一种QFN封装结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种QFN封装结构，包括位于所述封装结构底侧且裸露的芯片座，芯片座顶面设置有芯片，芯片座四周设置有若干引脚，所述若干引脚在所述封装结构的底侧和侧面裸露；所述芯片的外接端子通过金属导线连接到相对应的引脚；塑封体将所述芯片、引脚和金属导线密封；还包括：从所述封装结构的底面沿着所述封装结构的侧面，由下而上切削而成的凹槽，所述凹槽的深度大于等于在侧面裸露的所述引脚的厚度，且小于所述封装结构的侧面的厚度。在焊接该QFN封装结构时，如果锡过量，多余的锡会被引导到该槽中，因此，就不会增加QFN封装在PCB板上所占据的面积，提高焊接质量。

【技术实现步骤摘要】
一种QFN封装结构及其制造方法
本专利技术涉及电子设备
，尤其涉及一种QFN封装结构及其制造方法。
技术介绍
QFN(QuadFlatNon-Leaded，无引线四方扁平)封装为一种呈矩形的无引脚封装，由于没有鸥翼状引线，且内部芯片的外接端子与引脚之间的导电路径短，使得其自感系数和内布线电阻很低，具有卓越的电性能；在电子工业中获得了大规模的应用。如图1A、图1B所示，QFN封装包括芯片座11，在芯片座11的上部通过贴片材料12固定有芯片13，芯片13的外接端子通过金属导线14连接到位于QFN封装底部四周的引脚15。为了保护芯片11和金属导线14等免受侵蚀氧化等，需要使用塑封体16封装，仅将引脚15和芯片座11裸露，且为了方便焊接，引脚15通常会从QFN封装的侧面裸露出一部分，与QFN封装侧面的塑封体16构成一个平滑的面；其中，引脚15用于电气连接(例如，与印刷电路板电连接)，芯片座11用于加速散发芯片在运行时所产生的热量。在实际应用中，会将引脚15和芯片座11焊锡到PCB(PrintedCircuitBoard，印刷电路板)板2，图1A展示了正常情况下，QFN封装的焊接结构，由于去除了鸥翼状引线，就能减少QFN封装所占据的面积，进而提高PCB板上的电子元件的密度，减少PCB板的面积；而在实际中，由于各种原因，锡3有可能过量，如图1B所示，由于爬锡现象的存在，引脚15在侧面裸露的部分会沾有一个部分锡3，为了减少与其他电子元件发生干涉短路的危险，需要加大该QFN封装与其他电子元件的距离，从而增加了QFN封装所占据的面积，降低了PCB板上的电子元件的密度，增大了PCB板的面积。因此，设计一种方便焊接、减少在PCB板上所占据的面积的QFN封装结构，成为一个亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种QFN封装结构及其制造方法。为了实现上述专利技术目的之一，本专利技术一实施方式提供了一种QFN封装结构，包括位于所述封装结构底侧芯片座，芯片座顶面设置有芯片，芯片座四周设置有若干引脚，所述若干引脚在所述封装结构的底侧和侧面裸露；所述芯片的外接端子通过金属导线连接到相对应的引脚；塑封体将所述芯片、引脚和金属导线密封；还包括：从所述封装结构的底面沿着所述封装结构的侧面，由下而上切削而成的凹槽，所述凹槽的深度大于等于在侧面裸露的所述引脚的厚度，且小于所述封装结构的侧面的厚度。作为本专利技术实施方式的进一步改进，所述凹槽的深度大于等于在侧面裸露的所述引脚的厚度，包括：所述凹槽的深度大于在侧面裸露的所述引脚的厚度。作为本专利技术实施方式的进一步改进，所述芯片座的底侧和若干引脚的表面涂有焊料镀层或金属镀层。本专利技术一实施方式提供了一种用于指纹识别的QFN封装结构，包括位于所述封装结构底侧芯片座，芯片座顶面设置有指纹芯片，芯片座四周设置有若干引脚，所述若干引脚在所述封装结构的底侧和侧面裸露；所述指纹芯片的外接端子通过金属导线连接到相对应的引脚；塑封体将所述指纹芯片、引脚和金属导线密封；还包括：从所述封装结构的底面沿着所述封装结构的侧面，由下而上切削而成的凹槽，所述凹槽的深度大于等于在侧面裸露的所述引脚的厚度，且小于所述封装结构的侧面的厚度。作为本专利技术实施方式的进一步改进，所述凹槽的深度大于等于在侧面裸露的所述引脚的厚度，包括：所述凹槽的深度大于在侧面裸露的所述引脚的厚度。本专利技术一实施方式提供了一种智能手机，所述智能手机包含上述的用于指纹识别的QFN封装结构。本专利技术一实施方式提供了一种QFN封装结构的制造方法，包括以下步骤：准备引线框架，所述引线框架具有排列成矩阵状的若干芯片座在芯片座顶面设置芯片，芯片座四周设置有若干引脚和将所述若干引脚彼此连结的切割道，所述芯片的外接端子通过金属导线连接到相对应的引脚；至少将所述引线框架、芯片、若干引脚进行塑封而形成被切割物，所述若干引脚、芯片座和切割道在所述被切割物的底侧裸露；在所述被切割物的底面沿着所述切割道进行切割，形成切割槽，切割深度大于等于所述引脚的厚度且小于所述被切割物的厚度，切割宽度为第一宽度值；在所述被切割物的顶面沿着所述切割槽进行切割，将被切割物单片化为若干QFN封装结构，切割宽度为第二宽度值，且第一宽度值大于第二宽度值。作为本专利技术实施方式的进一步改进，所述在所述被切割物的底面沿着所述切割道进行切割，包括：使用砂轮在所述被切割物的底面沿着所述切割道进行切割。作为本专利技术实施方式的进一步改进，所述在所述被切割物的顶面沿着所述切割槽进行切割，包括：使用激光在所述被切割物的顶面沿着所述切割槽进行切割。作为本专利技术实施方式的进一步改进，所述在所述被切割物的顶面沿着所述切割槽进行切割，包括：使用检测设备对尚未单片化的QFN封装结构进行检测，之后在所述被切割物的顶面沿着所述切割槽进行切割。相对于现有技术，本专利技术的技术效果在于：在该QFN封装结构中，凹面形成于引脚在厚度方向上的全部，即凹面的厚度大于等于引脚的厚度；在焊接时，如果锡过量，会有部分锡沾到引脚在侧面所裸露的部分，该凹面形成了一个可以收纳部分锡的槽，由于爬锡现象，多余的锡会被引导到该槽中，因此，就不会增加QFN封装在PCB板上所占据的面积，也不会与其他芯片和/或线路等产生干涉、短路等的可能性，从而极大的提高焊接质量。附图说明图1A是现有技术中QFN封装结构焊接时锡适量时的示意图；图1B是现有技术中QFN封装结构焊接时锡过量时的示意图；图2A是本专利技术实施例一中的QFN封装结构焊接时锡适量时的示意图；图2B是本专利技术实施例一中的QFN封装结构焊接时锡过量时的示意图；图3A是本专利技术实施例一中的QFN封装结构的仰视图；图3B是本专利技术实施例一中的QFN封装结构的正视图；图4A是现有技术中的QFN封装结构焊接时锡过量时的局部示意图；图4B是本专利技术实施例一中的QFN封装结构焊接时锡过量时的局部示意图；图5是本专利技术实施例四中的引线框架的结构示意图；图6A是本专利技术实施例四中的QFN封装结构的第一切割示意图；图6B是本专利技术实施例四中的QFN封装结构的第二切割示意图；图6C是本专利技术实施例四中的QFN封装结构的第三切割示意图。具体实施方式以下将结合附图所示的各实施方式对本专利技术进行详细描述。但这些实施方式并不限制本专利技术，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本专利技术的保护范围内。本文使用的例如“上”、“上方”、“下”、“下方”等表示空间相对位置的术语是出于便于说明的目的来描述如附图中所示的一个单元或特征相对于另一个单元或特征的关系。空间相对位置的术语可以旨在包括设备在使用或工作中除了图中所示方位以外的不同方位。例如，如果将图中的设备翻转，则被描述为位于其他单元或特征“下方”或“之下”的单元将位于其他单元或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”可以囊括上方和下方这两种方位。设备可以以其他方式被定向(旋转90度或其他朝向)，并相应地解释本文使用的与空间相关的描述语。本专利技术实施例一提供了一种QFN封装结构1，如图2A、2B所示，包括位于所述封装结构底侧芯片13座11，芯片13座11顶面设置有芯片13，芯片13座11四周设置有若干引脚15，所述若干引脚15在所述封装结构的底侧和侧面裸露；所述芯片13的外接端子通过金属导线14连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种QFN封装结构，包括位于所述封装结构底侧芯片座，芯片座顶面设置有芯片，芯片座四周设置有若干引脚，所述若干引脚在所述封装结构的底侧和侧面裸露；所述芯片的外接端子通过金属导线连接到相对应的引脚；塑封体将所述芯片、引脚和金属导线密封；其特征在于，还包括：从所述封装结构的底面沿着所述封装结构的侧面，由下而上切削而成的凹槽，所述凹槽的深度大于等于在侧面裸露的所述引脚的厚度，且小于所述封装结构的侧面的厚度。

【技术特征摘要】
1.一种QFN封装结构，包括位于所述封装结构底侧芯片座，芯片座顶面设置有芯片，芯片座四周设置有若干引脚，所述若干引脚在所述封装结构的底侧和侧面裸露；所述芯片的外接端子通过金属导线连接到相对应的引脚；塑封体将所述芯片、引脚和金属导线密封；其特征在于，还包括：从所述封装结构的底面沿着所述封装结构的侧面，由下而上切削而成的凹槽，所述凹槽的深度大于等于在侧面裸露的所述引脚的厚度，且小于所述封装结构的侧面的厚度。2.根据权利要求1所述的QFN封装结构，其特征在于，所述凹槽的深度大于等于在侧面裸露的所述引脚的厚度，包括：所述凹槽的深度大于在侧面裸露的所述引脚的厚度。3.根据权利要求1所述的QFN封装结构，其特征在于：所述芯片座的底侧和若干引脚的表面涂有焊料镀层或金属镀层。4.一种用于指纹识别的QFN封装结构，包括位于所述封装结构底侧芯片座，芯片座顶面设置有指纹芯片，芯片座四周设置有若干引脚，所述若干引脚在所述封装结构的底侧和侧面裸露；所述指纹芯片的外接端子通过金属导线连接到相对应的引脚；塑封体将所述指纹芯片、引脚和金属导线密封；其特征在于，还包括：从所述封装结构的底面沿着所述封装结构的侧面，由下而上切削而成的凹槽，所述凹槽的深度大于等于在侧面裸露的所述引脚的厚度，且小于所述封装结构的侧面的厚度。5.根据权利要求4所述用于指纹识别的QFN封装结构，其特征在于，所述凹槽的深度大于等于在侧面裸露的所述引脚的厚度，包括：所述凹槽的深度大于在侧面裸露的所述引脚的厚度。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：李扬渊，
申请(专利权)人：苏州迈瑞微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32