放电装置与高功率半导体激光器制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种放电装置和高功率半导体激光器。高功率半导体激光包括放电装置，其中放电装置包括电源、第一晶体管、第二晶体管以及控制电路；所述电源的正极与所述第一晶体管的漏极连接，所述第一晶体管的源极用于与激光二极管的正极连接，所述电源的负极用于与所述激光二极管的负极连接，所述第一晶体管的栅极与所述控制电路的第一输出端连接；所述第二晶体管的漏极与所述第一晶体管的源极连接，所述第二晶体管的源极用于与所述激光二极管的负极连接，所述第二晶体管的栅极与所述控制电路的第二输出端连接。所述放电装置以及高功率半导体激光器能够确保激光器的负载端的残留电量可以快速放完，从而可降低激光器故障率。

【技术实现步骤摘要】
放电装置与高功率半导体激光器
本技术涉及激光器焊接领域，特别是涉及一种放电装置与高功率半导体激光器。
技术介绍
激光焊接是一种新兴的焊接工艺，其相对各种传统焊接工艺，具有的最大的优势在于焊接能量密度高、热影响范围小、变形小以及焊缝精美。并且，由于激光焊接技术具有熔池净化效应，能够纯净焊接材料，因此有利于同种或者不同种材料的焊接，特别适用于相同或不同金属材料、塑料等材料的焊接。而对于中厚板焊接需要更高功率的激光器焊接，例如应用广泛的高功率半导体激光器。然而由于设计高功率半导体激光器需要布局较多的LD(激光二极管)，会造成负载寄生参数电容容抗升高，同时断电时存储的电量过高，而导致系统断电时负载端电压还处于高压阶段，缓慢放电，因此容易存在一定的安全因素，同时也增加了激光器的故障率。
技术实现思路
基于此，有必要针对高功率半导体激光器的负载端残留电量，造成高功率半导体激光器存在一定的安全隐患，故障率较高的问题，提供一种能够确保激光器的负载端的残留电量可以快速放完，降低激光器故障率的放电装置与高功率半导体激光器。一种放电装置，包括电源、第一晶体管、第二晶体管以及控制电路；所述电源的正极与所述第一晶体管的漏极连接，所述第一晶体管的源极用于与激光二极管的正极连接，所述电源的负极用于与所述激光二极管的负极连接，所述第一晶体管的栅极与所述控制电路的第一输出端连接；所述第二晶体管的漏极与所述第一晶体管的源极连接，所述第二晶体管的源极用于与所述激光二极管的负极连接，所述第二晶体管的栅极与所述控制电路的第二输出端连接。在其中一实施例中，还包括第三晶体管，所述第三晶体管的漏极与所述第一晶体管的源极连接，所述第三晶体管的源极用于与所述激光二极管的正极连接，所述第三晶体管的源极与所述第二晶体管的漏极连接，所述第三晶体管的栅极与所述控制电路的第三输出端连接。在其中一实施例中，还包括第四晶体管，所述第四晶体管的漏极与所述第一晶体管的源极连接，所述第四晶体管的源极与所述第二晶体管的漏极连接，所述第四晶体管的栅极与所述控制电路的第四输出端连接。在其中一实施例中，述第一晶体管的数量为多个，多个所述第一晶体管依次串联。在其中一实施例中，所述控制电路包括单片机。在其中一实施例中，所述单片机为数字信号处理器芯片。在其中一实施例中，所述单片机为微程序控制器芯片。在其中一实施例中，所述控制电路的输入端与所述电源连接。在其中一实施例中，还包括第三晶体管与第四晶体管；所述第三晶体管的漏极与所述第一晶体管的源极连接，所述第三晶体管的源极用于与所述激光二极管的正极，所述第三晶体管的源极还与所述第四晶体管的漏极连接，所述第三晶体管的栅极与所述控制电路的第三输出端连接，所述第四晶体管的源极与所述第二晶体管的漏极连接，所述第四晶体管的栅极与所述控制电路的第四输出端连接。一种高功率半导体激光器，包括激光二极管，还包括所述的放电装置。上述放电装置与高功率半导体激光器，通过在电路中设置第一晶体管，通过控制电路提供上电信号使得第一晶体管导通，从而实现负载端的激光二极管受电发出激光，同时通过在电路中设置放电用的第二晶体管，将放电用的第二晶体管与控制电路连接，使得控制电路在控制第一晶体管截止的同时使得第二晶体管导通，从而实现通过第二晶体管将负载端的电压迅速降低至安全电压，从而降低了高功率半导体激光器的故障率。附图说明图1为一实施例的放电装置的结构框图；图2为另一实施例的放电装置的电路结构示意图。具体实施方式为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳实施方式。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本技术的公开内容理解的更加透彻全面。需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”、“顶部”、“底部”、“底端”、“顶端”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。例如，一种放电装置，包括电源、第一晶体管、第二晶体管以及控制电路；所述电源的正极与所述第一晶体管的漏极连接，所述第一晶体管的源极用于与激光二极管的正极连接，所述电源的负极用于与所述激光二极管的负极连接，所述第一晶体管的栅极与所述控制电路的第一输出端连接；所述第二晶体管的漏极与所述第一晶体管的源极连接，所述第二晶体管的源极用于与所述激光二极管的负极连接，所述第二晶体管的栅极与所述控制电路的第二输出端连接。例如，一种高功率半导体激光器，包括激光二极管，还包括所述放电装置；所述放电装置包括电源、第一晶体管、第二晶体管以及控制电路；所述电源的正极与所述第一晶体管的漏极连接，所述第一晶体管的源极用于与激光二极管的正极连接，所述电源的负极用于与所述激光二极管的负极连接，所述第一晶体管的栅极与所述控制电路的第一输出端连接；所述第二晶体管的漏极与所述第一晶体管的源极连接，所述第二晶体管的源极用于与所述激光二极管的负极连接，所述第二晶体管的栅极与所述控制电路的第二输出端连接。在一实施例中，如图1和图2所示，一种放电装置10，包括电源、第一晶体管Q1、第二晶体管Q2以及控制电路100。其中，电源为该放电装置的供电电源，同时也是高功率半导体激光器的工作电源。例如，控制电路100的输入端与电源连接。即电源还可以作为控制电路100的驱动电源。另外，第一晶体管Q1与第二晶体管Q2均为MOS管，即场效应晶体管。具体地，电源的正极与第一晶体管Q1的漏极连接，第一晶体管Q1的源极用于与激光二极管LD的正极连接，电源110的负极用于连接激光二极管LD的负极。这样通过电源110以及第一晶体管Q1向负载端的激光二极管LD供电以形成一导通电路，该导通电路为正常高功率半导体激光器的工作电路，其中第一晶体管Q1用作开关串联于该导通电路中。为了在导通电路结束工作时，使得负载端的激光二极管LD两端的电压能够快速被迅速降低至安全电压，例如，第二晶体管Q2的漏极与第一晶体管Q1的源极连接，第二晶体管Q2的源极用于与激光二极管LD的负极连接。即通过在导通电路中连接第二晶体管Q2，从而使得第二晶体管Q2与负载端的激光二极管LD相连接形成放电电路，通过放电电路将激光二极管两端的电压快速降低。具体地，如图2所示，对于高功率半导体激光器而言，其负载端并联多个激光二极管形成一负载阵列，在结束工作时会于激光二极管的两端残留一定的电压，可以通过一等效电容C1等效该剩余电压，即相当于通过第二晶体管Q2连接于该等效电容的两端，通过第二晶体管Q2来实现快速将该电容电荷进行消耗。另外，为了避免用于放电的第二晶体管Q2在进行放电时由于电流过大而损坏，所选择的第二晶体管Q本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种放电装置，其特征在于，包括电源、第一晶体管、第二晶体管以及控制电路；所述电源的正极与所述第一晶体管的漏极连接，所述第一晶体管的源极用于与激光二极管的正极连接，所述电源的负极用于与所述激光二极管的负极连接，所述第一晶体管的栅极与所述控制电路的第一输出端连接；所述第二晶体管的漏极与所述第一晶体管的源极连接，所述第二晶体管的源极用于与所述激光二极管的负极连接，所述第二晶体管的栅极与所述控制电路的第二输出端连接。

【技术特征摘要】
1.一种放电装置，其特征在于，包括电源、第一晶体管、第二晶体管以及控制电路；所述电源的正极与所述第一晶体管的漏极连接，所述第一晶体管的源极用于与激光二极管的正极连接，所述电源的负极用于与所述激光二极管的负极连接，所述第一晶体管的栅极与所述控制电路的第一输出端连接；所述第二晶体管的漏极与所述第一晶体管的源极连接，所述第二晶体管的源极用于与所述激光二极管的负极连接，所述第二晶体管的栅极与所述控制电路的第二输出端连接。2.根据权利要求1所述的放电装置，其特征在于，还包括第三晶体管，所述第三晶体管的漏极与所述第一晶体管的源极连接，所述第三晶体管的源极用于与所述激光二极管的正极连接，所述第三晶体管的源极还与所述第二晶体管的漏极连接，所述第三晶体管的栅极与所述控制电路的第三输出端连接。3.根据权利要求1所述的放电装置，其特征在于，还包括第四晶体管，所述第四晶体管的漏极与所述第一晶体管的源极连接，所述第四晶体管的源极与所述第二晶体管的漏极连接，所述第四晶体管的栅极与所述控制电路的第四输出端连...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟绪浪，朱宝华，陆业钊，罗又辉，王瑾，高云峰，
申请(专利权)人：大族激光科技产业集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44