一种提高光转换效率、降低LED灯发热量的电源驱动装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种提高光转换效率、降低LED灯发热量的电源驱动装置，该电源驱动装置包括LED驱动电路和散热装置，LED驱动电路有效的将电路的光能转换，并通过铝板包覆石墨的技术提高散热效率，将本实用新型专利技术驱动电路设置于植物培育室，有利用提高植物的快速健康生长，而且光效高。

【技术实现步骤摘要】
一种提高光转换效率、降低LED灯发热量的电源驱动装置
本技术涉及LED灯
，具体的说是涉及一种提高光转换效率、降低LED灯发热量的电源驱动装置。
技术介绍
发光二极管简称为LED。由含镓(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成。当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光，氮化镓二极管发蓝光。因化学性质又分有机发光二极管OLED和无机发光二极管LED。无土栽培：无土栽培是以草炭或森林腐叶土、膨胀蛭石等轻质材料做育苗基质固定植株，让植物根系直接接触营养液，采用机械化精量播种一次成苗的现代化育苗技术。选用苗盘是分格室的，播种一格一粒，成苗一室一株，成苗的根系与基质互相缠绕在一起，根坨呈上大下小的塞子形，一般叫穴盘无土育苗。现今发光二极管光源LED已发展成熟，并广泛应用于植物生长方面，如提供植物所需的红、蓝LED光源，可直接栽培植物至成熟，其他如紫外光、红外光、黄光与绿光等也能辅助植物生长。传统的LED灯光转换效率较低，能耗较大，需要改进。
技术实现思路
针对现有技术中的不足，本技术要解决的技术问题在于提供了一种提高光转换效率、降低LED灯发热量的电源驱动装置。为解决上述技术问题，本技术通过以下方案来实现：一种提高光转换效率、降低LED灯发热量的电源驱动装置，该电源驱动装置包括LED驱动电路和散热装置，所述LED驱动电路接入市电，火线L端经保险丝T1A至有载调压线圈T1，所述有载调压线圈T1的输出端连接电感器L1、电感器L2，所述电感器L1、电感器L2分别并联有电阻RL1、电阻RL2，经两个电感器后的电路之间依次电连接有压敏电阻VDR、电容CX2，最后连接至第二个变压器T2，所述第二个变压器T2输出端连接有晶体二极管桥式整流电路的1#线路和2#线路，所述桥式整流电路2#线路分别电性连接有并联的电感器L3、电阻R3，所述电感器L3、电阻R3并联后的输出端与所述桥式整流电路4#线路之间的电路分别连接有：串联的电阻R42、电容C1，所述电容C1的一端连接所述桥式整流电路4#线路端；串联的电容C16、电阻R43，所述电阻R43的一端连接所述桥式整流电路4#线路端，所述电容C16、电阻R43之间的电路节点上连接有耗尽型N-MOS场效应管Q1的漏极，所述耗尽型N-MOS场效应管Q1的源极连接所述桥式整流电路4#线路端，其栅极连接电阻R44，所述电阻R44的另一端连接电容C8，所述电容C8的另一端连接所述桥式整流电路4#线路端；电容C2；所述桥式整流电路4#线路端接地；所述电阻R44与所述电容C8之间的电路节点上连接调光LED控制器U1的DAMP端；所述电感器L3、电阻R3并联后的输出端电路还连接有二极管D1、稳压二极管ZD1、电阻R4、电阻R32、电阻R38、电阻R37、电容C15、有载调压线圈T2A；所述二极管D1的另一端连接晶振器C3、电阻R9，所述电阻R9的另一端连接电阻R10，所述电阻R10的另一端连接电阻R8、电阻R11，所述晶振器C3的另一端连接NPN型三极管Q5的发射极、电阻R11的另一端、电阻R6、电容C4，所述电阻R8的另一端连接NPN型三极管Q5的基极，所述NPN型三极管Q5的集电极连接电阻R7，所述电阻R7的另一端连接电阻R6的另一端、电容C4的另一端、调光LED控制器U1的MUTL端、电阻R2、电阻R5，所述电阻R2的另一端连接电阻R1，所述电阻R1的另一端连接稳压二极管ZD1的正极端，所述电阻R5的另一端连接所述电阻R4的另一端；所述电阻R32的另一端连接电阻R36，所述电阻R36的另一端连接电阻R33，所述电阻R33的另一端连接电容C14、稳压二极管ZD3，所述电容C14、稳压二极管ZD3的另一端互连，互连后接地；所述电阻R38、电阻R37、电容C15的另一端互连，互连后的电路连接电阻R35，所述电阻R35的另一端连接二极管D7的负极，所述二极管D7的正极端连接耗尽型N-MOS场效应管Q2的漏极，所述耗尽型N-MOS场效应管Q2的源极连接二极管D6的正极，所述二极管D6的负极连接电阻R34、所述稳压二极管ZD3的负极端、二极管D8的负极端，所述电阻R34的另一端连接所述耗尽型N-MOS场效应管Q2的栅极，所述耗尽型N-MOS场效应管Q1的漏极连接有载调压线圈T2A；所述耗尽型N-MOS场效应管Q2的源极连接所述调光LED控制器U1的D极；所述有载调压线圈T2A的正极输出端连接有电阻R45、二极管D9、电容C7，负极输出端连接有电容Y1、晶振器C19、晶振器C20、电阻R46、电容C36、第四；所述电阻R45的另一端连接电容C33，所述电容C33的另一端连接所述二极管D9的负极端和所述晶振器C19、晶振器C20、电阻R46、电容C36的另一端，所述电容C33的另一端还连接有电阻R47、电阻R48、电阻R15、二极管D10的正极、耗尽型N-MOS场效应管Q1的漏极，所述电阻R47、电阻R48的另一端连接所述耗尽型N-MOS场效应管Q1的源极和有载调压线圈L6的输入端；所述耗尽型N-MOS场效应管Q1的栅极连接稳压二极管ZD13的负极、电阻R17，所述二极管D10的负极连接稳压二极管ZD11的负极，所述电阻R17连接所述稳压二极管ZD11的正极、电阻R16、有极性二极管C9的正极，所述电阻R16的另一端连接所述电阻R15的另一端、二极管D3的负极端，所述二极管D3的正极端连接电阻R13，所述电阻R13的另一端连接C7、电阻R14，所述电阻R14的另一端连接二及管D4的负极端，所述二极管D4的正极端连接所述有极性电容C9的负极端且接地；所述电容Y1的另一端连接有电感器，电感器的另一端连接电阻R12、电阻R29，所述电阻R12的另一端连接二极管D2的正极端，所述电阻R29的另一端连接电阻R30、二极管D5的负极、电阻R31，所述电阻R30、二极管D5的正极互连，互连后接地，所述电阻R31的另一端连接所述调光LED控制器U1的ZCD端，所述二极管D2的负极端连接电阻RC1、晶振器C6、调光LED控制器U1的VCC端，所述晶振器C6的另一端连接电容C34、可调电阻R27、电容C35，所述可调电阻R27与所述晶振器C6连接电路节点上接地；所述电阻RC1的另一端连接所述调光LED控制器U1的COMP端、电容C34的另一端，所述电阻R27的另一端连接电阻R23，电阻R23的另一端连接电容C35和所述调光LED控制器U1的NTC端，所述电容C35的另一端还连接所述调光LED控制器U1的GND端。进一步的，所述调光LED控制器U1的S端连接电阻R25、电阻R26，所述电阻R25、电阻R26另一端互连，互连后接地。进一步的，所述散热装置的散热板为铝板包覆石墨，用于散热。相对于现有技术，本技术的有益效果是：本技术提高光转换效率、降低LED灯发热量的电源驱动装置的光转换效率高，利用铝板包覆石墨，散热效果更好。附图说明图1为本技术LED驱动电路总图；图2为图1的A部放大图；图3为图1的B部放大图；图4为图1的C部放大图；图5为图1的D部放大图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高光转换效率、降低LED灯发热量的电源驱动装置，该电源驱动装置包括LED驱动电路和散热装置，其特征在于：所述LED驱动电路接入市电，火线L端经保险丝T1A至有载调压线圈T1，所述有载调压线圈T1的输出端连接电感器L1、电感器L2，所述电感器L1、电感器L2分别并联有电阻RL1、电阻RL2，经两个电感器后的电路之间依次电连接有压敏电阻VDR、电容CX2，最后连接至第二个变压器T2，所述第二个变压器T2输出端连接有晶体二极管桥式整流电路的1#线路和2#线路，所述桥式整流电路2#线路分别电性连接有并联的电感器L3、电阻R3，所述电感器L3、电阻R3并联后的输出端与所述桥式整流电路4#线路之间的电路分别连接有：串联的电阻R42、电容C1，所述电容C1的一端连接所述桥式整流电路4#线路端；串联的电容C16、电阻R43，所述电阻R43的一端连接所述桥式整流电路4#线路端，所述电容C16、电阻R43之间的电路节点上连接有耗尽型N‑MOS场效应管Q1的漏极，所述耗尽型N‑MOS场效应管Q1的源极连接所述桥式整流电路4#线路端，其栅极连接电阻R44，所述电阻R44的另一端连接电容C8，所述电容C8的另一端连接所述桥式整流电路4#线路端；电容C2；所述桥式整流电路4#线路端接地；所述电阻R44与所述电容C8之间的电路节点上连接调光LED控制器U1的DAMP端；所述电感器L3、电阻R3并联后的输出端电路还连接有二极管D1、稳压二极管ZD1、电阻R4、电阻R32、电阻R38、电阻R37、电容C15、有载调压线圈T2A；所述二极管D1的另一端连接晶振器C3、电阻R9，所述电阻R9的另一端连接电阻R10，所述电阻R10的另一端连接电阻R8、电阻R11，所述晶振器C3的另一端连接NPN型三极管Q5的发射极、电阻R11的另一端、电阻R6、电容C4，所述电阻R8的另一端连接NPN型三极管Q5的基极，所述NPN型三极管Q5的集电极连接电阻R7，所述电阻R7的另一端连接电阻R6的另一端、电容C4的另一端、调光LED控制器U1的MUTL端、电阻R2、电阻R5，所述电阻R2的另一端连接电阻R1，所述电阻R1的另一端连接稳压二极管ZD1的正极端，所述电阻R5的另一端连接所述电阻R4的另一端；所述电阻R32的另一端连接电阻R36，所述电阻R36的另一端连接电阻R33，所述电阻R33的另一端连接电容C14、稳压二极管ZD3，所述电容C14、稳压二极管ZD3的另一端互连，互连后接地；所述电阻R38、电阻R37、电容C15的另一端互连，互连后的电路连接电阻R35，所述电阻R35的另一端连接二极管D7的负极，所述二极管D7的正极端连接耗尽型N‑MOS场效应管Q2的漏极，所述耗尽型N‑MOS场效应管Q2的源极连接二极管D6的正极，所述二极管D6的负极连接电阻R34、所述稳压二极管ZD3的负极端、二极管D8的负极端，所述电阻R34的另一端连接所述耗尽型N‑MOS场效应管Q2的栅极，所述耗尽型N‑MOS场效应管Q1的漏极连接有载调压线圈T2A；所述耗尽型N‑MOS场效应管Q2的源极连接所述调光LED控制器U1的D极；所述有载调压线圈T2A的正极输出端连接有电阻R45、二极管D9、电容C7，负极输出端连接有电容Y1、晶振器C19、晶振器C20、电阻R46、电容C36、第四；所述电阻R45的另一端连接电容C33，所述电容C33的另一端连接所述二极管D9的负极端和所述晶振器C19、晶振器C20、电阻R46、电容C36的另一端，所述电容C33的另一端还连接有电阻R47、电阻R48、电阻R15、二极管D10的正极、耗尽型N‑MOS场效应管Q1的漏极，所述电阻R47、电阻R48的另一端连接所述耗尽型N‑MOS场效应管Q1的源极和有载调压线圈L6的输入端；所述耗尽型N‑MOS场效应管Q1的栅极连接稳压二极管ZD13的负极、电阻R17，所述二极管D10的负极连接稳压二极管ZD11的负极，所述电阻R17连接所述稳压二极管ZD11的正极、电阻R16、有极性二极管C9的正极，所述电阻R16的另一端连接所述电阻R15的另一端、二极管D3的负极端，所述二极管D3的正极端连接电阻R13，所述电阻R13的另一端连接C7、电阻R14，所述电阻R14的另一端连接二及管D4的负极端，所述二极管D4的正极端连接所述有极性电容C9的负极端且接地；所述电容Y1的另一端连接有电感器，电感器的另一端连接电阻R12、电阻R29，所述电阻R12的另一端连接二极管D2的正极端，所述电阻R29的另一端连接电阻R30、二极管D5的负极、电阻R31，所述电阻R30、二极管D5的正极互连，互连后接地，所述电阻R31的另一端连接所述调光LED控制器U1的ZCD端，所述二极管D2的负极端连接电阻RC1、晶振器C6、调光LED控制器U1的VCC...

【技术特征摘要】
1.一种提高光转换效率、降低LED灯发热量的电源驱动装置，该电源驱动装置包括LED驱动电路和散热装置，其特征在于：所述LED驱动电路接入市电，火线L端经保险丝T1A至有载调压线圈T1，所述有载调压线圈T1的输出端连接电感器L1、电感器L2，所述电感器L1、电感器L2分别并联有电阻RL1、电阻RL2，经两个电感器后的电路之间依次电连接有压敏电阻VDR、电容CX2，最后连接至第二个变压器T2，所述第二个变压器T2输出端连接有晶体二极管桥式整流电路的1#线路和2#线路，所述桥式整流电路2#线路分别电性连接有并联的电感器L3、电阻R3，所述电感器L3、电阻R3并联后的输出端与所述桥式整流电路4#线路之间的电路分别连接有：串联的电阻R42、电容C1，所述电容C1的一端连接所述桥式整流电路4#线路端；串联的电容C16、电阻R43，所述电阻R43的一端连接所述桥式整流电路4#线路端，所述电容C16、电阻R43之间的电路节点上连接有耗尽型N-MOS场效应管Q1的漏极，所述耗尽型N-MOS场效应管Q1的源极连接所述桥式整流电路4#线路端，其栅极连接电阻R44，所述电阻R44的另一端连接电容C8，所述电容C8的另一端连接所述桥式整流电路4#线路端；电容C2；所述桥式整流电路4#线路端接地；所述电阻R44与所述电容C8之间的电路节点上连接调光LED控制器U1的DAMP端；所述电感器L3、电阻R3并联后的输出端电路还连接有二极管D1、稳压二极管ZD1、电阻R4、电阻R32、电阻R38、电阻R37、电容C15、有载调压线圈T2A；所述二极管D1的另一端连接晶振器C3、电阻R9，所述电阻R9的另一端连接电阻R10，所述电阻R10的另一端连接电阻R8、电阻R11，所述晶振器C3的另一端连接NPN型三极管Q5的发射极、电阻R11的另一端、电阻R6、电容C4，所述电阻R8的另一端连接NPN型三极管Q5的基极，所述NPN型三极管Q5的集电极连接电阻R7，所述电阻R7的另一端连接电阻R6的另一端、电容C4的另一端、调光LED控制器U1的MUTL端、电阻R2、电阻R5，所述电阻R2的另一端连接电阻R1，所述电阻R1的另一端连接稳压二极管ZD1的正极端，所述电阻R5的另一端连接所述电阻R4的另一端；所述电阻R32的另一端连接电阻R36，所述电阻R36的另一端连接电阻R33，所述电阻R33的另一端连接电容C14、稳压二极管ZD3，所述电容C14、稳压二极管ZD3的另一端互连，互连后接地；所述电阻R38、电阻R37、电容C15的另一端互连，互连后的电路连接电阻R35，所述电阻R35的另一端连接二极管D7的负极，所述二极管D7的正极端连接耗尽型N-MOS场效应管Q2的漏极，所述耗尽型N-MOS场效应管Q2的源极连接二极管D6的正极，所述二极管D6的负极连接电阻R3...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓惠，
申请(专利权)人：金杲易光电科技深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44