一种以大电流电阻烧结制备钨钼铜复合材料的方法技术

本发明专利技术公开的以大电流电阻烧结制备钨钼铜复合材料的方法是先将钨粉、钼粉和铜粉球磨充分混匀，将混匀后的粉末放入模具内压制成圆柱结构生坯，然后将生坯放入反应室内，以特定的热处理工艺，在较低温度下制备钨钼铜复合材料。由于本发明专利技术是针对现有熔渗法制备钨钼铜合金存在的问题，提供一种以大电流电阻烧结制备钨钼铜复合材料的方法，与现有熔渗法相比，该方法可使制备温度由1100~1600℃降低至700~1000℃，也可使制备时间由100~760min缩短至4~27min，且本发明专利技术利用电场直接作用于坯体对其急速加热即可完成致密化过程，简化了工艺、易于实施，还可获得晶粒细小且结合紧密的产品。解决了现有烧结方法存在的烧结温度高、烧结时间长，工艺复杂等缺点。

【技术实现步骤摘要】
一种以大电流电阻烧结制备钨钼铜复合材料的方法
本专利技术属于复合材料制备
，具体涉及一种以大电流电阻烧结钨钼铜复合材料的制备方法。
技术介绍
W-Cu和Mo-Cu合金都是由既不互相固溶又不形成金属间化合物的两相混合组织组成的复合材料。W-Cu具有良好的耐电弧侵蚀性、抗熔焊性、高强度和高硬度等特点，被广泛应用于电子电气、军事装备、航空航天及其它新
，Mo-Cu虽能很大程度上实现部件的减重要求，但其高温强度和抗烧蚀性在高温恶劣环境下仍不能胜任，只能应用在一些使用温度较低的场合，如空气舵、配重、连接板等。因此，在W-Cu合金的基础上，用部分Mo在成分上替代W，合成W-Mo-Cu复合材料有望实现W-Cu、Mo-Cu合金性能的优化组合，且可根据需要改变钨钼配比以更为灵活地对材料性能进行调控，进一步拓宽材料的应用范围，适用于更多的领域。目前国内外对W-Mo-Cu复合材料的研究报道甚少，经技术查新所检索到的以及所了解到的与本专利技术相关的技术仅有两例。唐亮亮等人(钨钼渗铜材料的力学性能和组织研究,粉末冶金工业,2011,21(3):6-10)采用传统熔渗法制备钨钼渗铜材料，该方法将粉末粒度分别为6.64μm的钨粉和5.0μm的钼粉混匀后经冷等静压成形，通过特定的热处理工艺制成钨钼骨架（具体工艺参数文中未给出），然后在渗铜炉中将金属铜熔渗到骨架中得到钨钼渗铜材料。CN103194629公开了一种钨钼铜复合材料的制备方法，同样以钨钼混合粉末压制成钨钼素坯，再以先真空、后氢气气氛的烧结方法预烧得到钨钼骨架，而后将预烧骨架浸入液相铜中制备得到钨钼铜复合材料。其制备工艺为：将钨钼素坯置于在真空条件下以10~30℃/min的升温速率升温至800~1600℃后保温60~240min，接着关闭真空，向加热炉内充入氢气，继续保温60~240min，最后随炉冷却，得到钨钼骨架；再在1100~1400℃熔浸20~120min后冷却得到钨钼铜复合材料。这种方法不仅对生产设备要求较高，且耗能高；其次因需先获得钨钼骨架再熔浸，需经过两次热处理，故工艺复杂，制备周期长，大大增加了生产成本；且烧结温度高、烧结时间长，容易造成材料晶粒粗大，影响该材料作为新型功能材料的应用。综上，对于上述现有的两例制备钨钼铜复合材料的方法均为熔渗法，即先在高温条件下制备钨钼骨架，再通过高温渗铜来制备钨钼铜复合材料。该方法存在烧结温度高、烧结时间长、晶粒长大严重等缺点，而且这些繁琐的过程增加了生产工序，加大了生产的难度，增加生产成本，从而在一定程度上限制了钨钼铜复合材料的推广应用。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对上述现有技术存在的问题，提供一种以大电流电阻烧结制备钨钼铜复合材料的方法，该方法简化了工艺、且易于实施，降低了生产成本。与现有的熔渗法制备钨钼铜复合材料相比，将大电流电阻烧结法应用于烧结制备W-Mo-Cu合金，制备温度可由1100~1600℃降低至700~1000℃，制备时间也可由100~760min缩短至4~27min，钨、钼晶粒细小且结合紧密，其消耗电能只有传统烧结工艺的1/4~1/3，解决了现有熔渗法存在的烧结温度高、烧结时间长，工艺复杂等缺点。本专利技术提供的以大电流电阻烧结制备钨钼铜复合材料的方法，该方法的具体工艺步骤和条件如下。1、先将25~45wt%W、35~55wt%Mo和10~30wt%Cu粉加入高能行星式球磨机内的不锈钢球磨罐中，然后进行球磨以混合均匀（球磨转速为80~150r/min，球磨时间为0.5~4小时），球磨的同时加入少许酒精以防止粉料在球磨过程中被氧化。2、将球磨混合均匀的钨钼铜粉末在模具中压制成圆柱体结构且相对密度为68％~80％的生坯，然后将生坯放置于加热设备中，在输出电压为3~10V、输出电流为4000~12000A的电场，利用电场直接作用于坯体对其急速加热实现烧结致密化。在真空度为10-3Pa的条件下，使生坯升温至200℃后保温1~5min，接着以10~200℃/s的升温速率继续升温至700~1000℃后施加保压压力P（10~45MPa），再保温5~15min后断电得到W-Mo-Cu合金。为了更好地实现本专利技术的目的，本专利技术还采用了以下措施：即使用的W、Mo粉的粒度为2~3μm，采用粒度为20~30μm的Cu粉。本专利技术与现有技术相比，具有以下积极效果。1、由于本专利技术利用电场直接作用在压坯上，从而降低了活化能，促进了晶格扩散，因而可加速压坯中的粉末间的固相扩散，有利于烧结体的致密化，进而实现了在低温条件下也可实现固相扩散并达到致密化，获得烧结体的目的。2、本专利技术以大电流电阻烧结法制备钨钼铜复合材料，与现有的熔渗法制备钨钼铜复合材料相比，该方法可使制备温度由1100~1600℃降低至700~1000℃，也可使制备时间由100~760min缩短至4~27min，其消耗电能只有传统烧结工艺的1/4~1/3。3、由于用本专利技术方法烧结钨钼铜复合材料的烧结温度低，烧结时间短，因而烧结体的晶粒生长能得到有效控制，可获得0.5~3μm左右的超细晶粒组织(现有熔渗法制备钨钼铜合金的晶粒组织为10~15μm)，有利于提高材料的性能。4、相比熔渗法制备钨钼铜复合材料，且本专利技术利用电流直接通过坯体对其急速加热即可完成致密化过程制备钨钼铜复合材料，因而大大简化了生产工艺，缩短了制备周期，不仅可降低能耗，进一步节约了生产成本，还可改善制备环境的工作条件。因此耗能低、周期短、效率高，符合“绿色生产”的要求。5、由于本专利技术的升温速度、压力等工艺参数可以调节，因此可以方便、有效地控制加热过程。6、本专利技术方法简单、可靠，易于调节控制。下面结合附图和实施例，对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。附图说明图1为本专利技术所采用的热模拟机加热部分示意图。图2为本专利技术实施例3制备的钨钼铜复合材料显微形貌图。图3为本专利技术实施例6制备的钨钼铜复合材料显微形貌图。图4为本专利技术实施例11制备的钨钼铜复合材料显微形貌图。图5为本专利技术实施例12制备的钨钼铜复合材料显微形貌图。图6为本专利技术实施例15制备的钨钼铜复合材料显微形貌图。图7为本专利技术实施例20制备的钨钼铜复合材料显微形貌图。具体实施方式下面通过实施例对本专利技术进行具体的描述，有必要在此指出的是本实施例只用于对本专利技术进行进一步说明，不能理解为对本专利技术保护范围的限制，该领域的技术熟练人员可以根据上述本专利技术的内容做出一些非本质的改进和调整。值得说明的是：1)以下各实施例所用物料的比例均为质量百分比；2)本专利技术实施例都是压制成直径为13.1mm，高度为11mm的圆柱生坯，再在生坯上加上可控脉冲电流（4000~12000A），利用电场直接作用于坯体对其急速加热实现烧结致密化过程。本专利技术具体的实施步骤如下。实施例1~20。1、将粒度为20~30μm的铜粉，粒度为2~3μm的钨粉和钼粉分别按照表中所列的质量配比加入高能行星式球磨机内进行球磨，同时在球磨罐中加入少许酒精以防止粉料在球磨过程中被氧化。2、将球磨混匀的钨钼铜粉末装入模具内压制成圆柱结构的生坯，且生坯相对密度保持在68％~80％。3、将生坯放置于加热设备中，在输出电压为3~10V、输出电流为4000~12000A的电场，真空度为10-3Pa的条件下，对生坯直接通电进行急速本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种以大电流电阻烧结钨钼铜复合材料的制备方法，其特征在于先将以重量百分比计的25~45wt%W、35~55wt%Mo和10~30wt%Cu粉按照配比混合均匀，再将混合好的钨钼铜粉末在模具中压制成圆柱体结构且相对密度为68％~80％的生坯，然后将生坯放置于加热设备中，在输出电压为3~10V、输出电流为4000~12000A的电场，真空度为10

【技术特征摘要】
1.一种以大电流电阻烧结钨钼铜复合材料的制备方法，其特征在于先将以重量百分比计的25~45wt%W、35~55wt%Mo和10~30wt%Cu粉按照配比混合均匀，再将混合好的钨钼铜粉末在模具中压制成圆柱体结构且相对密度为68％~80％的生坯，然后将生坯放置于加热设备中，在输出电压为3~10V、输出电流为4000~12000A的电场，真空度为10-3Pa的条件下，对生坯直接通电进行急速加热，使生坯升温至200℃后保温1~5min，接着以10~200℃/s的升温速率继续升温至700~1000℃后施加保压压力P（10~45MPa），再保温5~15min后断电得到W-Mo-Cu合金。2.根据权利要求1所述的以大电流电阻烧结制备钨钼铜复...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯可芹，周虹伶，柯思璇，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：发明
国别省市：四川,51