节能高亮双芯片LED灯制造技术

本实用新型专利技术公开了一种节能高亮双芯片LED灯，包括基板、超导硅片、第一LED芯片和第二LED芯片，所述第一LED芯片经所述超导硅片与所述第二LED芯片连接，三者均固定在所述基板上。本实用新型专利技术在以前单芯片的基础上增加一个LED芯片，改变出光面所形成的腔体内反射膜结构，同时减小产品体积，提高了单个LED灯的亮度。

Energy saving and high brightness double chip LED lamp

The utility model discloses an energy-saving and high brightness dual chip LED lamp, which comprises a substrate, a superconducting silicon wafer, a first LED chip and a second LED chip. The first LED chip is connected with the second LED chip through the superconducting silicon wafer, and the three are fixed on the substrate. The utility model adds a LED chip on the basis of the previous single chip, changes the structure of the inner reflection film formed by the smooth surface, reduces the volume of the product at the same time, and improves the brightness of the single LED lamp.

【技术实现步骤摘要】
节能高亮双芯片LED灯
本技术涉及背光模组
，尤其是一种节能高亮双芯片LED灯。
技术介绍
目前LED是一个支架仅对应一个芯片，因此在同等发光条件下，若要提高单颗LED的亮度，必需更换高效能芯片；而在背光模组需提高亮度下，需要更换高效能芯片LED或增加LED的颗数；这样造成的后果是：功耗高，提高亮度难，效果差，不利于高亮背光源的设计，其次占用背光结构空间大。
技术实现思路
本技术针对现有技术的不足，提出一种节能高亮双芯片LED灯，结构简单，亮度高。为了实现上述技术目的，本技术提供以下技术方案：一种节能高亮双芯片LED灯，包括基板、超导硅片、第一LED芯片和第二LED芯片，所述第一LED芯片经所述超导硅片与所述第二LED芯片连接，三者均固定在所述基板上。优选的，所述基板上设有出光面，所述出光面分设两个部分，所述第一LED芯片和所述第二LED芯片分设在两个部分出光面所在的基板上。优选的，所述出光面上设有反射膜。优选的，所述出光面经L型金属片固定在所述基板上。优选的，所述出光面经L型金属片焊接在所述基板上。优选的，所述出光面的两个部分均为凹形曲面，所述第一LED芯片和所述第二LED芯片分设在两个凹形曲面的中心。优选的，所述凹形曲面为半椭圆形面。优选的，所述第一LED芯片和所述第二LED芯片的中心点间距为1.4～1.8mm。优选的，所述第一LED芯片和所述第二LED芯片的中心点间距为1.6mm。优选的，所述第一LED芯片和所述第二LED芯片为光强度相同的芯片。与现有技术相比，本技术具有以下优点：在以前单芯片的基础上增加一个LED芯片，改变出光面所形成的腔体内反射膜结构，同时减小产品体积，提高了单个LED灯的亮度。附图说明图1为本技术节能高亮双芯片LED灯的结构示意图；图示标记：100-基板、110-超导硅片、120-第一LED芯片、130-第二LED芯片、200-出光面、210-反射膜、300-L型金属片。具体实施方式下面结合附图对本技术进行详细描述，本部分的描述仅是示范性和解释性，不应对本技术的保护范围有任何的限制作用。如图1所示，一种节能高亮双芯片LED灯，包括基板100、超导硅片110、第一LED芯片120和第二LED芯片130，所述第一LED芯片120经所述超导硅片110与所述第二LED芯片130连接，三者均固定在所述基板100上。所述基板100上设有出光面200，所述出光面200分设两个部分，所述第一LED芯片120和所述第二LED芯片130分设在两个部分出光面所在的基板100上。所述出光面200上设有反射膜210。所述出光面200经L型金属片300固定在所述基板100上。所述出光面200经L型金属片300焊接在所述基板100上。所述出光面200的两个部分均为凹形曲面，所述第一LED芯片120和所述第二LED芯片130分设在两个凹形曲面的中心。所述凹形曲面为半椭圆形面。所述第一LED芯片120和所述第二LED芯片130的中心点间距为1.4～1.8mm。优选的，所述第一LED芯片120和所述第二LED芯片130的中心点间距为1.6mm。优选的，所述第一LED芯片120和所述第二LED芯片130为光强度相同的芯片。本技术产品适用于手机、MP3、MP4车载及家用电器等背光模组；采用本技术结构的LED灯漫反射效果大大增强，也即提高了单个LED灯的亮度，结构简单，效果好。降低能耗，提高背光产品的亮度，及均匀性。以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种节能高亮双芯片LED灯，其特征在于：包括基板、超导硅片、第一LED芯片和第二LED芯片，所述第一LED芯片经所述超导硅片与所述第二LED芯片连接，三者均固定在所述基板上；所述基板上设有出光面，所述出光面分设两个部分，所述第一LED芯片和所述第二LED芯片分设在两个部分出光面所在的基板上；所述出光面上设有反射膜；所述出光面经L型金属片固定在所述基板上。

【技术特征摘要】
1.一种节能高亮双芯片LED灯，其特征在于：包括基板、超导硅片、第一LED芯片和第二LED芯片，所述第一LED芯片经所述超导硅片与所述第二LED芯片连接，三者均固定在所述基板上；所述基板上设有出光面，所述出光面分设两个部分，所述第一LED芯片和所述第二LED芯片分设在两个部分出光面所在的基板上；所述出光面上设有反射膜；所述出光面经L型金属片固定在所述基板上。2.如权利要求1所述节能高亮双芯片LED灯，其特征在于：所述出光面经L型金属片焊接在所述基板上。3.如权利要求1所述节能高亮双芯片LED灯，其特征在于：所述出光面的两...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈志伟，
申请(专利权)人：赤峰拓佳光电有限公司，
类型：新型
国别省市：内蒙古,15