扬声器装置以及包括该扬声器装置的电子装置制造方法及图纸

一种扬声器装置包括：扬声器单元，包括配置为提供磁场的磁体；以及膜，设置在该磁场中，配置为在第一方向上可振动，并配置为在垂直于第一方向的第二方向上发出声音；以及遮挡单元，设置在所述膜处，配置为遮挡所述膜的沿着第一方向具有第一高度的第一区域而使其不暴露，并配置为暴露所述膜的具有第二高度的第二区域，第一高度和第二高度之和对应于所述膜的总高度，其中所述膜的被遮挡单元遮挡的第一高度小于与从所述膜发出的声音的频域中的最大频率对应的波长的一半。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】扬声器装置以及包括该扬声器装置的电子装置
与示范性实施方式一致的装置涉及一种扬声器装置以及包括该扬声器装置的电子装置。
技术介绍
随着平面显示面板技术的新近发展，诸如数字电视机(DTV)的电子装置具有纤薄的设计。还需要安装在电子装置中的用于输出声音的扬声器装置具有合适的形状和厚度以装配在纤薄的电子装置中。例如，电子装置可以包括在观看者或观众所在的前部方向上敞开的薄的狭缝形状的小开口，扬声器装置通过该小开口输出或发出声音。扬声器装置的扬声器单元被要求具有特定的尺寸以便具有特定水平或更高的声压。扬声器单元的尺寸可以大于提供在电子装置上的开口的尺寸。在这种情况下，扬声器单元的一部分被隐藏从而从前方看不到。因而，当来自扬声器单元的一个部分的声音通过该开口输出而扬声器单元的其它部分被隐藏在该开口后面时，音质的劣化成为问题。
技术实现思路
技术问题一个或更多个示范性实施方式提供一种扬声器装置以及包括该扬声器装置的电子装置，该扬声器装置能够在输出具有特定水平或更高的声压的高频域中的声音的同时提供宽的水平方向性。额外的方面将在下面的描述中被部分地阐述，并将部分地从该描述明显，或者可以通过对所给出的示范性实施方式的实践而了解。技术方案根据示范性实施方式的一方面，一种扬声器装置包括：扬声器单元，包括配置为提供磁场的磁体以及设置在该磁场中并配置为在第一方向上可振动且在前部方向上发出声音的膜，该前部方向是与第一方向垂直的第二方向中的一个方向；以及遮挡单元，设置在膜的前部方向上并配置为遮挡对应于膜在第一方向上的总高度的部分高度的区域而使其不暴露到该前部方向，并将对应于膜的总高度的剩余高度的区域暴露于前部方向，其中第一方向是垂直于地面的上下方向，膜在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上的宽度大于膜在第一方向上的高度，并且膜的被遮挡单元遮挡的高度小于与从膜发出的声音的频域中的最大频率对应的波长的一半。膜可以具有沿着第一方向的曲折形状，并在彼此面对的面对区域沿着第一方向在相反方向上移动时振动。从膜发出的声音的频域可以满足等于或大于比从膜发出的声音的平均声压水平低6dB的声压水平的声压水平。最大频率可以为约20KHz，并且对应于最大频率的波长的一半可以为约8.5mm。膜的通过遮挡单元暴露到前部方向的高度可以为约5mm或更小。膜的总高度可以小于约13.5mm。扬声器装置还可以包括配置为容纳扬声器单元的外壳，其中外壳在第一方向上的总高度小于约16.5mm。膜在第三方向上的宽度可以小于约42mm。吸声构件可以设置于膜的在第三方向上的两个端部分中的至少一个上。膜可以包括在第一方向上彼此面对的面对区域和设置在面对区域之间以连接面对区域的连接区域，连接区域可以包括设置在前部方向上的脊区域和设置在后部方向上的谷区域，吸声构件可以设置在由面对区域和谷区域限定的特定空间中。遮挡单元还可以配置为将与膜在第三方向上的总宽度的部分宽度对应的区域暴露到前部方向，并遮挡与膜的总宽度的剩余宽度对应的区域而使其不暴露到前部方向。膜的被遮挡单元暴露的宽度可以为约25mm或更小。膜的被遮挡单元遮挡而不暴露到前部方向的宽度可以小于对应于从膜发出的声音的最大频率的波长的一半。吸声构件可以设置在其中膜被遮挡单元遮挡而不暴露到前部方向的区域中。遮挡单元可以包括设置在膜的前部方向上的前格栅和设置在前格栅的前部方向上的显示单元。与膜在第一方向上的总高度的部分高度对应的区域可以被显示单元和前格栅中的至少一个遮挡而不暴露到前部方向。与膜在第三方向上的总宽度的部分宽度对应的区域可以被显示单元和前格栅中的至少一个遮挡而不暴露到前部方向。根据另一示范性实施方式的一方面，一种扬声器装置包括：扬声器单元，包括配置为提供磁场的磁体以及膜，该膜设置在该磁场中并配置为在上下方向上可振动且发出声音到前部方向，并在左右方向上具有比在上下方向的高度大的宽度，其中前部方向是前后方向中的一个方向；以及吸声构件，设置在膜的在左右方向上的两个端部分中的至少一个上并配置为吸收从膜发出的声音的一部分。扬声器装置还可以包括：遮挡单元，设置在膜的前部方向上并配置为暴露对应于膜在左右方向上的总宽度的部分宽度的区域，并遮挡对应于膜的总宽度的剩余宽度的区域而使其不暴露到前部方向，其中膜的被遮挡单元遮挡而不暴露到前部方向的宽度小于对应于从膜发出的声音的频域中的最大频率的波长的一半。根据另一示范性实施方式的一方面，一种电子装置包括扬声器装置。根据另一示范性实施方式的一方面，一种扬声器装置包括扬声器单元，该扬声器单元包括：磁体，配置为提供磁场；以及膜，设置在该磁场中，配置为在第一方向上可振动，并配置为在垂直于第一方向的第二方向上发出声音；以及遮挡单元，设置在所述膜处，配置为遮挡膜的沿着第一方向具有第一高度的第一区域而使其不暴露，并配置为暴露膜的具有第二高度的第二区域，第一高度和第二高度之和对应于膜的总高度，其中膜的被遮挡单元遮挡的第一高度小于与从膜发出的声音的频域中的最大频率对应的波长的一半。膜在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上延伸的宽度可以大于膜在第一方向上的总高度。膜可以具有沿着第一方向的曲折形状，并在膜的彼此面对的相邻的面对区域沿着第一方向在彼此相反的方向上移动时振动。从膜发出的声音的频域可以满足等于或大于比从膜发出的声音的平均声压水平低6dB的声压水平的声压水平。最大频率可以为约20KHz，并且对应于20KHz的最大频率的波长的一半可以为约8.5mm。膜的第二高度可以为约5mm或更小。膜的总高度可以小于约13.5mm。扬声器装置还可以包括配置为容纳扬声器单元的外壳，其中外壳在第一方向上的高度小于约16.5mm。膜在第三方向上的宽度可以小于约42mm。扬声器装置还可以包括提供在膜的沿着第三方向的相反端部分中的至少一个上的吸声构件。膜可以包括：相邻的面对区域，沿着第一方向彼此面对；以及连接区域，设置在该相邻的面对区域之间以连接该相邻的面对区域，其中连接区域包括沿着第二方向设置在膜的第一侧的脊区域和沿着第二方向设置在膜的与第一侧相反的第二侧的谷区域，其中吸声构件设置在由相邻的面对区域和谷区域限定的空间中。遮挡单元可以配置为暴露膜的在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上具有第二宽度的第二区域，并配置为遮挡膜的具有第一宽度的第一区域而使其不暴露，第一宽度和第二宽度之和对应于膜的总宽度。膜的第二宽度可以为约25mm或更小。膜的被遮挡单元遮挡的第一宽度小于对应于从膜发出的声音的最大频率的波长的一半。扬声器装置还可以包括设置在第一区域处的吸声构件，在该第一区域中，膜被遮挡单元遮挡而不暴露。遮挡单元可以包括：设置在膜处的前格栅；以及设置在前格栅处的显示单元。膜的具有第一高度的第一区域可以被显示单元和前格栅中的至少一个遮挡而不暴露。膜的具有第一宽度的第一区域可以被显示单元和前格栅中的至少一个遮挡而不暴露。根据另一示范性实施方式的一方面，一种扬声器装置包括：扬声器单元，该扬声器单元包括：磁体，配置为提供磁场；以及膜，设置在该磁场中，配置为在竖直方向上可振动并配置为在垂直于竖直方向的第一水平方向上发出声音，膜在第二水平方向上具有大于在竖直方向上的高度的总宽度，第二水平方向垂直于第一水平方向和竖直方向；以及吸声构件，设置在膜的沿着第二水平本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种扬声器装置，包括：扬声器单元，包括：磁体，配置为提供磁场；以及膜，设置在所述磁场中，配置为在第一方向上可振动，并配置为在垂直于所述第一方向的第二方向上发出声音；以及遮挡单元，设置在所述膜处，配置为遮挡所述膜的沿着所述第一方向具有第一高度的第一区域而使其不暴露，并配置为暴露所述膜的具有第二高度的第二区域，所述第一高度和所述第二高度之和对应于所述膜的总高度，其中所述第一方向是垂直于地面的垂直方向，所述膜的在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上延伸的宽度大于所述膜的在所述第一方向上的总高度，并且所述膜的被所述遮挡单元遮挡的所述第一高度小于与从所述膜发出的声音的频域中的最大频率对应的波长的一半。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.24 KR 10-2015-01050741.一种扬声器装置，包括：扬声器单元，包括：磁体，配置为提供磁场；以及膜，设置在所述磁场中，配置为在第一方向上可振动，并配置为在垂直于所述第一方向的第二方向上发出声音；以及遮挡单元，设置在所述膜处，配置为遮挡所述膜的沿着所述第一方向具有第一高度的第一区域而使其不暴露，并配置为暴露所述膜的具有第二高度的第二区域，所述第一高度和所述第二高度之和对应于所述膜的总高度，其中所述第一方向是垂直于地面的垂直方向，所述膜的在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上延伸的宽度大于所述膜的在所述第一方向上的总高度，并且所述膜的被所述遮挡单元遮挡的所述第一高度小于与从所述膜发出的声音的频域中的最大频率对应的波长的一半。2.根据权利要求1所述的扬声器装置，其中所述膜具有沿着所述第一方向的曲折形状，并在所述膜的彼此面对的相邻的面对区域沿着所述第一方向在彼此相反的方向上移动时振动。3.根据权利要求1所述的扬声器装置，其中从所述膜发出的声音的所述频域满足等于或大于比从所述膜发出的声音的平均声压水平低6dB的声压水平的声压水平。4.根据权利要求1所述的扬声器装置，其中所述最大频率为约20KHz，以及其中对应于20KHz的最大频率的波长的一半为约8.5mm。5.根据权利要求1所述的扬声器装置，其中所述膜的所述第二高度为约5mm或更小，所述膜的总高度小于约13.5mm，所述膜的在所述第三方向上的宽度小于约42mm。6.根据权利要求1所述的扬声器装置，还包括配置为容纳所述扬声器单元的外壳，其中所述外壳的在所述第一方向上的高度小于约16.5mm。7.根据权利要求1所述的扬声器装置，还包括吸声构件，该吸声构件提供在所述膜的沿着所述第三方向的相反的端部分中的至少一个上，所述膜包括：沿着所述第一方向的彼此面对的相邻的面对区域；和连接区域，设置在所述相邻的面对区域之间以连接所述相邻的面对区域，其中所述连接区域包括设置在所述膜的沿着所述第二方向的第一侧的脊区域和沿着所述第二方向设置在所述膜的与所述第一侧相反的第二侧的谷区域，以及其...

【专利技术属性】
技术研发人员：金成株，金钟培，孙星夏，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR