电子装置及其驱动方法制造方法及图纸

技术编号:17779272 阅读:38 留言:0更新日期:2018-04-22 07:33
本发明专利技术提出了一种电子装置及其驱动方法,其包括一第一扫描线、一第二扫描线、一第一数据线、一感测线、一第一晶体管、一像素、一第二晶体管、一充放电装置。第一晶体管连接至该第一扫描线及该第一数据线。像素具有一像素电极连接至该第一晶体管。第二晶体管连接至该第一扫描线、像素的一共同电极及感测线。充放电装置耦合至该第二晶体管、第二扫描线及感测线。当该第一扫描线为高电位时,该充放电装置被充电,当该第二扫描线为高电位时,该感测线感测该充放电装置的电流,以判断是否有一外物的触碰或接近。

【技术实现步骤摘要】
电子装置及其驱动方法
本专利技术涉及触控检测的
,特别是指一种利用电荷分享以进行触控检测的电子装置。
技术介绍
触控面板的技术原理是当手指或其他介质接触到屏幕时,依据不同感应方式,以检测电压、电流、声波或红外线等,进而测出触压点的坐标位置。例如电阻式触控面板即为利用上、下电极间的电位差,用以计算施压点位置来检测出触控点所在。电容式触控面板是利用排列的透明电极与人体之间的静电结合所产生的电容变化,从所产生的电流或电压来检测其坐标。依据电容触控技术原理而言,其可分为表面式电容触控感测(SurfaceCapacitive)及投射式电容触控感测(ProjectedCapacitive)这两种技术。表面式电容触控感测技术架构虽构造简单,但不易实现多点触控以及较难克服电磁干扰(ElectromagneticInterference,EMI)及噪讯的问题,使得现今大多朝向投射电容式触控感测技术发展。投射式电容触控感测(ProjectedCapacitive)技术又可分为自感电容型(Selfcapacitance)及互感电容型(Mutualcapacitance)。自感电容型是指触控物与导体线间产生电容耦合,并量测导体线的电容变化,用以确定触碰发生。而互感电容型则是当触碰发生,会在邻近两层导体线间产生电容耦合现象。内嵌式(InCell)制作方法能使得显示器厚度轻薄化,而成为现今中小尺寸的触控显示器产品的主流技术。若要将现有的触控技术扩展至大尺寸触控面板,会因为尺寸增大而增加电阻电容迟延(RCDelay),于显示面板驱动时造成杂讯干扰,影响触控效果。因此,现有触碰检测技术实仍有改善的空间。
技术实现思路
本专利技术的目的主要是在提供一电子装置,其中,该电子装置利用电荷分享,以检测是否有一外物的触碰或接近。依据本专利技术的一特色,本专利技术提出一种电子装置,其包括一第一扫描线、一第二扫描线、一第一数据线、一感测线、一第一晶体管、一像素、一第二晶体管、一充放电装置。该第一晶体管连接至该第一扫描线及该第一数据线。该像素具有一像素电极连接至该第一晶体管。该第二晶体管连接至该第一扫描线、该像素的一共同电极及该感测线。该充放电装置耦合至该第二晶体管、该第二扫描线及该感测线;其中,当该第一扫描线为高电位时,该充放电装置被充电,当该第二扫描线为高电位时,该感测线感测该充放电装置的电流,以判断是否有一外物的触碰或接近。依据本专利技术的另一特色,本专利技术提出一种电子装置的驱动方法,该电子装置具有一第一扫描线、一第二扫描线、一第一数据线、一感测线及一充放电装置,该充放电装置耦合至该该第二扫描线、该第一数据线及该感测线,该驱动方法于一第一时间间隔,驱动该第一扫描线为高电位,以使该充放电装置被充电;以及于一第二时间间隔,驱动该第二扫描线为高电位,以使该感测线感测该充放电装置的电流,据以判断是否有一外物的触碰或接近。附图说明图1为示意地显示本专利技术的电子装置的示意图。图2为本专利技术电子装置的运作示意图。图3为本专利技术电子装置的电路图。图4及图5为图3的电子装置的运作示意图。图6、图7及图8为图3的电子装置的模拟示意图。图9为本专利技术在不同电容值下是否有外物的触碰或接近的模拟示意图。图10为本专利技术电子装置的另一电路图。图11及图12为图10的电子装置的模拟示意图。图13为本专利技术在有触碰及没有触碰时感测线所感测的电流的模拟示意图。图14为本专利技术一种电子装置的驱动方法的流程图。图15为本专利技术一种电子装置的使用示意图。符号说明:电子装置100第一扫描线110第二扫描线120第一数据线130感测线140第一晶体管M1像素150第二晶体管M2充放电装置160第三晶体管M3第四晶体管M4第五晶体管M5直流阻隔电容170栅极g漏极d源极s像素电极151共同电极153第一端161第二端163运算放大器190等效电容180手持装置1500显示萤幕1510区域1511。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术,并不用于限定本专利技术。图1为示意地显示本专利技术的电子装置100的示意图。该电子装置100包括一第一扫描线110、一第二扫描线120、一第一数据线130、一感测线140、一第一晶体管M1、一像素150、一第二晶体管M2及一充放电装置160。在本专利技术的一实施例中,电子装置100可以是触控显示面板。第一晶体管M1连接至该第一扫描线110及该第一数据线130。该像素150具有一像素电极151连接至该第一晶体管M1。该第二晶体管M2连接至该第一扫描线110、该像素150的一共同电极(commonelectrode)153及该感测线140。该充放电装置160耦合至该第二晶体管M2、该第二扫描线120及该感测线140。其中,当该第一扫描线110为高电位时,该充放电装置160被充电,当该第二扫描线120为高电位时,该感测线140感测该充放电装置160的电流,以判断是否有一外物的触碰或接近。该感测线140连接至一运算放大器190,以将该充放电装置160的电流转换成一触碰感测电压,从而供后续触碰检测使用。图2为本专利技术电子装置100的运作示意图。如图2所示,外物的触碰或接近该电子装置100时产生一电容效应,亦即有一因外物的触碰或接近所生成的等效电容180会与该充放电装置160并联。该效电容180并非实际的电容,其为模拟外物的触碰或接近该电子装置100时所产生的电容效应。该充放电装置160与外物的触碰或接近所生成的等效电容180产生一电荷分享效应。由于电荷分享效应,因此,当有外物的触碰或接近时,该感测线140感测该充放电装置160的电流小于没有该外物的触碰或接近时的该充放电装置160的电流。由此,即可检测是否有外物的触碰或接近。于图2中,其所绘示并非实际元件的尺寸,其仅是为了说明电子装置100的运作。图3为本专利技术电子装置100的电路图。如图3所示,该电子装置100包含一第一扫描线110、一第二扫描线120、一第一数据线130、一感测线140、一第一晶体管M1、一像素150、一第二晶体管M2、一充放电装置160、一第三晶体管M3、一第四晶体管M4、一第五晶体管M5、及一直流阻隔电容170。该第一至第五晶体管M1~M5可为低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon,LTPS)晶体管、氧化铟镓锌(IndiumGalliumZincOxide,IGZO)晶体管、或非晶硅(a-Si)晶体管。该第一晶体管M1的栅极g连接至该第一扫描线110,其漏极d连接至该第一数据线130,其源极s连接至该像素150的该像素电极151。该第二晶体管M2的栅极g连接至该第一扫描线110,其漏极d连接至该感测线140,其源极s连接至该像素的该共同电极153,该充放电装置160为一电容。该第三晶体管M3的栅极g及漏极d连接至该第一扫描线110,其源极s连接至该充放电装置160的一第一端161。该第四晶体管M4的栅极g连接至该第二扫描线120,其漏极d连接至该像素150的该共同电极153,其源极s连接至该充放电装置160的该第一端161。该第五晶体管M5的栅极g连接至该充放电装置160的该第一端16本文档来自技高网
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电子装置及其驱动方法

【技术保护点】
一种电子装置,包括:一第一扫描线、及一第二扫描线;一第一数据线;一感测线;一第一晶体管,连接至该第一扫描线及该第一数据线;一像素,具有一像素电极连接至该第一晶体管;一第二晶体管,连接至该第一扫描线、该像素的一共同电极及该感测线;以及一充放电装置,耦合至该第二晶体管、该第二扫描线及该感测线;其中,当该第一扫描线为高电位时,该充放电装置被充电,当该第二扫描线为高电位时,该感测线感测该充放电装置的电流,以判断是否有一外物的触碰或接近。

【技术特征摘要】
1.一种电子装置,包括:一第一扫描线、及一第二扫描线;一第一数据线;一感测线;一第一晶体管,连接至该第一扫描线及该第一数据线;一像素,具有一像素电极连接至该第一晶体管;一第二晶体管,连接至该第一扫描线、该像素的一共同电极及该感测线;以及一充放电装置,耦合至该第二晶体管、该第二扫描线及该感测线;其中,当该第一扫描线为高电位时,该充放电装置被充电,当该第二扫描线为高电位时,该感测线感测该充放电装置的电流,以判断是否有一外物的触碰或接近。2.根据权利要求1所述的电子装置,其中,该外物的触碰或接近产生一电容效应,该充放电装置与该外物的触碰或接近所生成的等效电容产生一电荷分享效应。3.根据权利要求2所述的电子装置,其中,当有该外物的触碰或接近时,该感测线感测该充放电装置的电流小于没有该外物的触碰或接近时的该充放电装置的电流。4.根据权利要求3所述的电子装置,其中,该第一晶体管的栅极连接至该第一扫描线,其漏极连接至该第一数据线,其源极连接至该像素的该像素电极,该第二晶体管的栅极连接至该第一扫描线,其漏极连接至该感测线,其源极连接至该像素的该共同电极,该充放电装置为一电容。5.根据权利要求4所述的电子装置,其更包含:一第三晶体管,其栅极及漏极连接至该第一扫描线,其源极连接至该充放电装置的一第一端;一第四晶体管,其栅极连接至该第二扫描线,其漏极连接至该像素的该共同电极,其源极连接至该充放电装置的该第一端;一第五晶体管,其栅极连接至该充放电装置的该第一端,其漏极连接至该感测线,其源极连接至该充放电装置的一第二端;以及一直流阻隔电容,其第一端连接至该充放电装置的该第二端,其一第二端连接至该第二扫描线。6.根据权利要求5所述的电子装置,其中,当该第一扫描线为高电位时,该第一晶体管、该第二晶体管、及该第三晶体管导通,该第一数据线上的电压对该充放电装置充电,该感测线上的电压通过该第二晶体管而传递至该共同电极。7.根据权利要求6所述的电子装置,其中,当该第二扫描线为高电位时,该第一晶体管、该第二晶体管、及该第三晶体管关闭,该第四晶体管及该第五...

【专利技术属性】
技术研发人员:戴亚翔张君毅邱韦嘉萧培宏
申请(专利权)人:敦泰电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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