是表示屏蔽特性的试验装置的说明图。附图标号说明10：电子零件11、11N：元件12、12N：封装体12A：密封体12a：顶面12b：侧面13、13N：电磁波屏蔽膜13A：Cu膜13B：Ni-Fe的磁性体膜14：基板14A：集合基板100：研磨装置110：研磨台120：研磨部121：研磨板121a：研磨垫122：轴体200：分离装置210：支撑台33、211：保持部211a：真空孔211b：槽220：切断部221：刀条222：框架300：成膜装置20：腔室21：真空室22：排气口23：排气部24：导入口25：气体供给部26：腔室的外周壁的内表面27：内周壁的外表面30：搬运部31：旋转工作台32：马达40、40A～40C：成膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子零件，其在将元件密封的封装体的顶面形成有电磁波屏蔽膜，且所述电子零件的特征在于：所述封装体的顶面中的所述电磁波屏蔽膜的膜厚Te为0.5μm～9μm，所述封装体的顶面的粗糙度曲线要素的平均高度Rc与所述电磁波屏蔽膜的膜厚Te的关系为Rc≤2Te。

【技术特征摘要】
2016.10.13 JP 2016-2015211.一种电子零件，其在将元件密封的封装体的顶面形成有电磁波屏蔽膜，且所述电子零件的特征在于：所述封装体的顶面中的所述电磁波屏蔽膜的膜厚Te为0.5μm～9μm，所述封装体的顶面的粗糙度曲线要素的平均高度Rc与所述电磁波屏蔽膜的膜厚Te的关系为Rc≤2Te。2.根据权利要求1所述的电子零件，其特征在于：所述封装体的顶面的粗糙度曲线要素的平均高度Rc为5μm以下。3.一种电子零件的制造装置，其为根据权利要求1所述的电子零件的制造装置，且所述电子零件的制造装置的特征在于具有：研磨装置，对利用密封材将多个元件密封的密封体的顶面进行研磨；分离装置，通过切断所述密封体，使其分离为由密封材的封装体将各元件密封的各个电子零件；及成膜装置，在所述各个电子零件的封装体的外表面通过溅射来形成所述电磁波屏蔽膜。4.根据权利要求3所述的电子零件的制造装置，其特征在于：所述成膜装置具有：腔室，即为导入溅射气体的容器；搬运部，设置于...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤昭彦，加茂克尚，松中繁树，藤田笃史，
申请(专利权)人：芝浦机械电子装置株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP