【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有横向通量电容器的集成电路
技术介绍
横向通量电容器为可形成于集成电路管芯的顶部表面上的无源电路器件。此类横向通量电容器连接到管芯内的电路,以提供期望的电容器功能。可具有形成于其上的横向通量电容器的一种类型的集成电路管芯为线性双极CMOS(“LBC”)管芯。
技术实现思路
在一个实施例中,一种横向通量电容器组件包括伸长的电容性部分,该电容性部分具有下部金属层和上部金属层,其中下部金属层具有第一组间隔开的电容性指状物,上部金属层具有定位在第一组间隔开的电容性指状物中的对应电容性指状物正上方的第二组间隔开的电容性指状物。该组件还包括定位在伸长的电容性部分的相对横向侧上的第一伸长的虚金属线部分和第二伸长的虚金属线部分。第一伸长的虚金属线部分电连接到电源的第一电极。第一组电容性指状物的和第二伸长的虚金属线部分电连接到电源的第二电极和第二组电容性指状物。在另一实施例中,横向通量电容器组件包括第一金属层,所述第一金属层至少具有第一组平行的电容性指状物和第二组平行的电容性指状物,和第一虚金属线部分和第二虚金属线部分以及第一手状部和第二手状部。电容器组件包括第二金属层,第二金属层至少具有第一组平行的电容性指状物和第二组平行的电容性指状物,和第一虚金属线部分和第二虚金属线部分以及第一手状部和第二手状部。第一金属层中的第一组平行的电容性指状物和第二组平行的电容性指状物定位成与第二金属层中的第一和第二组平行的电容性指状物成镜像关系。定位成镜像关系的这些组电容性指状物具有相反极性。第一金属层中的第一虚金属线部分和第二虚金属线部分定位成与第二金属层中的第一虚金属线部分和第二虚金属线部分成镜 ...
【技术保护点】
一种集成电路,其包括:横向通量电容器,所述横向通量电容器具有:伸长的电容性部分,所述电容性部分具有下部金属层和上部金属层,所述下部金属层具有第一组间隔开的电容性指状物,并且所述上部金属层具有第二组间隔开的电容性指状物,所述第二组间隔开的电容性指状物定位在所述第一组间隔开的电容性指状物中的对应电容性指状物的正上方;以及定位在所述伸长的电容性部分的相对横向侧上的第一伸长的虚金属线部分和第二伸长的虚金属线部分,所述第一伸长的虚金属线部分电连接到电源的第一电极和所述第一组电容性指状物,并且所述第二伸长的虚金属线部分电连接到电源的第二电极和所述第二组电容性指状物。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.28 US 14/839,6841.一种集成电路,其包括:横向通量电容器,所述横向通量电容器具有:伸长的电容性部分,所述电容性部分具有下部金属层和上部金属层,所述下部金属层具有第一组间隔开的电容性指状物,并且所述上部金属层具有第二组间隔开的电容性指状物,所述第二组间隔开的电容性指状物定位在所述第一组间隔开的电容性指状物中的对应电容性指状物的正上方;以及定位在所述伸长的电容性部分的相对横向侧上的第一伸长的虚金属线部分和第二伸长的虚金属线部分,所述第一伸长的虚金属线部分电连接到电源的第一电极和所述第一组电容性指状物,并且所述第二伸长的虚金属线部分电连接到电源的第二电极和所述第二组电容性指状物。2.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述横向通量电容器还包括:位于所述下部层中的第一横向延伸手状部,所述第一横向延伸手状部将所述第一组间隔开的电容性指状物连接到所述第一伸长的虚金属线部分;以及第二横向延伸手状部,所述第二横向延伸手状部位于所述上部层中,并且将所述第二组间隔开的电容性指状物连接到所述第二伸长的虚金属线部分。3.根据权利要求2所述的集成电路,其中所述横向通量电容器还包括:第三横向延伸手状部,所述第三横向延伸手状部位于所述第一层中,并且将第三组间隔开的电容性指状物连接到所述第二伸长的虚金属线部分;以及第四横向延伸手状部,所述第四横向延伸手状部位于所述第二层中,并且将第四组间隔开的电容性指状物连接到所述第一伸长的虚金属线部分,所述第三组间隔开的电容性指状物定位在所述第四组间隔开的电容性指状物中的对应的电容性指状物上方。4.根据权利要求3所述的集成电路,所述第一组间隔开的电容性指状物和所述第三组间隔开的电容性指状物为交叉的。5.根据权利要求4所述的集成电路,所述第一手状部和所述第二手状部以部分重叠的关系定位,并且所述第三手状部和所述第四手状部以部分重叠的关系定位。6.根据权利要求5所述的集成电路,所述第一伸长的虚金属线部分和所述第二伸长的虚金属线部分以及所述伸长的电容性部分基本上纵向地共同延伸,并且具有横向对准的第一端部和横向对准的第二端部;并且其中所述第一手状部连接到所述第一伸长的虚金属线部分的第一端,并且所述第三手状部连接到所述第二伸长的虚金属线部分的第二端。7.根据权利要求6所述的集成电路,其中所述第二手状部连接到所述第二伸长的虚金属线部分的所述第一端,并且所述第四手状部连接到所述第一虚金属线部分的所述第二端。8.根据权利要求7所述的集成电路,所述第二组电容性指状物和所述第四组电容性指状物为交叉的。9.根据权利要求1所述的集成电路,所述第一伸长的虚金属线部分和所述第二伸长的虚金属线部分以及所述伸长的电容性部分基本上纵向地共同延伸。10.根据权利要求1所述的集成电路,所述第一伸长的虚金属线部分和所述第二伸长的虚金属线部分各自包括为所述上部金属层的一部分的上部部分和为所述下部金属层的一部分的下部部分。11.根据权利要求10所述的集成电路,所述第一虚金属线部分的所述上部部分和所述下部部分通过通孔电连接。12.根据权利要求1所述的集成电路,所述第一组电容性指状物和所述第二组电容性指状物通过绝缘层的对应部分分隔。13.一种包括横向通量电容器组件的集成电路,所述组件具有:第一金属层,所述第一金属层至少具有第一组平行的电容性指状物和第二组平行的电容性指状物,和第一虚...
【专利技术属性】
技术研发人员:ZQ·李,
申请(专利权)人:德克萨斯仪器股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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