改善超薄铝铜薄膜表面粗糙度的方法技术
【技术实现步骤摘要】
改善超薄铝铜薄膜表面粗糙度的方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是指一种改善超薄铝铜薄膜表面粗糙度的方法。
技术介绍
随着半导体技术不断进步，器件尺寸的不断缩小，用于实现层间互连的金属导线的厚度也是不断减薄，这就对金属表面的平整度有了更高的要求。因为金属厚度变薄后，局部的高低起伏就会导致金属形貌高低不平，严重影响产品的性能。常规的工艺制程采用PVD法沉积Ti作为衬垫层，以及TiN，在270℃、10600W的功率下沉积AlCu。其一般工艺包含：通过物理汽相淀积PVD淀积一层厚度约为50～300Å的钛，然后再PVD法淀积一层厚度100～300Å的氮化钛，在270℃、10600W的功率下淀积铝铜1000Å，再用PVD法淀积一层厚度100～300Å的氮化钛。由于生长的薄膜太薄，导致表面不平坦。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种改善超薄铝铜薄膜表面粗糙度的方法。为解决上述问题，本专利技术所述的一种改善超薄铝铜薄膜粗糙度的方法，包含如下的工艺步骤：第一步，通过离子化的金属等离子体物理汽相淀积法淀积一层金属钛。第二步，通过物理汽相淀积法再淀积一层氮化钛。第三步，进行破真空操作。第四步，在工艺温度50～150℃、5000～7000W功率下淀积铝铜。第五步，物理汽相淀积法淀积氮化钛。所述第一步中，淀积的金属钛的厚度为50～300Å。述第二步中，淀积的氮化钛的厚度为100～300Å。所述第三步中，破真空是指将工艺腔的真空环境解除，与大气相通，恢复常温常压状态。所述第四步中，淀积的铝铜厚度为500～2000Å。所述第五步中，淀积的氮化钛的厚度为100～30...
【技术保护点】
一种改善超薄铝铜薄膜表面粗糙度的方法，其特征在于：包含如下的工艺步骤：第一步，通过离子化的金属等离子体物理汽相淀积法淀积一层金属钛；第二步，通过物理汽相淀积法再淀积一层氮化钛；第三步，进行破真空操作；第四步，在工艺温度50～150℃、5000～7000W功率下淀积铝铜；第五步，物理汽相淀积法淀积氮化钛。
【技术特征摘要】
1.一种改善超薄铝铜薄膜表面粗糙度的方法，其特征在于：包含如下的工艺步骤：第一步，通过离子化的金属等离子体物理汽相淀积法淀积一层金属钛；第二步，通过物理汽相淀积法再淀积一层氮化钛；第三步，进行破真空操作；第四步，在工艺温度50～150℃、5000～7000W功率下淀积铝铜；第五步，物理汽相淀积法淀积氮化钛。2.如权利要求1所述的改善超薄铝铜薄膜表面粗糙度的方法，其特征在于：所述第一步中，淀积的金属钛的厚度为50～300Å。3.如权利要求1所述的改善超薄铝铜薄膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵波，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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