半导体封装制造技术

本发明专利技术提供一种一半导体封装，其包括：一第一基板，其包括自该第一基板之一表面延伸之一第一互连结构，该第一互连结构包括一第一尺寸之颗粒；一第二基板，其包括一第二互连结构，该第二互连结构包括一第二尺寸之颗粒；及一第三互连结构，其系设置于该第一互连结构与该第二互连结构之间，该第三互连结构包括一第三尺寸之颗粒；一第一侧壁，其相对于一参考平面倾斜一第一角度；及一第二侧壁，其相对于该参考平面倾斜一第二角度，其中该第一角度相异于该第二角度，该第一侧壁系设置于该第一基板与该第二侧壁之间，且该第三尺寸小于该第一尺寸与该第二尺寸两者。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装
本专利技术系关于一种半导体封装，更特定而言，本专利技术系关于一种具有加强型互连结构之半导体封装。
技术介绍
自集成电路问世以来，由于各种电子组件与半导体封装之积体密度之持续增加，半导体工业因此经历持续快速成长，大体而言，系透过不断减缩组件之最小特征尺寸来增加积体密度，藉此允许将更多组件整合至一芯片或封装当中。一种用于将更多组件整合至一半导体结构之方式系三维集成电路(3DIC)堆栈技术之采用，其中硅晶圆及/或晶粒系彼此堆栈，而一种用于堆栈半导体封装中之半导体晶圆及/或基板之方式系使用两基板之金属互连结构间之直接接合技术(例如铜-铜直接接合技术)，然而，为实现成功之接合，则需要两基板间之精确对准及单一基板上所有互连结构之高度共平面性，藉此将一基板之互连结构直接接合至另一基板之互连结构，而在热循环期间两基板之翘曲(例如由直接接合技术之相对高温所导致)亦可能导致接合失败。此外，习知铜-铜接合技术需要在高温、高压及/或高真空之环境下进行。综上，需要一种于接合制程中对基板错位及缺乏共平面性之互连结构具有高容许度之半导体封装。
技术实现思路
本专利技术之一实施例之一半导体封装包括：一第一基板，其包括自该第一基板之一表面延伸之一第一互连结构，该第一互连结构包括一第一尺寸之颗粒(grain)；一第二基板，其包括一第二互连结构，该第二互连结构包括一第二尺寸之颗粒；及一第三互连结构，其系设置于该第一互连结构与该第二互连结构之间，该第三互连结构包括一第三尺寸之颗粒；一第一侧壁，其相对于一参考平面倾斜一第一角度；及一第二侧壁，其相对于该参考平面倾斜一第二角度，其中该第一角度相异于该第二角度，该第一侧壁系设置于该第一基板与该第二侧壁之间，且该第三尺寸小于该第一尺寸与该第二尺寸两者。本专利技术之一实施例之一半导体封装包括：一第一基板，其包括自该第一基板之一表面延伸之一第一互连结构；一第二基板，其包括一第二互连结构；及一第三互连结构，其系设置于该第一互连结构与该第二互连结构之间，该第三互连结构包括：一第一侧壁，其相对于一参考平面倾斜一第一角度；及一第二侧壁，其相对于该参考平面倾斜一第二角度，该第一侧壁系设置于该第一基板与该第二侧壁之间，该第一角度相异于该第二角度，其中该第一互连结构与该第二互连结构定义一空间。本专利技术之一实施例之一半导体封装包括：一第一基板，其包括自该第一基板之一表面延伸之一第一互连结构，该第一互连结构包括一第一尺寸之颗粒；一第二基板，其包括一第二互连结构，该第二互连结构包括一第二尺寸之颗粒；及一第三互连结构，其系设置于该第一互连结构与该第二互连结构之间，该第三互连结构包括一第三尺寸之颗粒，其中该第一互连结构与该第二互连结构定义一空间，且该第三尺寸小于该第一尺寸与该第二尺寸两者。附图说明图1为依据本专利技术之一实施例之一半导体封装之示意图。图2为依据本专利技术之一实施例之一半导体封装之示意图。图3为依据本专利技术之一实施例之使用两基板组装以形成一半导体封装之示意图。图4为依据本专利技术之一实施例之使用两基板组装以形成一半导体封装之示意图。图5为依据本专利技术之一实施例之各种互连结构之示意图。图6为依据本专利技术之一实施例之一半导体封装之示意图。图7为依据本专利技术之一实施例之一半导体封装之示意图。图8为依据本专利技术之一实施例之一半导体封装之示意图。贯穿图式及详细描述使用共同参考数字以指示相同或类似元件。本专利技术的实施例将从结合附图进行的以下详细描述更显而易见。具体实施方式以下揭露本专利技术之各种实施例之制造及使用，但应了解下文各实施例中所阐述之专利技术概念可体现于其他各种具体情境中，应理解下述揭示内容提供各实施例之不同特征之实施例或范例，特定组件或配置仅用于释例性说明，其并非用于局限本专利技术之范畴。以下使用特定文字描述图标中所绘示之实施例或范例，需理解该等实施例或范例并非用于局限本专利技术之范畴，对于本专利技术中之实施例之任何改造或变更，或者针对本专利技术中实施例之原理之进一步应用，皆属于本专利技术之范畴。此外，应理解可简明描述装置之制程步骤及/或特征，且在实施本专利技术之方法或使用本专利技术之系统或装置时，可加入额外之制程步骤及/或特征，且可移除或改变本专利技术之特定制程步骤及/或特征，故下文所述仅系本专利技术之实施例或范例，其并非用于局限本专利技术之范畴。此外，本文中可于不同范例中使用相同之组件符号及/或字符，上述仅系出于简洁之目的而使用相同之组件符号及/或字符，其并不代表使用相同之组件符号及/或字符之不同范例或组态间应具有特定之关系。此外，例如「上方」及「下方」等空间相对术语仅系便于描绘图标中组件之相对关系，但空间相对术语实际上可包含除图标中组件之定向以外之其他定向，例如图标中组件之定向可经翻转90度，此时空间相对术语则可被对应地解释。参照图示内容，图1系依据本专利技术之一实施例之一半导体封装100之横截面示意图，半导体封装100包括基板1及基板2。基板1包括互连结构11，互连结构11自基板1延伸至基板2，互连结构11包括设置于基板1中之一基底部份(于图1中未由组件符号标示)及从基底部份突出至基板2之一突出或延伸部分(于图1中未由组件符号标示)，基板1之底表面101系基板1和基板2间之界面，表面101实质上与基板2之一顶表面共平面。基板2包括互连结构21及互连结构31，互连结构21设置于基板2中，互连结构31设置于互连结构11与互连结构21之间，互连结构31可具有一杯形结构(例如，其可以具有界定一开口或凹部之插座形结构)，互连结构31围绕互连结构11之一部份，互连结构31围绕互连结构11自基板1之突出部份，互连结构31围绕互连结构11自基板1之延伸，互连结构21围绕互连结构31。互连结构31包括侧壁311及312，侧壁311相对于一参考平面A(如虚线所示)倾斜一角度θ1，参考平面A实质上与表面101平行，侧壁312相对于一参考平面B(如虚线所示)倾斜一角度θ2，参考平面B实质上与表面101平行，参考平面A、参考平面B与表面101实质上互相平行，角度θ1相异于角度θ2，角度θ1与角度θ2可介于45度与90度之范围内，角度θ1可小于角度θ2。互连结构11包括具有平均为第一尺寸之颗粒(未显示于图中)，或第一颗粒直径，互连结构21包括具有平均为第二尺寸之颗粒(未显示于图中)，或第二颗粒直径，互连结构31包括具有平均为第三尺寸之颗粒(未显示于图中)，或第三颗粒直径，第一尺寸可与第二尺寸相同或相异，第一尺寸可小于第二尺寸，第三尺寸可小于第一尺寸，第三尺寸可小于第二尺寸，较小之颗粒尺寸表示较高之硬度，因此在第三尺寸小于第一尺寸且第三尺寸小于第二尺寸之实施例中，互连结构31之材料之硬度大于互连结构11之材料之硬度且互连结构31之材料之硬度大于互连结构21之材料之硬度。互连结构11包括侧壁111，侧壁111相对于表面101倾斜一角度θ3，互连结构11包括侧壁112，侧壁111相对于参考平面A倾斜一角度θ4，互连结构11包括侧壁113，侧壁111相对于参考平面B倾斜一角度θ5，角度θ3、角度θ4与角度θ5彼此相异，角度θ3、角度θ4与角度θ5可介于45度与90度之范围内，角度θ4可小于角度θ5，角度θ4可小于角度θ3，角度θ5可小于角度θ3。互连结构21包括侧壁211，侧壁211相对于参考平面A倾斜一角度θ本文档来自技高网...

【技术保护点】
一半导体封装，其包含：一第一基板，其包含自该第一基板之一表面延伸之一第一互连结构，该第一互连结构包括一第一尺寸之颗粒(grain)；一第二基板，其包含一第二互连结构，该第二互连结构包含一第二尺寸之颗粒；及一第三互连结构，其系设置于该第一互连结构与该第二互连结构之间，该第三互连结构包含：一第三尺寸之颗粒；一第一侧壁，其相对于一参考平面倾斜一第一角度；及一第二侧壁，其相对于该参考平面倾斜一第二角度，其中该第一角度相异于该第二角度，该第一侧壁系设置于该第一基板与该第二侧壁之间，且该第三尺寸小于该第一尺寸与该第二尺寸两者。

【技术特征摘要】
2016.12.07 US 15/371,8891.一半导体封装，其包含：一第一基板，其包含自该第一基板之一表面延伸之一第一互连结构，该第一互连结构包括一第一尺寸之颗粒(grain)；一第二基板，其包含一第二互连结构，该第二互连结构包含一第二尺寸之颗粒；及一第三互连结构，其系设置于该第一互连结构与该第二互连结构之间，该第三互连结构包含：一第三尺寸之颗粒；一第一侧壁，其相对于一参考平面倾斜一第一角度；及一第二侧壁，其相对于该参考平面倾斜一第二角度，其中该第一角度相异于该第二角度，该第一侧壁系设置于该第一基板与该第二侧壁之间，且该第三尺寸小于该第一尺寸与该第二尺寸两者。2.如请求项1之半导体封装，其中该第一尺寸与该第二尺寸实质相同。3.如请求项1之半导体封装，其中该第一尺寸与该第二尺寸相异。4.如请求项1之半导体封装，其中该第一角度小于该第二角度。5.如请求项1之半导体封装，其中该第一互连结构进一步包含：一第一侧壁，其相对于该参考平面倾斜一第三角度；一第二侧壁，其相对于该参考平面倾斜一第四角度；及一第三侧壁，其相对于该参考平面倾斜一第五角度，该第三、第四及第五角度彼此相异，该该第一互连结构之该第二侧壁系设置于该第一互连结构之该第一侧壁与该第一互连结构之该第三侧壁之间。6.如请求项5之半导体封装，其中该第四角度小于该第五角度。7.如请求项1之半导体封装，其中该第二互连结构进一步包含：一第一侧壁，其相对于该参考平面倾斜一第六角度；及一第二侧壁，其相对于该参考平面倾斜一第七角度；，该第六及第七角度彼此相异。8.如请求项7之半导体封装，其中该第六角度小于该第七角度。9.如请求项1之半导体封装，其中该第二互连结构围...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱盈达，邱咏达，陈道隆，李志成，洪志斌，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71