一种基于TEA1791A的同步整流功率拓展电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于TEA1791A的同步整流功率拓展电路，包括第一图腾柱电路、第二图腾柱电路、第一TEA1791A芯片、第二TEA1791A芯片和功率电路，所述驱动电路包括MOS管V9、MOS管V7、MOS管V8和MOS管V60、MOS管V10、MOS管V11、MOS管V6和MOS管V12，所述第一图腾柱电路包括电阻R82、三极管V41和三极管V42，TEA1791A芯片的第4脚连接电阻R82；所述第二图腾柱电路包括电阻R81、三极管V38和三极管V13，TEA1791A芯片的第四脚连接电阻R81。本实用新型专利技术在TEA1791A的基础之上拓展驱动能力，使TEA1791A能正常的工作在3KW的通信电源同步整流电路中。

【技术实现步骤摘要】
一种基于TEA1791A的同步整流功率拓展电路
本技术涉及一种功率拓展电路，具体是一种基于TEA1791A的同步整流功率拓展电路。
技术介绍
TEA1791A芯片是一种应用在非连续控制模式以及准谐振反激式电源上的同步整流控制芯片。TEA1791A芯片具有欠压保护功能。当芯片电压跌落到8V(典型值)以下，芯片会进入到欠压保护模式中，SRDriver管脚保持低电平状态。当芯片的VCC电压上升到8.5V(典型值)的时候，芯片重新被激活，恢复正常控制模式，芯片的驱动电路能给外部整流MOS管的门极提供250mA的典型驱动电流，同时具备高达2.7A的吸收电流的能力。强劲的电流吸收能力能让MOS管高效的快速通断。驱动即作为驱动源的时候是耦合在了芯片内部的TIMER上的，当TIMER完成滤波判断，进行输出后，驱动源要求能提供一个小电流(典型值为5mA)用来保持Driver的管脚输出。通常情况下，Driver在作为输出源提供250mA驱动电流的时间会比最小同步整流的有效时间(tact(sr)(min))短上100ns。Driver管脚的输出电压限定在10V(典型值)，这样的高电位输出能让几乎所有MOSFET管在打开时的导通电阻做到最小。在启动((VCC<Vstartup)和欠压保护锁定的时候，Driver管脚会被下拉为低电平。TEA1791A在大功率的谐振半桥拓扑电路的输出端，用SR做同步整流时会出现驱动能力不足的情况，影响开关电源的正常工作。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种基于TEA1791A的同步整流功率拓展电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种基于TEA1791A的同步整流功率拓展电路，包括第一图腾柱电路、第二图腾柱电路、第一TEA1791A芯片、第二TEA1791A芯片和功率电路，所述驱动电路包括MOS管V6、MOS管V11、MOS管V10、MOS管V12、MOS管V7、MOS管V8、MOS管V9和MOS管V60，所述第一图腾柱电路包括电阻R82、三极管V41和三极管V42，TEA1791A芯片的第4脚连接电阻R82，电阻R82的另一端连接三极管V41的基极和三极管V42的基极，三极管V42的集电极连接电阻R83，电阻R83的另一端连接电源VCC，三极管V42的发射极连接三极管V41的发射极、电阻R73、电阻R25、电阻R35、电阻R123、二极管V16的阴极、二极管V46的阴极、二极管V40的阴极和二极管V59的阴极，电阻R73的另一端连接电阻R121和MOS管V60的栅极，电阻R121的另一端连接二极管V46的阳极，电阻R35的另一端连接电阻R120和MOS管V8的栅极，电阻R120的另一端连接二极管V16的阳极，电阻R25的另一端连接电阻R119和MOS管V7的栅极，电阻R119的另一端连接二极管V40的阳极，电阻R123的另一端连接电阻R57和MOS管V9的栅极，电阻R57的另一端连接二极管V59的阳极，所述第二图腾柱电路包括电阻R81、三极管V38和三极管V13，第二TEA1791A芯片的第4脚连接电阻R81，电阻R81的另一端连接三极管V13的基极和三极管V38的基极，三极管V38的集电极连接电阻R58，电阻R58的另一端连接电源VCC，三极管V38的发射极连接三极管V13的发射极、电阻R70、电阻R28、电阻R126、电阻R122、二极管V14的阴极、二极管V19的阴极、二极管V43的阴极和二极管V58的阴极，电阻R70的另一端连接电阻R117和MOS管V10的栅极，电阻R117的另一端连接二极管V43的阳极，电阻R28的另一端连接电阻R116和MOS管V11的栅极，电阻R116的另一端连接二极管V19的阳极，电阻R126的另一端连接电阻R115和MOS管V6的栅极，电阻R115的另一端连接二极管V14的阳极，电阻R122的另一端连接电阻R111和MOS管V12的栅极，电阻R111的另一端连接二极管V58的阳极，MOS管V9的漏极连接变压器T1的次级绕组、MOS管V7的漏极、MOS管V8的漏极和MOS管V60的漏极，MOS管V9的源极连接电容C43、电容C15、电容C5、电容C41、电容C42、电容C44、电容C45、MOS管V7的源极、MOS管V8的源极、MOS管V60的源极、MOS管V10的源极、MOS管V11的源极、MOS管V6的源极和MOS管V12的源极，MOS管V10的漏极连接变压器T1的次级绕组的另一端、MOS管V11的漏极、MOS管V6的漏极和MOS管V12的漏极，变压器T1的次级绕组的中心抽头连接电容C43的另一端、电容C15的另一端、电容C5的另一端、电容C41的另一端、电容C42的另一端、电容C44的另一端和电容C45的另一端，变压器T1的初级绕组连接电感L1A，电感L1A的另一端连接MOS管V54的源极和MOS管V53的漏极，MOS管V54的漏极连接电容C11、二极管V27的阴极和二极管V30的阴极，二极管V27的阳极连接MOS管V18的漏极和电感L6A，电感L6A的另一端连接交流电AC+，二极管V30的阳极连接MOS管V32的漏极和电感L7A，电感L7A的另一端连接交流电AC+。作为本技术的优选方案：所述三极管V42和三极管V38均为NPN型三极管，所述三极管V13和三极管V41均为PNP型三极管。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术在TEA1791A的基础之上拓展驱动能力，使TEA1791A能正常的工作在3KW的通信电源同步整流电路中。附图说明图1为功率电路的电路图；图2为第一图腾柱电路的电路图；图3为第二图腾柱电路的电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-3，本技术实施例中，一种基于TEA1791A的同步整流功率拓展电路，包括第一图腾柱电路、第二图腾柱电路、第一TEA1791A芯片、第二TEA1791A芯片和功率电路，所述驱动电路包括MOS管V6、MOS管V11、MOS管V10、MOS管V12、MOS管V7、MOS管V8、MOS管V9和MOS管V60，所述第一图腾柱电路包括电阻R82、三极管V41和三极管V42，TEA1791A芯片的第4脚连接电阻R82，电阻R82的另一端连接三极管V41的基极和三极管V42的基极，三极管V42的集电极连接电阻R83，电阻R83的另一端连接电源VCC，三极管V42的发射极连接三极管V41的发射极、电阻R73、电阻R25、电阻R35、电阻R123、二极管V16的阴极、二极管V46的阴极、二极管V40的阴极和二极管V59的阴极，电阻R73的另一端连接电阻R121和MOS管V60的栅极，电阻R121的另一端连接二极管V46的阳极，电阻R35的另一端连接电阻R120和MOS管V8的栅极，电阻R120的另一端连接二极管V16的阳极，电阻R25的另一端连接电阻R119和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于TEA1791A的同步整流功率拓展电路，包括第一图腾柱电路、第二图腾柱电路、第一TEA1791A芯片、第二TEA1791A芯片和功率电路，其特征在于，所述功率电路包括MOS管V6、MOS管V11、MOS管V10、MOS管V12、MOS管V7、MOS管V8、MOS管V9和MOS管V60，所述第一图腾柱电路包括电阻R82、三极管V41和三极管V42，TEA1791A芯片的第4脚连接电阻R82，电阻R82的另一端连接三极管V41的基极和三极管V42的基极，三极管V42的集电极连接电阻R83，电阻R83的另一端连接电源VCC，三极管V42的发射极连接三极管V41的发射极、电阻R73、电阻R25、电阻R35、电阻R123、二极管V16的阴极、二极管V46的阴极、二极管V40的阴极和二极管V59的阴极，电阻R73的另一端连接电阻R121和MOS管V60的栅极，电阻R121的另一端连接二极管V46的阳极，电阻R35的另一端连接电阻R120和MOS管V8的栅极，电阻R120的另一端连接二极管V16的阳极，电阻R25的另一端连接电阻R119和MOS管V7的栅极，电阻R119的另一端连接二极管V40的阳极，电阻R123的另一端连接电阻R57和MOS管V9的栅极，电阻R57的另一端连接二极管V59的阳极，所述第二图腾柱电路包括电阻R81、三极管V38和三极管V13，第二TEA1791A芯片的第4脚连接电阻R81，电阻R81的另一端连接三极管V13的基极和三极管V38的基极，三极管V38的集电极连接电阻R58，电阻R58的另一端连接电源VCC，三极管V38的发射极连接三极管V13的发射极、电阻R70、电阻R28、电阻R126、电阻R122、二极管V14的阴极、二极管V19的阴极、二极管V43的阴极和二极管V58的阴极，电阻R70的另一端连接电阻R117和MOS管V10的栅极，电阻R117的另一端连接二极管V43的阳极，电阻R28的另一端连接电阻R116和MOS管V11的栅极，电阻R116的另一端连接二极管V19的阳极，电阻R126的另一端连接电阻R115和MOS管V6的栅极，电阻R115的另一端连接二极管V14的阳极，电阻R122的另一端连接电阻R111和MOS管V12的栅极，电阻R111的另一端连接二极管V58的阳极，MOS管V9的漏极连接变压器T1的次级绕组、MOS管V7的漏极、MOS管V8的漏极和MOS管V60的漏极，MOS管V9的源极连接电容C43、电容C15、电容C5、电容C41、电容C42、电容C44、电容C45、MOS管V7的源极、MOS管V8的源极、MOS管V60的源极、MOS管V10的源极、MOS管V11的源极、MOS管V6的源极和MOS管V12的源极，MOS管V10的漏极连接变压器T1的次级绕组的另一端、MOS管V11的漏极、MOS管V6的漏极和MOS管V12的漏极，变压器T1的次级绕组的中心抽头连接电容C43的另一端、电容C15的另一端、电容C5的另一端、电容C41的另一端、电容C42的另一端、电容C44的另一端和电容C45的另一端，变压器T1的初级绕组连接电感L1A，电感L1A的另一端连接MOS管V54的源极和MOS管V53的漏极，MOS管V54的漏极连接电容C11、二极管V27的阴极和二极管V30的阴极，二极管V27的阳极连接MOS管V18的漏极和电感L6A，电感L6A的另一端连接交流电AC+，二极管V30的阳极连接MOS管V32的漏极和电感L7A，电感L7A的另一端连接交流电AC+。...

【技术特征摘要】
1.一种基于TEA1791A的同步整流功率拓展电路，包括第一图腾柱电路、第二图腾柱电路、第一TEA1791A芯片、第二TEA1791A芯片和功率电路，其特征在于，所述功率电路包括MOS管V6、MOS管V11、MOS管V10、MOS管V12、MOS管V7、MOS管V8、MOS管V9和MOS管V60，所述第一图腾柱电路包括电阻R82、三极管V41和三极管V42，TEA1791A芯片的第4脚连接电阻R82，电阻R82的另一端连接三极管V41的基极和三极管V42的基极，三极管V42的集电极连接电阻R83，电阻R83的另一端连接电源VCC，三极管V42的发射极连接三极管V41的发射极、电阻R73、电阻R25、电阻R35、电阻R123、二极管V16的阴极、二极管V46的阴极、二极管V40的阴极和二极管V59的阴极，电阻R73的另一端连接电阻R121和MOS管V60的栅极，电阻R121的另一端连接二极管V46的阳极，电阻R35的另一端连接电阻R120和MOS管V8的栅极，电阻R120的另一端连接二极管V16的阳极，电阻R25的另一端连接电阻R119和MOS管V7的栅极，电阻R119的另一端连接二极管V40的阳极，电阻R123的另一端连接电阻R57和MOS管V9的栅极，电阻R57的另一端连接二极管V59的阳极，所述第二图腾柱电路包括电阻R81、三极管V38和三极管V13，第二TEA1791A芯片的第4脚连接电阻R81，电阻R81的另一端连接三极管V13的基极和三极管V38的基极，三极管V38的集电极连接电阻R58，电阻R58的另一端连接电源VCC，三极管V38的发射极连接三极管V13的发射极、电阻R70、电阻R28、电阻R126、电阻R122、二极管V14的阴极、二极管V19的阴极、二极管V43的阴极和二极管V58的阴极，电阻R70的另一端连接电阻R117...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹继舜，杨晓华，
申请(专利权)人：深圳英宝莱科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44