带隙基准源启动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种带隙基准源启动电路，包括三个PMOS晶体管、一个比较器、两个三极管、四个电阻和一个NMOS晶体管；在现有的带隙基准源启动电路基础上，在第二电阻与地线之间增加了一个NMOS晶体管，该NMOS晶体管的漏极与第二电阻相连接，其源极接地，其栅极与启动电路的输出端相连接。本发明专利技术可以避免三极管零电流的简并点。

【技术实现步骤摘要】
带隙基准源启动电路
本专利技术涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种带隙基准源启动电路。
技术介绍
带隙基准源在集成电路中被广泛应用。一般的低电压带隙基准源电路存在多个稳定工作点，电路启动时可能会稳定到不期望的工作点。现有的带隙基准源启动电路原理图参见图1所示，它由三个PMOS晶体管M1～M3，一个比较器OPA，两个三极管Q1、Q2以及电阻R0～R3组成。其原理是：两个三极管Q1、Q2的Vbe差为dVbe＝(VbeQ1+VbeQ2)，流过三极管Q2的电流为IQ2＝dVbe/R0，流过电阻R2的电流为IR2＝Vbe/R2，电流I3＝I2＝IQ2+IR2。两个三极管Q1、Q2的Vbe差dVbe为正温度系数；两个三极管Q1、Q2的Vbe为负温度系数。设置合适的电阻R2和R0的比例，可以得到零温度系数的电流I3，得到零温度系数的电压Vout＝I3*R3。上述现有的带隙基准源启动电路存在的缺点是，存在三个简并点，即整体电路零电流，三极管零电流，期望的稳定工作点。这三个简并点中，整体电路零电流和三极管零电流是不希望出现的，期望的稳定工作点是需要的。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种带隙基准源启动电路，能够避免三极管零电流的简并点。为解决上述技术问题，本专利技术的带隙基准源启动电路，包括：三个PMOS晶体管、一个比较器、两个三极管、四个电阻和一个NMOS晶体管；第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第三PMOS晶体管的源极与电源电压端VDD相连接，第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第三PMOS晶体管的栅极与比较器的输出端相连接；第一PMOS晶体管的漏极与比较器的反向输入端和第一三极管的发射极相连接，该连接的节点记为A；第二PMOS晶体管的漏极与比较器的正向输入端和第一电阻的一端以及第三电阻的一端相连接，该连接的节点记为B；第一电阻的另一端与第二三极管的发射极相连接；第三PMOS晶体管的漏极与第四电阻的一端相连接，该连接的节点作为启动电路的输出端；第一三极管的集电极和基极、第二三极管的集电极和基极、第三电阻的另一端和第四电阻的另一端均接地；其中：第二电阻的一端与节点A相连接，第二电阻的另一端与第一NMOS晶体管的漏极相连接，第一NMOS晶体管的源极接地，第一NMOS晶体管的栅极与启动电路的输出端相连接。本专利技术的带隙基准源启动电路采用的第二种技术方案是，包括：三个PMOS晶体管、一个第一比较器、两个三极管和四个电阻；第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第三PMOS晶体管的源极与电源电压端VDD相连接，第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第三PMOS晶体管的栅极与第一比较器的输出端相连接；第一PMOS晶体管的漏极与所述第一比较器的反向输入端和第一三极管的发射极相连接，该连接的节点记为A；第二PMOS晶体管的漏极与所述第一比较器的正向输入端和第一电阻的一端以及第三电阻的一端相连接，该连接的节点记为B；第一电阻的另一端与第二三极管的发射极相连接；第三PMOS晶体管的漏极与第四电阻的一端相连接，第四电阻的另一端接地，第三PMOS晶体管的漏极与第四电阻的连接节点作为启动电路的输出端；第一三极管的集电极和基极、第二三极管的集电极和基极、第三电阻的另一端和第四电阻的另一端均接地；第二电阻的一端与所述节点A相连接；其中：还包括一电子开关，该电子开关连接在第二电阻的另一端与地线之间，在启动电路的输出端设置一第二比较器，启动电路的输出端与第二比较器的正向输入端相连接，该第二比较器的反向输入端输入一参考电压，第二比较器的输出端与电子开关的控制端相连接；当启动电路的输出端电压小于参考电压时，电子开关的控制端为低电平，电子开关打开，当启动电路的输出端电压大于参考电压时，电子开关的控制端为高电平，电子开关闭合。本专利技术的带隙基准源启动电路采用的第三种技术方案是，包括：三个PMOS晶体管、一个第一比较器、两个三极管和四个电阻；第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第三PMOS晶体管的源极与电源电压端VDD相连接，第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第三PMOS晶体管的栅极与第一比较器的输出端相连接；第一PMOS晶体管的漏极与所述第一比较器的反向输入端和第一三极管的发射极相连接，该连接的节点记为A；第二PMOS晶体管的漏极与所述第一比较器的正向输入端和第一电阻的一端以及第三电阻的一端相连接，该连接的节点记为B；第一电阻的另一端与第二三极管的发射极相连接；第三PMOS晶体管的漏极与第四电阻的一端相连接，第四电阻的另一端接地，第三PMOS晶体管的漏极与第四电阻的连接节点作为启动电路的输出端；第一三极管的集电极和基极、第二三极管的集电极和基极、第三电阻的另一端和第四电阻的另一端均接地；第二电阻的一端与所述节点A相连接；其中：还包括一电子开关，该电子开关连接在第二电阻的另一端与地线之间，通过电子开关的接通或断开，避免三极管零电流的简并点。采用本专利技术的带隙基准源启动电路，由于在现有的带隙基准源启动电路基础上，在第二电阻与地之间增加了一个NMOS晶体管，该NMOS晶体管的作用相当于一个电子开关。这样带隙基准源启动电路上电时输出电压OUT＝0，第二电阻对地通路切断，电流通过第一三极管。带隙基准源启动电路启动后输出电压OUT上升，NMOS晶体管被打开，由此避免了三极管零电流的简并点。附图说明下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明：图1是现有的带隙基准源启动电路原理图；图2是改进后的带隙基准源启动电路实施例一原理图；图3是改进后的带隙基准源启动电路实施例二原理图。具体实施方式实施例一图2是改进后的带隙基准源启动电路一实施例原理图，比较图1与图2，改进后的带隙基准源启动电路在本实施例中主要是在电阻R1与地线之间增加了一个NMOS晶体管，该NMOS晶体管的漏极与电阻R1相连接，其源极接地，其栅极与启动电路的输出端相连接，由此可以避免三极管零电流的简并点。在本实施例中具体的电路结构如下：电源电压端VDD与PMOS晶体管M1的源极相连接，并且PMOS晶体管M2的源极和PMOS晶体管M3的源极均与电源电压端VDD相连接。比较器OPA的反向输入端分别与PMOS晶体管M1的漏极、三极管Q1的发射极相连接，并将该连接的节点记为A。比较器OPA的正向输入端分别与PMOS晶体管M2的漏极、电阻R0的一端和电阻R1的一端相连接，并将该连接的节点记为B。比较器OPA的输出端分别与PMOS晶体管M1的栅极、PMOS晶体管M2的栅极和PMOS晶体管M3的栅极相连接。PMOS晶体管M3的漏极与电阻R3的一端相连接，电阻R3的另一端接地。PMOS晶体管M3的漏极与电阻R3的连接点作为启动电路的输出端OUT。电阻R1的一端与所述节点A相连接，电阻R1的另一端与NMOS晶体管MS的漏极相连接，NMOS晶体管MS的源极接地，NMOS晶体管MS的栅极与启动电路的输出端OUT相连接。电阻R0的另一端与三极管Q2的发射极相连接。三极管Q1的集电极和基极、三极管Q2的集电极和基极、电阻R2的另一端均接地。实施例二参见图3所示，改进后的带隙基准源启动电路在本实施例中与实施例一的区别在于，在电阻R1与地线之间增加了一个电子开关SW，在启动电路的输出端设置一个第二比较器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带隙基准源启动电路，包括：三个PMOS晶体管、一个比较器、两个三极管和四个电阻；第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第三PMOS晶体管的源极与电源电压端VDD相连接，第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第三PMOS晶体管的栅极与比较器的输出端相连接；第一PMOS晶体管的漏极与所述比较器的反向输入端和第一三极管的发射极相连接，该连接的节点记为A；第二PMOS晶体管的漏极与所述比较器的正向输入端和第一电阻的一端以及第三电阻的一端相连接，该连接的节点记为B；第一电阻的另一端与第二三极管的发射极相连接；第三PMOS晶体管的漏极与第四电阻的一端相连接，第四电阻的另一端接地，第三PMOS晶体管的漏极与第四电阻的连接节点作为启动电路的输出端；第一三极管的集电极和基极、第二三极管的集电极和基极、第三电阻的另一端和第四电阻的另一端均接地；第二电阻的一端与所述节点A相连接；其特征在于：还包括一第一NMOS晶体管，第二电阻的另一端与第一NMOS晶体管的漏极相连接，第一NMOS晶体管的源极接地，第一NMOS晶体管的栅极与启动电路的输出端相连接。

【技术特征摘要】
1.一种带隙基准源启动电路，包括：三个PMOS晶体管、一个比较器、两个三极管和四个电阻；第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第三PMOS晶体管的源极与电源电压端VDD相连接，第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第三PMOS晶体管的栅极与比较器的输出端相连接；第一PMOS晶体管的漏极与所述比较器的反向输入端和第一三极管的发射极相连接，该连接的节点记为A；第二PMOS晶体管的漏极与所述比较器的正向输入端和第一电阻的一端以及第三电阻的一端相连接，该连接的节点记为B；第一电阻的另一端与第二三极管的发射极相连接；第三PMOS晶体管的漏极与第四电阻的一端相连接，第四电阻的另一端接地，第三PMOS晶体管的漏极与第四电阻的连接节点作为启动电路的输出端；第一三极管的集电极和基极、第二三极管的集电极和基极、第三电阻的另一端和第四电阻的另一端均接地；第二电阻的一端与所述节点A相连接；其特征在于：还包括一第一NMOS晶体管，第二电阻的另一端与第一NMOS晶体管的漏极相连接，第一NMOS晶体管的源极接地，第一NMOS晶体管的栅极与启动电路的输出端相连接。2.如权利要求1所述的启动电路，其特征在于：上电时输出电压OUT＝0，第二电阻对地通路切断，流过第一PMOS晶体管漏极的电流通过第一三极管；启动电路启动后输出电压OUT上升，第一NMOS晶体管被打开，避免了三极管零电流的简并点。3.一种带隙基准源启动电路，包括：三个PMOS晶体管、一个第一比较器、两个三极管和四个电阻；第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第三PMOS晶体管的源极与电源电压端VDD相连接，第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第三PMOS晶体管的栅极与第一比较器的输出端相连接；第一PMOS晶体管的漏极与所述第一比较器的反向输入端和第一三极管的发射极相连接，该连接的节点记为A；第二PMOS晶体管的漏极与所述第一比较器的正向输入端和第一电阻的一端以及第三电阻的一端相连接，该连接的节点记为B；第一电阻的另一端与第二三极管的发射极相连接；第三PMOS晶体管的漏极与第四电阻的一端相连接，第四电阻的另一端接地，第三PMOS晶体管的漏极与第四电阻的连接节点作为启动电路的输出端；第一三极管的集电极和基极、第二三极管的集电极和基极、第三电阻的另一端和第四电阻的另一端均接地；第二电阻的一端与所述节点A相连接；其特征在于：还包括一电子开关，该电子开关连接在第二电阻的另一端与地线之...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵博闻，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31