一种铠装温度检测装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种铠装温度检测装置，包括凸触、凹槽、底座、固定螺纹、探头、陶瓷底座、保护罩及引线接口，探头设置在传感器底部，固定螺纹设置在探头顶部，引线接口设置在底座的侧壁上，陶瓷底座安装在底座内部，保护罩底部一圈设置凸触，且凸触与保护罩一体连接，在底座顶部设置凹槽，凸触嵌入凹槽内从而固定保护罩。安全可靠，本实用设计的温度检测装置，精度高，操作简单方便，宜推广使用。

【技术实现步骤摘要】
一种铠装温度检测装置
本技术涉及检测设备领域，尤其涉及一种铠装温度检测装置。
技术介绍
当下铠装温度检测装置检测精度低，同时操作复杂，不能检测信号传输繁琐，大大降低操作人员的工作效率，成本高经济效益低。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种铠装温度检测装置，以解决上述技术问题，为实现上述目的本技术采用以下技术方案：一种铠装温度检测装置，包括凸触、凹槽、底座、固定螺纹、探头、陶瓷底座、保护罩及引线接口，探头设置在传感器底部，固定螺纹设置在探头顶部，引线接口设置在底座的侧壁上，陶瓷底座安装在底座内部，保护罩底部一圈设置凸触，且凸触与保护罩一体连接，在底座顶部设置凹槽，凸触嵌入凹槽内从而固定保护罩。在上述技术方案基础上，所述凹槽内铺设一层防水橡胶密封垫。在上述技术方案基础上，所述陶瓷底座底部设置温度检测电路，电路中芯片U1中IR2端口经电阻R1接电阻RTD，同时IR2端口接晶体管Q2的集电极，芯片U1的IR1端口经电阻R5接晶体管Q2的基极，芯片U1的VLIN端口经电阻R2接晶体管Q2的集电极，同时VLIN端口经电阻R3接芯片U1的VIN-端口，芯片U1的VIN+端口接晶体管Q2的集电极，芯片U1的RG端口经电阻R4接芯片U1的另一个RG端口，电阻RTD经电阻R7接晶体管Q2的基极，电阻RTD经电阻R8接晶体管Q2的发射极，同时电阻R8分别经电阻R6和电容C2接芯片U1的IRET端口，芯片U1的V+端口接晶体管Q1的集电极，V+端口经二极管D1接电容C2，电容C2接地，V+端口经电容C1接芯片U2的IN+端口，芯片U1的B端口接晶体管Q1的基极，芯片U2的E端口接晶体管Q1的发射极，芯片U1的IO端口接芯片U2的IN+端口，芯片U2的CT端口、RCVGND端口及REFGND端口同时接地，芯片U2的-V端口经电容C4接地，同时芯片-V端口直接接-12V电压，芯片U2的RCVFB端口接芯片U2的RCVO端口，芯片U2的RCVO端口经电阻R9接输出端，同时电阻R9分别经电容C3和二极管D3接地，电阻R9经二极管D2接电源VCC，芯片U2的REFO端口REFFB端口同时接芯片U2的REFIN端口。在上述技术方案基础上，所述探头表面采用三层抛光处理，同时铺设一层防腐涂层。本技术设计的温度检测装置反应灵敏，检测精度高，操作简单方便，与被测物体直接接触、热响应速度快，大大提高操作人员的工作效率，同时降级成本。附图说明图1为本技术的结构示意图。图2为保护罩的结构示意图。图3为保护罩的安装示意图。图4为温度检测电路图。图中：1-凸触；2-凹槽；3-底座；4-固定螺纹；5-探头；6-陶瓷底座；7-保护罩；8-引线接口。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步详细阐述。一种铠装温度检测装置，包括凸触1、凹槽2、底座3、固定螺纹4、探头5、陶瓷底座6、保护罩7及引线接口8，探头5设置在传感器底部，固定螺纹4设置在探头5顶部，引线接口8设置在底座3的侧壁上，陶瓷底座6安装在底座3内部，保护罩7底部一圈设置凸触1，且凸触1与保护罩7一体连接，在底座3顶部设置凹槽2，凸触1嵌入凹槽2内从而固定保护罩7。所述凹槽7内铺设一层防水橡胶密封垫。所述陶瓷底座6底部设置温度检测电路，电路中芯片U1中IR2端口经电阻R1接电阻RTD，同时IR2端口接晶体管Q2的集电极，芯片U1的IR1端口经电阻R5接晶体管Q2的基极，芯片U1的VLIN端口经电阻R2接晶体管Q2的集电极，同时VLIN端口经电阻R3接芯片U1的VIN-端口，芯片U1的VIN+端口接晶体管Q2的集电极，芯片U1的RG端口经电阻R4接芯片U1的另一个RG端口，电阻RTD经电阻R7接晶体管Q2的基极，电阻RTD经电阻R8接晶体管Q2的发射极，同时电阻R8分别经电阻R6和电容C2接芯片U1的IRET端口，芯片U1的V+端口接晶体管Q1的集电极，V+端口经二极管D1接电容C2，电容C2接地，V+端口经电容C1接芯片U2的IN+端口，芯片U1的B端口接晶体管Q1的基极，芯片U2的E端口接晶体管Q1的发射极，芯片U1的IO端口接芯片U2的IN+端口，芯片U2的CT端口、RCVGND端口及REFGND端口同时接地，芯片U2的-V端口经电容C4接地，同时芯片-V端口直接接-12V电压，芯片U2的RCVFB端口接芯片U2的RCVO端口，芯片U2的RCVO端口经电阻R9接输出端，同时电阻R9分别经电容C3和二极管D3接地，电阻R9经二极管D2接电源VCC，芯片U2的REFO端口REFFB端口同时接芯片U2的REFIN端口。所述探头表面采用三层抛光处理，同时铺设一层防腐涂层。本技术设计的温度检测装置通过探头检测温度信号，然后经温度检测电路处理后送至单片机进行处理，温度检测装置相应速度快，检测精确，有利于信号的传输。以上所述为本技术较佳实施例，对于本领域的普通技术人员而言，根据本技术的教导，在不脱离本技术的原理与精神的情况下，对实施方式所进行的改变、修改、替换和变型仍落入本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铠装温度检测装置，其特征在于，包括凸触、凹槽、底座、固定螺纹、探头、陶瓷底座、保护罩及引线接口，探头设置在传感器底部，固定螺纹设置在探头顶部，引线接口设置在底座的侧壁上，陶瓷底座安装在底座内部，保护罩底部一圈设置凸触，且凸触与保护罩一体连接，在底座顶部设置凹槽，凸触嵌入凹槽内从而固定保护罩。

【技术特征摘要】
1.一种铠装温度检测装置，其特征在于，包括凸触、凹槽、底座、固定螺纹、探头、陶瓷底座、保护罩及引线接口，探头设置在传感器底部，固定螺纹设置在探头顶部，引线接口设置在底座的侧壁上，陶瓷底座安装在底座内部，保护罩底部一圈设置凸触，且凸触与保护罩一体连接，在底座顶部设置凹槽，凸触嵌入凹槽内从而固定保护罩。2.根据权利要求1所述的一种铠装温度检测装置，其特征在于，所述凹槽内铺设一层防水橡胶密封垫。3.根据权利要求1所述的一种铠装温度检测装置，其特征在于，所述陶瓷底座底部设置温度检测电路，电路中芯片U1中IR2端口经电阻R1接电阻RTD，同时IR2端口接晶体管Q2的集电极，芯片U1的IR1端口经电阻R5接晶体管Q2的基极，芯片U1的VLIN端口经电阻R2接晶体管Q2的集电极，同时VLIN端口经电阻R3接芯片U1的VIN-端口，芯片U1的VIN+端口接晶体管Q2的集电极，芯片U1的RG端口经电阻R4接芯片U1的另一个RG端口，电阻RTD经电阻R7接...

【专利技术属性】
技术研发人员：王劲松，
申请(专利权)人：王劲松，
类型：新型
国别省市：江苏,32