【技术实现步骤摘要】
一种半导体芯片的清洗方法
本专利技术涉及半导体工艺领域，尤其涉及一种半导体芯片的清洗方法。
技术介绍
由于科技的日新月异，半导体芯片已愈朝微小化加以发展，而芯片多半是具有不同的功效的电子组件，这些电子组件通常是使用焊锡加以焊接在设有电子回路的基板上，这样可使电子组件正常的运作，然而由于电子组件的微小化，芯片生产过程中产生的杂质会严重影响芯片的质量。因此，去除芯片生产过程中的杂质就是十分必要的。
技术实现思路
本专利技术针对上述问题，提出一种半导体芯片的清洗方法，能够有效彻底清洗芯片表面的杂质，提高了芯片的质量，提高了成品率。本专利技术提供了一种半导体芯片的清洗方法，包括以下步骤：将所述待清洗的芯片置放于有机溶剂中进行有机溶剂清洗，以去除杂质，所述有机溶剂清洗过程中，加载有超声波；对芯片进行热处理，以使有机溶剂残留物挥发；热处理后冷却；加水至沸腾，水蒸汽上升，在接触到冷状态下的需要被清洗的组件时，蒸汽冷凝在组件表面，凝结成液态下滑的同时带下组件表面的污染物和残留物，落回到加热槽，之后水再被加热气化上升与冷组件进行接触变成液体滴下，以此循环直至芯片清洗干净为止。进一步的，还包括对芯片进行干燥处理。进一步的，所述有机溶剂是胺碱。进一步的，有机溶剂清洗过程中，有机溶剂的温度范围为50℃～80℃。进一步的，有机溶剂清洗过程中，待清洗的芯片在有机溶剂中清洗时间为5-30分钟。本专利技术提供的一种半导体芯片的清洗方法，方法简单易行，能够有效彻底清洗芯片表面的杂质，提高了芯片的质量，提高了成品率，大大的降低了生产成本。具体实施方式为使本专利技术解决的技术问题、采用的技术方案和...
【技术保护点】
一种半导体芯片清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：将所述待清洗的芯片置放于有机溶剂中进行有机溶剂清洗，以去除杂质，所述有机溶剂清洗过程中，加载有超声波；对芯片进行热处理，以使有机溶剂残留物挥发；热处理后冷却；加水至沸腾，水蒸汽上升，在接触到冷状态下的需要被清洗的组件时，蒸汽冷凝在组件表面，凝结成液态下滑的同时带下组件表面的污染物和残留物，落回到加热槽，之后水再被加热气化上升与冷组件进行接触变成液体滴下，以此循环直至芯片清洗干净为止。
【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：将所述待清洗的芯片置放于有机溶剂中进行有机溶剂清洗，以去除杂质，所述有机溶剂清洗过程中，加载有超声波；对芯片进行热处理，以使有机溶剂残留物挥发；热处理后冷却；加水至沸腾，水蒸汽上升，在接触到冷状态下的需要被清洗的组件时，蒸汽冷凝在组件表面，凝结成液态下滑的同时带下组件表面的污染物和残留物，落回到加热槽，之后水再被加热气化上升与冷组件进行接触变成液体滴下，以此循环直...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙兴宁，
申请(专利权)人：奕铭大连科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁,21
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。