一种显示基板及其制作方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种显示基板及其制作方法和显示装置，该显示基板的制作方法包括：在衬底基板上形成绝缘膜层，并形成贯穿所述绝缘膜层的过孔；形成导电图形，所述导电图形包括至少覆盖所述过孔和所述过孔的边缘的第一导电图形，所述第一导电图形采用柔性导电材料形成。本发明专利技术实施例中，采用柔性导电材料替代传统的硬性导电材料，形成至少覆盖过孔和过孔的边缘的第一导电图形，采用柔性导电材料形成的第一导电图形具有更高的柔性，在过孔处不容易发生断裂，提高了显示基板的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种显示基板及其制作方法和显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示基板及其制作方法和显示装置。
技术介绍
目前薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，简称TFT-LCD)产品中，为了保证产品充电率，钝化(PVX)层的厚度会有所增加以降低存储电容，但这也随之会引起相关的问题，即钝化层上的过孔边缘处的段差会比较大，用于连接作用的导电图形在过孔的边缘容易发生断裂(Open)，造成过孔处电阻异常，从而导致像素显示暗点等不良问题。随着TFT-LCD技术的发展，过孔的种类也越来越丰富，针对过孔边缘处导电图形易发生断裂的问题，主要集中在导电图形的设计或工艺管控方面，例如适当的增加导电图形搭接的面积，或者通过修复(Repair)改善，但是并不能真正防止导电图形断裂的发生。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种显示基板及其制作方法和显示装置，用于解决显示基板的过孔处的导电图形容易发生断裂的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种显示基板的制作方法，包括：在衬底基板上形成绝缘膜层，并形成贯穿所述绝缘膜层的过孔；形成导电图形，所述导电图形包括至少覆盖所述过孔和所述过孔的边缘的第一导电图形，所述第一导电图形采用柔性导电材料形成。优选地，所述柔性导电材料为柔性编织体复合材料，所述柔性编织体复合材料由柔性编织体材料和包裹所述柔性编织体材料的表面的导电颗粒形成。优选地，形成至少覆盖所述过孔和所述过孔的边缘的第一导电图形的步骤包括：形成至少覆盖所述过孔和所述过孔的边缘的催化剂层；将所述显示基板置于反应室内，所述反应室内具有用于制备所述柔性编织体复合材料的混合原料，所述混合原料包括用于制备所述柔性编织体材料的第一原料和用于制备所述导电颗粒的第二原料，在一定温度范围内，所述第一原料发生分解，在所述催化剂层表面生长柔性编织体材料，在所述柔性编织体材料生长的过程中，所述第二原料发生分解，分解形成的导电颗粒在所述柔性编织体材料的表面沉积，从而生成柔性编织体复合材料，以形成所述第一导电图形。优选地，所述形成绝缘膜层，并形成贯穿所述绝缘膜层的过孔的步骤包括：形成绝缘膜层和覆盖所述绝缘膜层的光刻胶层；采用半色调或灰色调掩膜板，对所述光刻胶层进行曝光并显影，形成光刻胶层全保留区、光刻胶层半保留区和光刻胶层去除区，其中，所述光刻胶层去除区对应过孔所在区域，所述光刻胶层半保留区至少对应所述过孔的边缘所在区域；刻蚀所述光刻胶层去除区域的绝缘膜层，形成贯穿所述绝缘膜层的过孔；去除所述光刻胶层半保留区的光刻胶层，露出所述过孔的边缘；所述形成至少覆盖所述过孔和所述过孔的边缘的催化剂层的步骤包括：以所述光刻胶层全保留区的光刻胶层为掩膜，形成覆盖所述过孔和所述过孔的边缘的催化剂层；去除所述光刻胶层。优选地，所述柔性编织体材料为碳纳米管、碳纤维或聚苯胺，所述导电颗粒为透明金属氧化物导电材料形成的导电颗粒。优选地，所述导电图形还包括第二导电图形，所述第二导电图形和所述第一导电图形在所述衬底基板上的正投影区域不重叠。优选地，所述第二导电图形采用柔性导电材料形成，或者，采用透明金属氧化物导电材料形成。优选地，所述绝缘膜层包括钝化层，所述导电图形为像素电极层图形或者公共电极层图形。本专利技术还提供一种显示基板，采用上述制作方法形成，所述显示基板包括：衬底基板，以及设置于所述衬底基板上的绝缘膜层和导电图形，所述绝缘膜层上设置有贯穿所述绝缘膜层的过孔，所述导电图形包括至少覆盖所述过孔和所述过孔的边缘的第一导电图形，所述第一导电图形采用柔性导电材料形成。优选地，所述柔性导电材料为柔性编织体复合材料，所述柔性编织体复合材料由柔性编织体材料和包裹所述柔性编织体材料的表面的导电颗粒形成。本专利技术还提供一种显示装置，包括上述显示基板。本专利技术的上述技术方案的有益效果如下：采用柔性导电材料替代传统的硬性导电材料，形成至少覆盖过孔和过孔的边缘的第一导电图形，采用柔性导电材料形成的第一导电图形具有更高的柔性，在过孔处不容易发生断裂，提高了显示基板的可靠性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例的显示基板的制作方法的流程示意图；图2为本专利技术一实施例的柔性编织体复合材料的示意图；图3为本专利技术一实施例的显示基板的结构示意图；图4为本专利技术另一实施例的显示基板的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参考图1，图1为本专利技术实施例的显示基板的制作方法的流程示意图，所述制作方法包括：步骤11：在衬底基板上形成绝缘膜层，并形成贯穿所述绝缘膜层的过孔；步骤12：形成导电图形，所述导电图形包括至少覆盖所述过孔和所述过孔的边缘的第一导电图形，所述第一导电图形采用柔性导电材料形成。本专利技术实施例中，采用柔性导电材料替代传统的硬性导电材料，形成至少覆盖过孔和过孔的边缘的第一导电图形，采用柔性导电材料形成的第一导电图形具有更高的柔性，在过孔处不容易发生断裂，提高了显示基板的可靠性。本专利技术实施例中，所述绝缘膜层可以为单层绝缘膜层，也可以包括至少两层绝缘膜层。本专利技术实施例中，所述柔性导电材料可以为任意导电且为柔性的导电材料。在一些优选实施例中，所述柔性导电材料为柔性编织体复合材料，所述柔性编织体复合材料由柔性编织体材料和包裹所述柔性编织体材料的表面的导电颗粒形成。所述柔性编织体复合材料可以如图2所示。所述柔性编织体材料例如可以为碳纳米管、碳纤维或聚苯胺等具有编织体结构，且导电的材料。所述导电颗粒可以为透明金属氧化物导电材料形成的导电颗粒，例如ITO导电颗粒或IZO导电颗粒等。所述导电颗粒通常为纳米尺寸的颗粒。所述柔性编织体复合材料为核-壳结构(core-shellstructure)的复合材料，具有柔韧性高和电阻率低的优点，采用柔性编织体复合材料制成的导电图形由于柔韧性高，在过孔处不容易发生断裂，另外，由于电阻率低，能够提高导电图形的导电效果。本专利技术实施例中，所述第一导电图形可以采用多种方式形成，例如采用原位化学沉积法形成，或者，采用溶液法形成。在本专利技术的一些优选实施例中，所述第一导电图形采用原位化学沉积法形成。下面对原位化学沉积法进行简单介绍。在一些具体实施例中，形成至少覆盖所述过孔和所述过孔的边缘的第一导电图形的步骤可以包括：步骤21：形成至少覆盖所述过孔和所述过孔的边缘的催化剂层；步骤22：将所述显示基板置于反应室内，所述反应室内具有用于制备所述柔性编织体复合材料的混合原料，所述混合原料包括用于制备所述柔性编织体材料的第一原料和用于制备所述导电颗粒的第二原料，在一定温度范围内，所述第一原料发生分解，在所述催化剂层表面生长柔性编织体材料，在所述柔性编织体材料生本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成绝缘膜层，并形成贯穿所述绝缘膜层的过孔；形成导电图形，所述导电图形包括至少覆盖所述过孔和所述过孔的边缘的第一导电图形，所述第一导电图形采用柔性导电材料形成。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成绝缘膜层，并形成贯穿所述绝缘膜层的过孔；形成导电图形，所述导电图形包括至少覆盖所述过孔和所述过孔的边缘的第一导电图形，所述第一导电图形采用柔性导电材料形成。2.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述柔性导电材料为柔性编织体复合材料，所述柔性编织体复合材料由柔性编织体材料和包裹所述柔性编织体材料的表面的导电颗粒形成。3.根据权利要求2所述的显示基板的制作方法，其特征在于，形成至少覆盖所述过孔和所述过孔的边缘的第一导电图形的步骤包括：形成至少覆盖所述过孔和所述过孔的边缘的催化剂层；将所述显示基板置于反应室内，所述反应室内具有用于制备所述柔性编织体复合材料的混合原料，所述混合原料包括用于制备所述柔性编织体材料的第一原料和用于制备所述导电颗粒的第二原料，在一定温度范围内，所述第一原料发生分解，在所述催化剂层表面生长柔性编织体材料，在所述柔性编织体材料生长的过程中，所述第二原料发生分解，分解形成的导电颗粒在所述柔性编织体材料的表面沉积，从而生成柔性编织体复合材料，以形成所述第一导电图形。4.根据权利要求3所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述形成绝缘膜层，并形成贯穿所述绝缘膜层的过孔的步骤包括：形成绝缘膜层和覆盖所述绝缘膜层的光刻胶层；采用半色调或灰色调掩膜板，对所述光刻胶层进行曝光并显影，形成光刻胶层全保留区、光刻胶层半保留区和光刻胶层去除区，其中，所述光刻胶层去除区对应过孔所在区域，所述光刻胶层半保留区至少对应所述过孔的边缘所在区域；刻蚀所述光刻胶层去除区域的绝缘膜层...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐姗姗，徐旭，王宝强，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，福州京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11