共享磁路多分频扬声器制造技术

本实用新型专利技术揭示一种共享磁路多分频扬声器，包括底座、第一分频结构、第二分频结构、第三分频结构、至少一个第四分频结构以及至少一个第五分频结构；底座包括导磁板、导磁柱以及导磁环；导磁环包括第一磁环、第二磁环以及至少一个第三磁环；第一分频结构设于导磁板下方；第三分频结构、第二磁环、第二分频结构、至少一个第五分频结构、至少一个第三磁环及至少一个第四分频结构环绕导磁柱，并沿着导磁板径向依次套设延伸。本申请的共享磁路多分频扬声器的分频结构共用一个底座，磁极方向相同，共享单一磁路；通过调节导磁环数量，使得共享的单一磁路提供多个的磁隙，进而获得不同频宽的扬声器组，这样能大大节省成本，减小体积。

【技术实现步骤摘要】
共享磁路多分频扬声器
本技术涉及扬声器领域，具体地，涉及一种共享磁路多分频扬声器。
技术介绍
扬声器被广泛应用到生产生活的各个方面，传统产品中的扬声器都有独立的磁路系统，其内的磁路结构需要和扬声器一一对应，而想要得到全频音域的扬声器，不可避免需要多个扬声器组合才能实现，这样不仅制作成本大，而且获得的扬声器组的体积大，极不方便运送和使用。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本技术提供两种共享磁路多分频扬声器。本技术公开的两种共享磁路多分频扬声器：一种共享磁路多分频扬声器，包括底座，底座包括导磁板、导磁柱以及导磁环；导磁柱设于导磁板；导磁环包括第一磁环及第二磁环，第二磁环设于导磁板设有导磁柱的一侧，并环绕于导磁柱的外侧壁；第一磁环设于导磁板另一侧，并环绕于导磁板；扬声器还包括第一分频结构及第二分频结构，第一分频结构包括第一华斯、第一磁铁以及第一音圈；第一磁铁及第一华斯由上至下依次设于导磁板下方，第一华斯与第一磁环形成第一磁间隙，第一音圈设于第一磁间隙；第二分频结构包括第二华斯、第二磁铁以及第二音圈；第二磁铁及第二华斯由下至上依次设于导磁板上并环绕于导磁柱的外侧壁；第二华斯与第二磁环形成第二磁间隙，第二音圈设于第二磁间隙。根据本技术的一实施方式，扬声器还包括第三分频结构；第三分频结构设有第三音圈；第二华斯与导磁柱形成第三磁间隙；第三音圈设于第三磁间隙。根据本技术的一实施方式，导磁环还包括至少一个第三磁环；至少一个第三磁环设于导磁板并环绕第二磁环外侧壁；扬声器还包括至少一个第四分频结构；第四分频结构包括第三华斯、第三磁铁以及第四音圈；第三磁铁及第三华斯由下至上依次设于导磁板上，并环绕于第二磁环的外侧壁；第三华斯与第三磁环形成第四磁间隙，第四音圈设于第四磁间隙。根据本技术的一实施方式，扬声器还包括至少一个第五分频结构；至少一个第五分频结构设有第五音圈；第三华斯与第二磁环形成第五磁间隙；第五音圈设于第五磁间隙。另一种共享磁路多分频扬声器，包括底座，底座包括导磁板、导磁柱以及导磁环；导磁柱设于导磁板；导磁环包括第一磁环及第二磁环，第二磁环设于导磁板设有导磁柱的一侧，并环绕于导磁柱的外侧壁；第一磁环设于导磁板另一侧，并环绕于导磁板；扬声器还包括分频结构、第一分频结构及第二分频结构；分频结构包括华斯、磁铁以及音圈，磁铁及华斯自下而上设于导磁柱顶端的空腔内，华斯与导磁柱形成磁间隙，音圈设于磁间隙内；第一分频结构包括第一华斯、第一磁铁以及第一音圈；第一磁铁及第一华斯由上至下依次设于导磁板下方，第一华斯与第一磁环形成第一磁间隙，第一音圈设于第一磁间隙；第二分频结构包括第二华斯、第二磁铁以及第二音圈；第二磁铁及第二华斯由下至上依次设于导磁板上并环绕于导磁柱的外侧壁；第二华斯与第二磁环形成第二磁间隙，第二音圈设于第二磁间隙。根据本技术的一实施方式，扬声器还包括第三分频结构；第三分频结构设有第三音圈；第二华斯与导磁柱形成第三磁间隙；第三音圈设于第三磁间隙。根据本技术的一实施方式，导磁环还包括至少一个第三磁环；至少一个第三磁环设于导磁板并环绕第二磁环外侧壁；扬声器还包括至少一个第四分频结构；第四分频结构包括第三华斯、第三磁铁以及第四音圈；第三磁铁及第三华斯由下至上依次设于导磁板上，并环绕于第二磁环的外侧壁；第三华斯与第三磁环形成第四磁间隙，第四音圈设于第四磁间隙。根据本技术的一实施方式，扬声器还包括至少一个第五分频结构；至少一个第五分频结构设有第五音圈；第三华斯与第二磁环形成第五磁间隙；第五音圈设于第五磁间隙。同现有技术相比，本共享磁路多分频扬声器的有意效果在于：多分频扬声器的分频结构共用一个底座，磁极方向相同，共享单一磁路；通过调节导磁环数量，使得共享的单一磁路提供多个的磁隙，进而获得不同频宽的扬声器组，这样能大大节省成本，减小体积。附图说明此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：图1为实施例1中的共享磁路多分频扬声器剖面图；图2为实施例1中的共享磁路多分频扬声器的剖面图；图3为实施例2中的共享磁路多分频扬声器剖面图；图4为实施例2中的共享磁路多分频扬声器的剖面图。附图标记说明：1、底座；11、导磁板；12、导磁柱；13、导磁环；131、第一磁环；132、第二磁环；133、第三磁环；2、第一分频结构；21、第一华斯；22、第一磁铁；23、第一音圈；24、第一磁间隙；3、第二分频结构；31、第二华斯；32、第二磁铁；33、第二音圈；34、第二磁间隙；4、第三分频结构；41、第三音圈；42、第三磁间隙；5、第四分频结构；51、第三华斯；52、第三磁铁；53、第四音圈；54、第四磁间隙；6、第五分频结构；61、第五音圈；62、第五磁间隙；7、分频结构；71、华斯；72、磁铁；73、音圈；74、磁间隙。具体实施方式以下将以图式揭露本技术的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本技术。也就是说，在本技术的部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些习知惯用的结构与组件在图式中将以简单的示意的方式绘示之。需要说明，本技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。另外，在本技术中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，并非特别指称次序或顺位的意思，亦非用以限定本技术，其仅仅是为了区别以相同技术用语描述的组件或操作而已，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本技术要求的保护范围之内。为能进一步了解本技术的内容、特点及功效，兹例举以下2实施例，并配合附图详细说明如下：实施例1：参照图1，图1为实施例1中的共享磁路多分频扬声器剖面图；本实施例中共享磁路多分频扬声器，包括底座1、第一分频结构2及第二分频结构3；底座1包括导磁板11、导磁柱12以及导磁环13；导磁柱12设于导磁板11；导磁环13包括第一磁环131及第二磁环132，第二磁环132设于导磁板11设有导磁柱12的一侧，并环绕于导磁柱12的外侧壁；第一磁环131设于导磁板11另一侧，并环绕于导磁板11；第一分频结构2包括第一华斯21、第一磁铁22以及第一音圈23；第一磁铁22及第一华斯21由上至下依次设于导磁板11下方，第一华斯21与第一磁环131形成第一磁间隙24，第一音圈23设于第一磁间隙24；第二分频结构3包括第二华斯31、第二磁铁32以及第二音圈33；第二磁铁32及第二华斯31由下至上依次设于导磁板11上并环绕于导磁柱12的外侧壁；第二华斯31与第二磁环132形成第二磁间隙3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种共享磁路多分频扬声器，包括底座(1)，其特征在于：所述底座(1)包括导磁板(11)、导磁柱(12)以及导磁环(13)；所述导磁柱(12)设于所述导磁板(11)；所述导磁环(13)包括第一磁环(131)及第二磁环(132)，所述第二磁环(132)设于所述导磁板(11)设有导磁柱(12)的一侧，并环绕于所述导磁柱(12)的外侧壁；所述第一磁环(131)设于所述导磁板(11)另一侧，并环绕于所述导磁板(11)；所述扬声器还包括第一分频结构(2)及第二分频结构(3)，所述第一分频结构(2)包括第一华斯(21)、第一磁铁(22)以及第一音圈(23)；所述第一磁铁(22)及第一华斯(21)由上至下依次设于所述导磁板(11)下方，所述第一华斯(21)与所述第一磁环(131)形成第一磁间隙(24)，所述第一音圈(23)设于所述第一磁间隙(24)；所述第二分频结构(3)包括第二华斯(31)、第二磁铁(32)以及第二音圈(33)；所述第二磁铁(32)及第二华斯(31)由下至上依次设于所述导磁板(11)上并环绕于所述导磁柱(12)的外侧壁；所述第二华斯(31)与所述第二磁环(132)形成第二磁间隙(34)，所述第二音圈(33)设于所述第二磁间隙(34)。...

【技术特征摘要】
1.一种共享磁路多分频扬声器，包括底座(1)，其特征在于：所述底座(1)包括导磁板(11)、导磁柱(12)以及导磁环(13)；所述导磁柱(12)设于所述导磁板(11)；所述导磁环(13)包括第一磁环(131)及第二磁环(132)，所述第二磁环(132)设于所述导磁板(11)设有导磁柱(12)的一侧，并环绕于所述导磁柱(12)的外侧壁；所述第一磁环(131)设于所述导磁板(11)另一侧，并环绕于所述导磁板(11)；所述扬声器还包括第一分频结构(2)及第二分频结构(3)，所述第一分频结构(2)包括第一华斯(21)、第一磁铁(22)以及第一音圈(23)；所述第一磁铁(22)及第一华斯(21)由上至下依次设于所述导磁板(11)下方，所述第一华斯(21)与所述第一磁环(131)形成第一磁间隙(24)，所述第一音圈(23)设于所述第一磁间隙(24)；所述第二分频结构(3)包括第二华斯(31)、第二磁铁(32)以及第二音圈(33)；所述第二磁铁(32)及第二华斯(31)由下至上依次设于所述导磁板(11)上并环绕于所述导磁柱(12)的外侧壁；所述第二华斯(31)与所述第二磁环(132)形成第二磁间隙(34)，所述第二音圈(33)设于所述第二磁间隙(34)。2.根据权利要求1所述的共享磁路多分频扬声器，其特征在于，所述扬声器还包括第三分频结构(4)；所述第三分频结构(4)设有第三音圈(41)；所述第二华斯(31)与所述导磁柱(12)形成第三磁间隙(42)；所述第三音圈(41)设于所述第三磁间隙(42)。3.根据权利要求1或2任一所述的共享磁路多分频扬声器，其特征在于，所述导磁环(13)还包括至少一个第三磁环(133)；至少一个所述第三磁环(133)设于所述导磁板(11)并环绕所述第二磁环(132)外侧壁；所述扬声器还包括至少一个第四分频结构(5)；所述第四分频结构(5)包括第三华斯(51)、第三磁铁(52)以及第四音圈(53)；所述第三磁铁(52)及第三华斯(51)由下至上依次设于所述导磁板(11)上，并环绕于所述第二磁环(132)的外侧壁；所述第三华斯(51)与所述第三磁环(133)形成第四磁间隙(54)，所述第四音圈(53)设于所述第四磁间隙(54)。4.根据权利要求3所述的共享磁路多分频扬声器，其特征在于，所述扬声器还包括至少一个第五分频结构(6)；至少一个所述第五分频结构(6)设有第五音圈(61)；所述第三华斯(51)与所述第二磁环(132)形成第五磁间隙(62)；所述第五音圈(61)设于所述第五磁间隙(62)。5.一种共享磁路多分频扬声器，包括底座(1)，其特征在于：所述底座(1)包括导磁板(11)、导磁柱(12)以及导磁环(13)；所述导...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟礼通，黄炜炳，寥鹤斌，梁泽君，
申请(专利权)人：钟礼通，
类型：新型
国别省市：广东,44