The utility model discloses an organic thin film transistor, the organic thin film transistor with top gate structure, from the bottom to the top is a substrate, source / drain, an active layer, an organic insulating layer, a gate, a source electrode and the drain electrode layer is arranged on the active layer, both ends of the the source and drain contact directly with the active layer; the active layer of organic semiconductor materials, the gate with composite structure, composite structure: by vacuum evaporation technology in the organic insulating layer on the first metal layer is deposited by magnetron sputtering technology; in the second metal layer of the first metal layer deposition; and by magnetron sputtering in the oxidation barrier layer, the second metal layer is deposited on the. The utility model relates to preparation of organic thin film transistor device was improved in performance, greatly reduces the gate process of organic insulating layer damage, improve the electric properties of organic thin film transistor, has the advantages of simple process, low cost, the advantages of easy industrialization etc..
【技术实现步骤摘要】
一种有机薄膜晶体管
本技术涉及显示
,尤其涉及一种有机薄膜晶体管。
技术介绍
有机薄膜晶体管(OrganicThinFilmTransistor,简称为OTFT)自20世纪80年代中期出现后,因其具有质轻、价廉、柔韧性好的优点,在各种显示装置以及存储器,尤其是电子纸、柔性显示领域显示了优异的应用前景,因此受到了研究人员的极大重视,并得以迅速发展。有机薄膜晶体管的核心结构为采用有机半导体材料制备而成的有源层,由于有机半导体材料活性较强,且绝大多数是在低温条件下(小于200℃)制备而成,因此,需要选择合适的绝缘层材料覆盖在有源层的上方,以使有源层得到良好的封装和保护,从而保证有机半导体有源层各项性能的稳定性不受其他制备工艺的影响。有机薄膜晶体管根据划分标准的不同,可分为不同的类型;其中,根据有机薄膜晶体管中源极、漏极与栅极的沉积顺序的不同,可将有机薄膜晶体管分为底栅型和顶栅型。对于底栅型有机薄膜晶体管,所述形成包括源极、漏极的源漏金属层,以及有源层形成于包括有栅极和绝缘层的衬底基板上。对于顶栅型有机薄膜晶体管,所述形成包括源极、漏极的源漏金属层,以及有源层形成于衬底基板上;在此情况下,栅极形成于包括有所述有机绝缘层14的基板上。然而,在实现上述顶栅型有机薄膜晶体管的制备过程中,现有技术主要面临如下难点:有机半导体材料对温度、光照等制程环境十分敏感,顶栅结构中栅极制备方法会影响有源层的电学性能。
技术实现思路
为了弥补已有技术的缺陷,本技术提供一种有机薄膜晶体管,以降低顶栅结构中栅极制程中对有源层的损伤。本技术所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:一种有机薄 ...
【技术保护点】
一种有机薄膜晶体管,所述有机薄膜晶体管具有顶栅结构,从下至上依次为基板、源极/漏极、有源层、有机绝缘层、栅极,所述源极和所述漏极同层设置于所述有源层两端、所述源极和漏极直接与有源层接触;所述有源层为有机半导体材料,其特征在于,所述栅极采用复合结构,所述复合结构为:通过真空蒸镀技术在所述有机绝缘层上沉积的第一金属层;通过磁控溅射技术在所述第一金属层上沉积的第二金属层;以及通过磁控溅射技术在所述第二金属层上沉积的氧化阻隔层。
【技术特征摘要】
1.一种有机薄膜晶体管,所述有机薄膜晶体管具有顶栅结构,从下至上依次为基板、源极/漏极、有源层、有机绝缘层、栅极,所述源极和所述漏极同层设置于所述有源层两端、所述源极和漏极直接与有源层接触;所述有源层为有机半导体材料,其特征在于,所述栅极采用复合结构,所述复合结构为:通过真空蒸镀技术在所述有机绝缘层上沉积的第一金属层;通过磁控溅射技术在所述第一金属层上沉积的第二金属层;以及通过磁控溅射技术在所述第二金属层上沉积的氧化阻隔层。2.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管,其特征在于,所述第一金属层的材料为...
【专利技术属性】
技术研发人员:柳发霖,陈若怀,李林,何基强,
申请(专利权)人:信利半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
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