一种高集成度的功率MOSFET逆变模块制造技术

本发明专利技术一种高集成度的功率MOSFET逆变模块，应用于小功率逆变领域，其特征在于，所述逆变模块包括陶瓷覆铜板和MOSFET芯片，所述陶瓷覆铜板与所述MOSFET芯片通过金属丝相连接，所述陶瓷覆铜板连接有若干金属端子，所述陶瓷覆铜板、所述MOSFET芯片和所述金属端子使用封装材料进行灌封；有益效果：采用集成MOSFET模块提高设计可提高产品的集成度，使定位安装更加便捷；使芯片排列更致密，减少了占用面积；通过内部电路设计，减少了引出端子数量，使电路更加简洁；采用陶瓷覆铜板作为导热材料，提高了产品的蓄热能力，使工作时温度上升曲线更平滑，提高产品稳定性；模块内部采用陶瓷作为绝缘层，使产品成为绝缘型产品，杜绝了分立器件产品不绝缘引起的安全风险。

【技术实现步骤摘要】
一种高集成度的功率MOSFET逆变模块
本专利技术涉及小功率逆变领域，尤其涉及一种高集成度的功率MOSFET逆变模块。
技术介绍
小功率三相逆变领域常常采用MOSFET分立器件实现电路结构，采用6只MOSFET分立器件，由于器件数量较多，且单个MOSFET分立器件有3只引脚，实现一个逆变电路将会有18只引脚，在实际电路设计中需要预留足够的空间放置分立器件；且每个MOSFET分立器件在应用中有散热需求，每个MOSFET分立器件均需要进行固定，引起装配上的不便。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术一种高集成度的功率MOSFET逆变模块，应用于小功率逆变领域，其特征在于，所述逆变模块包括陶瓷覆铜板和MOSFET芯片，所述陶瓷覆铜板与所述MOSFET芯片通过金属丝相连接，所述陶瓷覆铜板连接有若干金属端子，所述陶瓷覆铜板、所述MOSFET芯片和所述金属端子使用封装材料进行灌封。其中，所述陶瓷覆铜板包括：第一铜层，固定于所述逆变模块底部；陶瓷层，设置于所述第一铜层上方；第二铜层，设置于所述陶瓷层上方。其中，所述第二铜层上设置有电路衬底。其中，所述陶瓷覆铜板采用高温烧结的方法组装。其中，所述封装材料为塑料。其中，所述金属丝为铝丝。其中，所述金属丝通过超声键合技术进行连接。其中，所述逆变模块的电路功能由所述第二铜层上的所述电路衬底、所述MOSFET芯片的位置和所述金属丝走线实现。其中，所述金属端子数量为15。其中，所述塑封时预留2个定位孔。有益效果：采用集成MOSFET模块可提高产品的集成度，使定位安装更加便捷；使芯片排列更致密，减少了占用面积。附图说明图1本专利技术模块成品示意图；图2本专利技术模块结构示意图；图3本专利技术模块内部结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面结合附图1、2、3和具体实施例对本专利技术作进一步说明，但不作为本专利技术的限定。一种高集成度的功率MOSFET逆变模块，应用于小功率逆变领域，其特征在于，所述逆变模块包括陶瓷覆铜板1和MOSFET芯片2，所述陶瓷覆铜板1与所述MOSFET芯片2通过铝丝3相连接，所述陶瓷覆铜板1连接有15个金属端子4，所述陶瓷覆铜板1、所述MOSFET芯片2和所述金属端子4使用塑封料5进行灌封。上述技术方案中，采用集成MOSFET模块可提高产品的集成度，使定位安装更加便捷；使芯片排列更致密，减少了占用面积。采用陶瓷覆铜板作为导热材料，提高了产品的蓄热能力，使工作时的温度上升曲线更加平滑，有效提高产品稳定性。在一个较佳的实施例中，如图2所示，所述逆变模块的陶瓷覆铜板由铜层6、陶瓷层7、铜层8采用高温烧结技术进行连接。上述技术方案中，在陶瓷覆铜板中使用陶瓷作为绝缘层，使产品成为绝缘型产品，杜绝了分立器产品不绝缘引起的安全风险。在铜层8上采用例如刻蚀技术制成电路衬底。使用焊料9将MOSFET芯片2固定在铜层8上。随后，采用例如超声键合技术，采用例如铝丝3作为连接线，将MOSFET芯片2正面与铜层8上的设计位置相连接。上述技术方案中，采用集成MOSFET模块设计，使芯片排列更致密，减少了占用空间。在一个较佳的实施例中，连接完毕的装置通过铜层8的形状、MOSFET芯片2的位置和铝丝3的走线实现三相逆变电路，并通过15个金属端子4将对应电性能输入输出端口引出。上述技术方案中，通过内部电路设计，减少了引出端子的数量，使电路更加简洁。内部结构连接完毕后，采用例如塑封料5对整个结构进行封装，露出一部分金属端子4，并在外部形成两个螺丝固定孔10。上述技术方案中，提高了产品的集成度，使定位安装时更加方便快捷。以上所述仅为本专利技术较佳的实施例，并非因此限制本专利技术的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本专利技术说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本专利技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高集成度的功率MOSFET逆变模块，应用于小功率逆变领域，其特征在于，所述逆变模块包括陶瓷覆铜板和MOSFET芯片，所述陶瓷覆铜板与所述MOSFET芯片通过金属丝相连接，所述陶瓷覆铜板连接有若干金属端子，所述陶瓷覆铜板、所述MOSFET芯片和所述金属端子使用封装材料进行灌封。

【技术特征摘要】
1.一种高集成度的功率MOSFET逆变模块，应用于小功率逆变领域，其特征在于，所述逆变模块包括陶瓷覆铜板和MOSFET芯片，所述陶瓷覆铜板与所述MOSFET芯片通过金属丝相连接，所述陶瓷覆铜板连接有若干金属端子，所述陶瓷覆铜板、所述MOSFET芯片和所述金属端子使用封装材料进行灌封。2.如权利要求1所述逆变模块，其特征在于，所述陶瓷覆铜板包括：第一铜层，固定于所述逆变模块底部；陶瓷层，设置于所述第一铜层上方；第二铜层，设置于所述陶瓷层上方。3.如权利要求2所述逆变模块，其特征在于，所述第二铜层上设置有电路衬底。4.如权利要求2所述逆...

【专利技术属性】
技术研发人员：车湖深，李彦莹，于今，
申请(专利权)人：中航重庆微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆,50