一种阵列基板、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种阵列基板、显示面板及显示装置，涉及显示技术领域，以改善显示装置的画面显示质量。所述阵列基板包括：衬底基板，以及位于衬底基板上的数据线、导电屏蔽层、像素电极、黑矩阵，其中，导电屏蔽层和像素电极均位于数据线背向衬底基板的一侧，导电屏蔽层与像素电极和数据线均不接触，导电屏蔽层和黑矩阵均包括与数据线相对的部分，黑矩阵位于导电屏蔽层背向数据线的一侧。导电屏蔽层与数据线之间形成耦合电场，减小数据线与像素电极之间的耦合电场，黑矩阵设置在导电屏蔽层背向数据线的一侧，防止黑矩阵将导电屏蔽层和数据线隔开，改善显示装置的画面显示质量。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示面板及显示装置
本技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
技术介绍
目前，显示装置的主体结构通常包括显示面板，显示面板通常包括阵列基板以及与该阵列基板相对的对侧基板，其中，阵列基板通常包括衬底基板以及位于衬底基板上的多条数据线和多条栅线，多条数据线和多条栅线交叉限定出多个像素区，每个像素区内设置有像素电极。当显示装置显示画面时，通过数据线传输信号，给像素电极施加电压，以实现显示装置的显示。然而，现有的显示装置显示画面时，通过数据线传输信号，给像素电极施加电压，数据线与像素电极之间通常会形成耦合电场，对像素电极的电压造成不良影响，从而引起显示装置的画面显示质量降低。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种阵列基板，用于改善显示装置的画面显示质量。为了实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种阵列基板，包括：衬底基板，以及位于所述衬底基板上的数据线、导电屏蔽层、像素电极、黑矩阵，其中，所述导电屏蔽层和所述像素电极均位于所述数据线背向所述衬底基板的一侧，所述导电屏蔽层与所述像素电极和所述数据线均不接触，所述导电屏蔽层和所述黑矩阵均包括与所述数据线相对的部分，所述黑矩阵位于所述导电屏蔽层背向所述数据线的一侧。优选地，在所述数据线的宽度方向上，所述数据线与所述导电屏蔽层相对的部分在所述衬底基板上的正投影，落入所述导电屏蔽层与该数据线相对的部分在所述衬底基板上的正投影内，所述导电屏蔽层与所述数据线相对的部分在所述衬底基板上的正投影，落入所述黑矩阵与该数据线相对的部分在所述衬底基板上的正投影内。优选地，所述导电屏蔽层与所述像素电极同层设置。优选地，所述阵列基板还包括位于所述像素电极背向所述衬底基板的一侧的公共电极，所述导电屏蔽层与所述公共电极同层设置。优选地，所述公共电极为狭缝状电极。优选地，所述像素电极与所述公共电极之间设置有层间绝缘层。优选地，所述阵列基板包括位于所述衬底基板上的栅线；所述导电屏蔽层和所述黑矩阵均还包括与所述栅线相对的部分，所述导电屏蔽层不与所述栅线接触，且在所述栅线的宽度方向上，所述栅线与所述导电屏蔽层相对的部分在所述衬底基板上的正投影，落入所述导电屏蔽层与该栅线相对的部分在所述衬底基板上的正投影内，所述导电屏蔽层与所述栅线相对的部分在所述衬底基板上的正投影，落入所述黑矩阵与该栅线相对的部分在所述衬底基板上的正投影内。优选地，所述阵列基板包括与所述栅线同层设置且位于所述栅线一侧的公共电极线；在所述栅线的宽度方向上，所述公共电极线在所述衬底基板上的正投影和所述栅线在所述衬底基板上的正投影均落入所述黑矩阵与该栅线相对的部分在所述衬底基板上的正投影内。优选地，所述阵列基板还包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线同层设置，且所述薄膜晶体管的栅极与对应的所述栅线连接，所述薄膜晶体管的源极和漏极均与所述数据线同层设置，且所述薄膜晶体管的源极与所述数据线连接，所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极连接；所述薄膜晶体管与所述像素电极之间设置有钝化层；所述阵列基板还包括彩膜层，所述彩膜层位于所述钝化层与所述像素电极之间，所述彩膜层与所述像素电极之间设置有平坦化层。优选地，所述导电屏蔽层与设置在所述衬底基板边缘的电压源连接。在本技术提供的阵列基板中设置与数据线相对的导电屏蔽层，导电屏蔽层和像素电极位于数据线背向衬底基板的一侧，即在垂直于衬底基板的方向上，导电屏蔽层和像素电极位于数据线远离衬底基板的一侧，导电屏蔽层不与数据线、像素电极接触，因而将本技术提供的阵列基板应用到显示面板中，并使具有该显示面板的显示装置显示画面时，通过数据线传输信号，给像素电极施加电压，此时，导电屏蔽层与数据线之间可以形成耦合电场，以减小数据线与像素电极之间的耦合电场，从而防止对像素电极的电压造成不良影响，进而改善显示装置的画面显示质量；同时，将黑矩阵设置在导电屏蔽层背向数据线的一侧，可以防止黑矩阵将导电屏蔽层和数据线隔开，减小导电屏蔽层与数据线之间的距离，以增加对数据线与像素电极之间的耦合电场减小的效果，进一步改善显示装置的画面显示质量。本技术的目的在于提供一种显示面板，用于改善显示装置的画面显示质量。为了实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种显示面板，所述显示面板包括如上述技术方案所述的阵列基板。所述显示面板与上述阵列基板相对于现有技术所具有的优势相同，在此不再赘述。本技术的目的在于提供一种显示装置，用于改善显示装置的画面显示质量。为了实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种显示装置，所述显示装置包括如上述技术方案所述的显示面板。所述显示装置与上述显示面板相对于现有技术所具有的优势相同，在此不再赘述。附图说明此处所说明的附图用来提供对本技术的进一步理解，构成本技术的一部分，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：图1为本技术实施例提供的一种阵列基板的平面图；图2为图1中A-A’向剖视图；图3为图1中B-B’向剖视图；图4为本技术实施例提供的另一种阵列基板的平面图；图5为图4中C-C’向剖视图；图6为图4中D-D’向剖视图；图7为本技术实施例提供的一种阵列基板的制造方法；图8为本技术实施例提供的另一种阵列基板的制造方法。附图标记：1-衬底基板，2-薄膜晶体管，3-栅线，4-数据线，5-公共电极线，6-栅极绝缘层，7-钝化层，8-彩膜层，81-R彩膜，82-G彩膜，83-B彩膜，9-平坦化层，10-像素电极，11-导电屏蔽层，12-黑矩阵，13-公共电极。具体实施方式为了进一步说明本技术实施例提供的阵列基板、显示面板及显示装置，下面结合说明书附图进行详细描述。请参阅图1至图6，本技术实施例提供的阵列基板包括：衬底基板1，以及位于衬底基板1上的数据线4、导电屏蔽层11、像素电极10、黑矩阵12，其中，导电屏蔽层11和像素电极10均位于数据线4背向衬底基板1的一侧，导电屏蔽层11与像素电极10和数据线4均不接触，导电屏蔽层11和黑矩阵12均包括与数据线4相对的部分，黑矩阵12位于导电屏蔽层11背向数据线4的一侧。举例来说，请参阅图1或图4，本技术实施例提供的阵列基板包括呈阵列排布的多个子像素，每列子像素中的各子像素均与对应的数据线4连接，具体地，子像素可以包括薄膜晶体管2，薄膜晶体管2的源极与对应的数据线4连接，本技术实施例提供的阵列基板还包括导电屏蔽层11、像素电极10和黑矩阵12，其中，每个子像素对应设置一个像素电极10，导电屏蔽层11和黑矩阵12均具有与数据线4相对的部分，请参阅图2或图5，数据线4、导电屏蔽层11、像素电极10和黑矩阵12均位于本技术实施例提供的阵列基板的衬底基板1上，其中，导电屏蔽层11和像素电极10均位于数据线4背向衬底基板1的一侧，即导电屏蔽层11和像素电极10均位于图2或图5中数据线4的上方，导电屏蔽层11与像素电极10和数据线4均不接触，像素电极10与薄膜晶体管2的漏极连接，薄膜晶体管2导通时，经数据线4可向像素电极10传输信号，黑矩阵12位于导电屏蔽层11背向数据线4的一侧，即黑矩阵12位于图2或图5中导电屏蔽本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板，以及位于所述衬底基板上的数据线、导电屏蔽层、像素电极、黑矩阵，其中，所述导电屏蔽层和所述像素电极均位于所述数据线背向所述衬底基板的一侧，所述导电屏蔽层与所述像素电极和所述数据线均不接触，所述导电屏蔽层和所述黑矩阵均包括与所述数据线相对的部分，所述黑矩阵位于所述导电屏蔽层背向所述数据线的一侧。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板，以及位于所述衬底基板上的数据线、导电屏蔽层、像素电极、黑矩阵，其中，所述导电屏蔽层和所述像素电极均位于所述数据线背向所述衬底基板的一侧，所述导电屏蔽层与所述像素电极和所述数据线均不接触，所述导电屏蔽层和所述黑矩阵均包括与所述数据线相对的部分，所述黑矩阵位于所述导电屏蔽层背向所述数据线的一侧。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述数据线的宽度方向上，所述数据线与所述导电屏蔽层相对的部分在所述衬底基板上的正投影，落入所述导电屏蔽层与该数据线相对的部分在所述衬底基板上的正投影内，所述导电屏蔽层与所述数据线相对的部分在所述衬底基板上的正投影，落入所述黑矩阵与该数据线相对的部分在所述衬底基板上的正投影内。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导电屏蔽层与所述像素电极同层设置。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述像素电极背向所述衬底基板的一侧的公共电极，所述导电屏蔽层与所述公共电极同层设置。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极为狭缝状电极。6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极与所述公共电极之间设置有层间绝缘层。7.根据权利要求3～6任一所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括位于所述衬底基板上的栅线；所述导电屏蔽层和所述黑矩阵均还包括与所述栅线相对的部分，所述导电屏蔽层不与所述栅线接触，且...

【专利技术属性】
技术研发人员：程鸿飞，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11