本揭露提供一种半导体装置以及半导体装置制造方法。所述半导体装置包含:底部封装,其中在导体与贯穿通路之间的接触表面积大体上等于所述贯穿通路的横截面积,且所述底部封装包含:模塑料;贯穿通路,其穿透所述模塑料;裸片,其模制在所述模塑料中;和导体,其在所述贯穿通路上。本揭露还揭示一种制造半导体装置的相关联方法。
【技术实现步骤摘要】
半导体装置以及半导体装置制造方法
本专利技术实施例涉及半导体装置以及半导体装置制造方法。
技术介绍
随着半导体技术的演变,半导体芯片/裸片逐渐变小。同时,需将更多功能集成到半导体裸片中。相应地,半导体裸片需将更多数目个I/O垫封装到更小区中,且I/O垫的密度随时间而快速上升。因此,半导体裸片的封装变得更加困难,此负面影响封装的良率。如何降低生产复杂性和封装成本已成为所述领域亟待解决的问题。
技术实现思路
根据本专利技术的实施例,一种半导体装置包括底部封装,所述底部封装包含:模塑料;贯穿通路,其穿透所述模塑料;裸片,其在所述模塑料中模制;和导体,其在所述贯穿通路上;其中在所述导体与所述贯穿通路之间的接触表面积大体上等于所述贯穿通路的横截面积。根据本专利技术的实施例,一种半导体装置包括:底部封装,其包含模塑料、穿透所述模塑料的贯穿通路和在所述模塑料中模制的裸片;导体,其在所述贯穿通路上;顶部封装,其在所述底部封装上方且通过所述导体接合到所述底部封装;和底胶填充,其在所述顶部封装与所述底部封装之间;其中所述贯穿通路在形成所述导体的一侧处从所述模塑料突出小于约1微米。根据本专利技术的实施例,一种制造半导体装置的方法,所述方法包括:提供载体;在所述载体上形成牺牲层;在所述牺牲层上方形成贯穿通路;在所述牺牲层上放置裸片;在所述牺牲层上形成模塑料以填充所述裸片与所述贯穿通路之间的间隙;在所述裸片、所述贯穿通路和所述模塑料上方形成重布层;去除所述载体和所述牺牲层以暴露所述贯穿通路和所述模塑料的一个末端;在所述贯穿通路的所述末端上放置导体;和放置底胶填充以围绕所述导体,其中所述底胶填充与所述模塑料物理接触。附图说明在结合附图阅读时,可从以下详细描述最佳理解本揭露的方面。应注意,根据产业中的标准实践,各个构件不按比例绘制。实际上,为了清楚论述,可任意增大或减小各个构件的尺寸。图1到图13是根据一些示范性实施例的封装结构的制造中的中间阶段的横截面图;图14是根据本揭露的实施例的图12的区A的放大图;以及图15是根据本揭露的实施例的图13的区B的放大图。具体实施方式下列揭露内容提供用于实施所提供标的物的不同构件的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的特定实例以简化本揭露。当然,这些仅为实例且不旨在限制。举例来说,在下列描述中的第一构件形成于第二构件上方或上可包括其中所述第一构件和所述第二构件经形成直接接触的实施例,且也可包括其中额外构件可形成在所述第一构件与所述第二构件之间,使得所述第一构件和所述第二构件可不直接接触的实施例。另外,本揭露可在各个实例中重复参考符号和/或字母。此重复是用于简化和清楚的目的且本身并不指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。此外,为便于描述,可在本文中使用空间相对术语(例如,“在......下方”、“在......下”、“下”、“在......上”、“上”和类似者)以描述一个元件或构件与另一(若干)元件或构件的关系,如图中所展示。空间相对术语旨在涵盖除在图中描绘的定向以外的在使用或操作中的装置的不同定向。装备可经另外定向(旋转90度或以其它定向),且因此可同样解释本文中所使用的空间相对描述符。虽然阐述本揭露的广泛范围的数值范围和参数为近似值,但已尽可能精确地报告特定实例中所阐述的数值。然而,任何数值本就包括由各自试验测量中所得到的标准偏差引起的某些必然误差。又,如本文中使用,术语“大约”一般意味着在给定值或范围的10%、5%、1%或0.5%内。替代地,当由一般技术者考虑时,术语“大约”意味着在可接受平均值标准误差内。除了在操作/工作实例中外,或除非另有明确指定,否则所有数值范围、数量、值和百分比(例如,材料数量、持续时间、温度、操作条件、数量比和本文揭示的这些的类似物的数值范围、数量、值和百分比)应理解为在所有例项中被术语“大约”修饰。因此,除非相反地指示,否则本揭露和随附专利技术权利要求书中阐述的数值参数是可视需要变化的近似值。最起码,应至少鉴于所报告的有效数字且通过应用普通舍位技术解释各数值参数。本文将范围表达为从一个端点到另一端点或在两端点之间。除非另有指定,否则本文揭示的所有范围包括所述端点。根据各种示范性实施例,提供无激光钻孔工艺的集成扇出(InFO)封装和其形成方法。描绘形成InFO封装的中间阶段。论述实施例的变动。贯穿各个视图和阐释性实施例,相似的元件符号用来指定相似的元件。图1到图13是根据一些示范性实施例的封装结构的制造中的中间阶段的横截面图。参考图1,提供载体20。所述载体20可经配置以提供结构刚度或用于沉积后续非刚性层的基底。在一个实施例中,载体20可为玻璃载体、陶瓷载体或类似物。例如,在一些实施例中,载体20可替代地为晶片、半导体、金属、具有合适形貌和结构刚度的合成或其它材料。参考图2,在载体20上形成牺牲层24而不形成介电层(例如:聚合物层),所述介电层在现有工艺中通常在后续晶种层形成之前形成。举例来说,此处省略的介电层可为聚酰亚胺、聚苯并唑(PBO)、苯并环丁烯(BCB)、味之素增建膜(ABF)、防焊膜(SR)或类似物。实施例的概念是使用牺牲层24以取代现有介电层,且由此达成省去现有工艺中所需的激光钻孔工艺的目的。在以段落中将描述相关联细节。又,如图2中展示,例如通过物理气相沉积(PVD)或金属箔积层在牺牲层24上形成晶种层26。晶种层26可包含铜、铜合金、铝、钛、钛合金或其组合物。在一些实施例中,晶种层26包含钛层26A和在钛层26A上方的铜层26B。然而,此并非本揭露的限制。在替代实施例中,晶种层26是铜层。参考图3,在晶种层26上方涂敷光阻剂28且基于电路设计需求图案化光阻剂28。因此,在光阻剂28中形成开口30以暴露晶种层26的一些部分。如图4中所示,通过镀覆(其可为电镀或无电式电镀)在开口30中形成金属构件32。金属构件32被镀覆在晶种层26的暴露部分上且可大体上填充开口30。金属构件32可包含铜、铝、钨、镍、焊料或其合金。金属构件32的俯视形状可为长方形、正方形、圆形或类似者。金属构件32的高度可根据图7中的随后放置裸片34的厚度而设计,其中在一些实施例中金属构件32的高度可大于裸片34的厚度。在镀覆金属构件32后,去除光阻剂28,且在图5中展示所得结构。在去除光阻剂28后,暴露晶种层26由光阻剂28所覆盖的部分。参考图6,执行蚀刻步骤以去除晶种层26的暴露部分,其中蚀刻可为各向异性蚀刻。另一方面,晶种层26由金属构件32重叠的部分保持未蚀刻。贯穿描述,金属构件32和晶种层26的剩余底层部分结合称作贯穿InFO通路(TIV)33,这些也称作贯穿通路33。虽然晶种层26被展示为与金属构件32分离的层,但当晶种层26是由类似或相同于各自上覆金属构件32的材料形成时,晶种层26可与金属构件32合并而在这些之间不具有可区分界面。在替代实施例中,可区分界面存在于晶种层26与上覆金属构件32之间。图7展示将装置裸片34放置在牺牲层24上方。装置裸片34可通过(若干)粘着层36粘着到牺牲层24。在一个实施例中,粘着层36可为胶带或裸片附着膜(DAF),或替代地可为经由旋涂工艺或类似物涂敷到牺牲层24的胶液或环氧树脂。装置裸片34的应用不限于单裸片的应用,这是因为本揭露可包含本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体装置,其包括:底部封装,其包含:模塑料;贯穿通路,其穿透所述模塑料;裸片,其模制在所述模塑料中;以及导体,其在所述贯穿通路上;其中在所述导体与所述贯穿通路之间的接触表面积大体上等于所述贯穿通路的横截面积。
【技术特征摘要】
2016.10.13 US 62/407,744;2017.03.13 US 15/457,2991.一种半...
【专利技术属性】
技术研发人员:林俊成,施应庆,王卜,余振华,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。