互电容触膜屏功能片及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种互电容触膜屏功能片，包括：包括基底膜；设置于基底膜上的驱动线层；设置于驱动线层上的隔离层；设置于隔离层上的感应线层；设置于感应线层上的保护胶层；和导线；所述导线部分与所述驱动线层的驱动线连接并引出，部分与所述感应线层的感应线连接并引出。

【技术实现步骤摘要】
互电容触膜屏功能片及其制备方法
本专利技术大致涉及一种超薄触膜屏及其制备方法，属于触摸屏制作领域。
技术介绍
电容触摸屏利用人体的电流感进行工作，当手指触摸在金属层上时，由于人体电场，用户和触摸屏表面形成以一个耦合电容，对于高频电流来说，电容是直接导体，会影响电路整体电容特性。电容屏的种类按感应电容的方式分类，可分为表面电容式和投射电容式，投射式电容触摸屏根据扫描的方式可分为自电容和互电容。自电容扫描X/Y电极与地构成的电容，互电容扫描X/Y电极之间的电容。现有的投射式电容屏需要一个或多个被蚀刻的ITO层，ITO层通过蚀刻形成多个水平和垂直电极，由一个电容式感应芯片来驱动。该芯片即能将数据传送到主处理器，也能自己处理触点的XY轴位置。当水平和垂直电极都通过单端感应方法来驱动，即一行和一列的驱动电路相同，称为“单端”感应，即为自电容。当一根轴通过一套AC信号来驱动，而穿过触摸屏的响应则通过其它轴上的电极感测出。这种方式称为“横穿式”感应，因为电场足以横穿的方式通过上层面板的电介层从一个电级组(如行)传递到另一个电极组(如列)，则为互电容。互电容触摸屏相对于自电容触膜屏无需校准，且避免了“鬼点”效应，可以实现真正的多点触摸。同时，互电容触摸屏不受温度、湿度、手指湿润程度、人体体重、地面干燥程度影响，不会产生“漂移”现象。互电容触摸屏功能片的横向电极和纵向电极均由ITO制作而成，一般最优质和常见的有三种：1、单层双面ITO结构的PET膜，即PET作为基底膜，两面各设有一层ITO，两面的ITO分别制作成横向电极(X电极)和纵向电极(Y电极)；2、单层单面ITO结构的PET膜，一般将ITO蚀刻为菱形或三角形，通过特殊的结构把X和Y电极在每个节点上分隔开，如用MEMS技术将节点处类似立交桥架起来；3、使用双层单面ITO结构的PET，PET与PET之间需用OCA粘连。这样，互电容触摸屏功能片扫摸的就是节点电容，而不是电极电容了。互电容触摸屏功能片主要有三种制作方案:一、采用单层双面ITO结构的PET膜，正反两面ITO都需加工；由于ITO的不耐弯折性，以及PET膜材很薄，且正反面ITO需要经过两次单独的加工，工序繁杂，因而ITO折伤不良很高，良品率低；同时由于有两层ITO，成品使用过程中很容易由于弯折导致功能不良。二、单层单面ITO结构的PET加金属搭桥；由于金属搭桥工艺精度要求高，在PET上制作困难且不耐弯折，同时金属搭桥结构划线体验效果差，做成成品时可看到里面的金属亮点。三、使用双层单面ITO结构的PET，PET与PET之间需用OCA粘连；由于使用双层PET，整体厚度偏厚，以目前最薄的50m厚度的单面ITO结构PET为例，使用双层PET，中间贴合一层50mOCA，整体厚度达到150m，是前两种方案厚度的3倍。申请号201080007319.7用于制造薄触摸传感器面板的方法中详细介绍了DITO结构的触摸屏功能片的制作方法，但他介绍的方案如果在材料的正反面加工ITO薄膜，工艺难度仍然很大。本申请的申请人无锡格菲电子薄膜科技有限公司申请的专利201611227656.2《一种互电容触摸屏功能片及其制备方法》也介绍了与本专利技术类似的方法，但工艺相对复杂，对材料要求更高，良率难以得到有效保证。本专利技术公开的技术正是在这项专利的基础上的进一步改进。
技术介绍
部分的内容仅仅是专利技术人所知晓的技术，并不当然代表本领域的现有技术。
技术实现思路
针对现有技术存在问题中的一个或多个，本专利技术提供一种加工容易且厚度更薄的互电容触摸屏功能片，由于本专利技术都在基底膜的同一面进行，降低了工艺难度，而且驱动层和感应层导线可以同时作业，也简化工艺流程。本专利技术的另一目的是提供上述互电容触摸屏功能片的制备方法，该方法制作工艺简单，工艺流程少，成品划线效果与双层单面ITO结构效果相当的情况下，但厚度只有其1/3。一种互电容触膜屏功能片，包括：包括基底膜；设置于基底膜上的驱动线层；设置于驱动线层上的隔离层；设置于隔离层上的感应线层；设置于感应线层上的保护胶层；和导线；所述导线部分与所述驱动线层的驱动线连接并引出，部分与所述感应线层的感应线连接并引出。根据本专利技术的一个方面，所述基底膜为透明基底膜。根据本专利技术的一个方面，所述基底膜选自PET、PMMA、PVC、PC、PI、COP、COC等材料中的一种。根据本专利技术的一个方面，所述基底膜的厚度为10-200μm。例如：10μm、20μm、30μm、50μm、100μm、150μm、200μm，等。根据本专利技术的一个方面，所述驱动线层的驱动线为透明导线。根据本专利技术的一个方面，所述驱动线层选自ITO、纳米银、碳纳米管、石墨烯或金属网格等透明导电材料。根据本专利技术的一个方面，所述感应线层的感应线为透明导线。根据本专利技术的一个方面，所述感应线层选自ITO、纳米银、碳纳米管、石墨烯或金属网格等透明导电材料。根据本专利技术的一个方面，所述驱动线层由透明导电材料图案化而成。根据本专利技术的一个方面，所述感应线层由透明导电材料图案化而成。根据本专利技术的一个方面，所述感应线层的图案化采用以下三种方式之一，一、先在载体膜表面制作一层透明导电材料并图案化，然后将已经图案化的透明导电材料完好地转移至隔离层表面；二、先在隔离层表面制作整面的透明导材料，然后再图案化；三、将静电转移、溅镀、涂布、喷涂、印刷等工艺与黄光、酸碱蚀刻、蚀刻膏、激光等工艺结合，在隔离层直接制作成图案化的透明导电材料作为感应线层。根据本专利技术的一个方面，所述驱动线层的厚度为0.1-200nm。例如：0.1nm、0.3nm、0.35nm、0.5nm、0.6nm、0.8nm、1nm、2nm、5nm、7nm、10nm、15nm、20nm、50nm、60nm、80nm、100nm、120nm、150nm、170nm、190nm、200nm，等。根据本专利技术的一个方面，所述感应线层的厚度为0.1-200nm。例如：0.1nm、0.3nm、0.35nm、0.5nm、0.6nm、0.8nm、1nm、2nm、5nm、7nm、10nm、15nm、20nm、50nm、60nm、80nm、100nm、120nm、150nm、170nm、190nm、200nm，等。根据本专利技术的一个方面，所述隔离层的面积小于所述驱动线层，露出驱动线层的边缘。根据本专利技术的一个方面，所述导线设置在驱动线层和感应线层的边缘，部分导线与驱动线层的驱动线连接并引出与电容感应芯片连接，部分导线与感应线层的感应线连接并引出与电容感应芯片连接。根据本专利技术的一个方面，所述导线的厚度高于所述隔离层的厚度。根据本专利技术的一个方面，所述隔离层采用透明绝缘胶，优选选自OC、SiO2、SiN、丙烯酸树脂或环氧树脂等。根据本专利技术的一个方面，所述隔离层的厚度为30-10000nm。例如：30nm、50nm、65nm、90nm、100nm、200nm、300nm、500nm、600nm、700nm、1000nm、1300nm、1450nm、1500nm、1800nm、1900nm、2000nm、2400nm、2500nm、2850nm、3000nm、3500nm、4000nm、4500nm、4700nm、5000nm、5250nm、5500nm、6000nm、6500本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种互电容触膜屏功能片，包括：包括基底膜；设置于基底膜上的驱动线层；设置于驱动线层上的隔离层；设置于隔离层上的感应线层；设置于感应线层上的保护胶层；和导线；所述导线部分与所述驱动线层的驱动线连接并引出，部分与所述感应线层的感应线连接并引出。

【技术特征摘要】
1.一种互电容触膜屏功能片，包括：包括基底膜；设置于基底膜上的驱动线层；设置于驱动线层上的隔离层；设置于隔离层上的感应线层；设置于感应线层上的保护胶层；和导线；所述导线部分与所述驱动线层的驱动线连接并引出，部分与所述感应线层的感应线连接并引出。2.根据权利要求1所述的互电容触膜屏功能片，其特征在于，所述基底膜为透明基底膜，选自PET、PMMA、PVC、PC、PI、COP、COC等材料中的一种；和/或，所述基底膜的厚度为10-200μm。3.根据权利要求1所述的互电容触膜屏功能片，其特征在于，所述驱动线层的驱动线为透明导线，优选选自ITO、纳米银、碳纳米管、石墨烯或金属网格等透明导电材料；和/或，所述感应线层的感应线为透明导线，优选选自ITO、纳米银、碳纳米管、石墨烯或金属网格等透明导电材料；优选地，所述驱动线层由透明导电材料图案化而成，和/或所述感应线层由透明导电材料图案化而成。4.根据权利要求3所述的互电容触膜屏功能片，其特征在于，所述感应线层的图案化采用以下三种方式之一，一、先在载体膜表面制作一层透明导电材料并图案化，然后将已经图案化的透明导电材料完好地转移至隔离层表面；二、先在隔离层表面制作整面的透明导材料，然后再图案化；三、将静电转移、溅镀、涂布、喷涂、印刷等工艺与黄光、酸碱蚀刻、蚀刻膏、激光等工艺结合，在隔离层直接制作成图案化的透明导电材料作为感应线层。5.根据权利要求1所述的互电容触膜屏功能片，其特征在于，所述驱动线层的厚度为0.1-200nm；和/或，所述感应线层的厚度为0.1-200nm。6.根据权利要求1所述的互电容触膜屏功能片，其特征在于，所述隔离层的面积小于所述驱动线层，露出驱动线层的边缘；和/或，所述导线设置在驱动线层和感应线层的边缘，部分导线与驱动线层的驱动线连接并引出与电容感应芯片连接，部分导线与感应线层的感应线连接并引出与电容感应芯片连接；和/或，所述导...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁凯，刘海滨，谭化兵，
申请(专利权)人：无锡格菲电子薄膜科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32