发光二极管制造技术

一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一金属层、第一电流传导层、第一接合层及第二电流传导层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一金属层位于第一型半导体层上且与第一型半导体层电性连接。第一金属层位于第一电流传导层与第一型半导体层之间。第一电流传导层位于第一接合层与第一金属层之间。第一接合层藉由第一电流传导层及第一金属层与第一型半导体层电性连接。第一接合层具有与第一金属层重叠的贯穿开口。第二电流传导层与第二型半导体层电性连接。

light-emitting diode

A light-emitting diode includes a first type semiconductor layer, a light-emitting layer, a second type semiconductor layer, a first metal layer, a first current conduction layer, a first bonding layer and a two current conduction layer. The luminescent layer is located between the first semiconductor layer and the second type semiconductor layer. The first metal layer is located on the first type semiconductor layer and electrically connected with the first type of semiconductor layer. The first metal layer is located between the first current conduction layer and the first type of semiconductor layer. The first current conducting layer is located between the first joint layer and the first metal layer. The first junction layer is electrically connected to the first semiconductor layer by the first current conduction layer and the first metal layer. The first joint layer has a penetrating opening that overlaps with the first metal layer. The second current conduction layer is electrically connected with the second type semiconductor layer.

【技术实现步骤摘要】
发光二极管
本专利技术是有关于一种半导体元件，且特别是有关于一种发光二极管。
技术介绍
一般而言，发光二极管包括应用于垂直式封装及覆晶式封装的发光二极管。应用于覆晶式封装的发光二极管包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一金属层、第二金属层、第一绝缘层、第一电流传导层、第二电流传导层、第二绝缘层、第一接合层及第二接合层。第一型半导体层具有第一部分及第二部分。发光层配置于第一型半导体层的第一部分上。第一型半导体层的第二部分由第一部分向外延伸而凸出于发光层的面积之外。第二型半导体层配置于发光层上。第一金属层配置于第一型半导体层的第二部分上且与第一型半导体层电性连接。第二金属层配置于第二型半导体层上且与第二型半导体层电性连接。第一绝缘层覆盖第一金属层及第二金属层，且具有分别暴露第一金属层及第二金属层的多个贯穿开口。第一电流传导层及第二电流传导层配置于第一绝缘层上且填入第一绝缘层的多个贯穿开口，以分别和第一金属层及第二金属层电性连接。第二绝缘层覆盖第一电流传导层及第二电流传导层且具有分别与第一电流传导层及第二电流传导层重叠的多个贯穿开口。第一接合层及第二接合层配置于第二绝缘层上且填入多个贯穿开口，以分别与第一电流传导层及第二电流传导层电性连接。第一接合层及第二接合层用以共晶接合至外部的电路板。然而，在共晶接合的过程中，接合材料(例如：锡膏)易从第二绝缘层与第一接合层的界面及/或第二绝缘层与第二接合层的界面渗入发光二极管内部，进而造成短路问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光二极管，具有良好的性能。本专利技术的一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一金属层、第一电流传导层、第一接合层及第二电流传导层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一金属层位于第一型半导体层上且与第一型半导体层电性连接。第一金属层位于第一电流传导层与第一型半导体层之间。第一电流传导层位于第一接合层与第一金属层之间。第一接合层藉由第一电流传导层及第一金属层与第一型半导体层电性连接。第一接合层具有与第一金属层重叠的贯穿开口。第二电流传导层与第二型半导体层电性连接。本专利技术的另一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、布拉格反射结构、第一金属层、第一电流传导层、第一绝缘层、第一接合层以及第二电流传导层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。布拉格反射结构配置于第二型半导体层上且与发光层重叠。第一金属层位于第一型半导体层上且与第一型半导体层电性连接。布拉格反射结构具有贯穿开口，而第一金属层位于布拉格反射结构的贯穿开口中。第一电流传导层配置于布拉格反射结构上且填入布拉格反射结构的贯穿开口，以和第一金属层电性连接。第一绝缘层配置于第一电流传导层上且具有贯穿开口。第一接合层配置于第一绝缘层上，且填入第一绝缘层的贯穿开口以和第一电流传导层电性连接。布拉格反射结构的贯穿开口与第一绝缘层的贯穿开口错位而不相重叠。第二电流传导层与第二型半导体层电性连接。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管更包括第一绝缘层，位于第一电流传导层与第一金属层之间且具有多个贯穿开口，其中第一电流传导层填入第一绝缘层的贯穿开口以电性接触于第一金属层，第一绝缘层的贯穿开口的面积小于第一接合层的贯穿开口的面积，且第一绝缘层的贯穿开口位于第一接合层的贯穿开口的面积之内。在本专利技术的一实施例中，上述的第一接合层的面积小于第一电流传导层的面积，且第一接合层位于第一电流传导层的面积以内。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管更包括第二金属层及第二接合层。第二金属层位于第二型半导体层上且与第二型半导体层电性连接。第二电流传导层位于第二接合层与第二金属层之间。第二接合层藉由第二电流传导层及第二金属层与第二型半导体层电性连接。在本专利技术的一实施例中，上述的第二接合层具有多个贯穿开口，第二接合层的贯穿开口与第二金属层重叠。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管，更包括第一绝缘层，位于第二电流传导层与第二金属层之间且具有多个贯穿开口，其中第二电流传导层填入第一绝缘层的贯穿开口以电性接触于第二金属层，第一绝缘层的贯穿开口的面积小于第二接合层的贯穿开口的面积，且第一绝缘层的贯穿开口位于第二接合层的贯穿开口的面积之内。在本专利技术的一实施例中，上述的第一金属层包括焊部及指部。焊部与第一电流传导层电性接触。指部由焊部延伸至第一电流传导层外，其中指部与第二接合层重叠。在本专利技术的一实施例中，上述的第一金属层包括焊部及指部。焊部与第一电流传导层电性接触。指部由焊部延伸至第一电流传导层外，其中第二接合层具有缺口，指部延伸至第二接合层的缺口的面积内。在本专利技术的一实施例中，上述的第一型半导体层包括第一部分及第二部分。发光层迭置于第一部分上。第二部分由第一部分向外延伸而凸出于发光层的面积之外。第一型半导体层的第二部分具有第一表面、相对于第一表面的第二表面以及连接于第一表面与第二表面之间的侧壁。发光二极管更包括第一绝缘层，覆盖第一型半导体层的第二部分的侧壁。在本专利技术的一实施例中，上述的第一绝缘层更覆盖第二型半导体层以及第一型半导体层的第二部分的第一表面，发光二极管更包括布拉格反射结构，设置于第一绝缘层上且与发光层重叠。在本专利技术的一实施例中，上述的布拉格反射结构覆盖第一型半导体层的第二部分的侧壁。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管更包括第二绝缘层。布拉格反射结构位于第一绝缘层与第二绝缘层之间，而第二绝缘层覆盖第一型半导体层的第二部分的侧壁。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管更包括第三绝缘层，覆盖第一电流传导层。第一接合层配置于第三绝缘层上，而第三绝缘层覆盖第一型半导体层的第二部分的侧壁。在本专利技术的一实施例中，上述的发光层具有第一表面、第二表面以及侧壁。第二型半导体层配置于发光层的第一表面上，第二表面相对于第一表面，侧壁连接于第一表面与第二表面之间。发光二极管更包括布拉格反射结构。第一电流传导层与第二电流传导层皆位于布拉格反射结构的相同一侧。布拉格反射结构包括多个第一折射层以及多个第二折射层，交替堆叠，其中各第一折射层的折射率异于各第二折射层的折射率，而多个第一折射层及多个第二折射层的迭构覆盖发光层的侧壁。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管更包括布拉格反射结构。第一电流传导层与第二电流传导层皆位于布拉格反射结构的相同一侧。布拉格反射结构包括多个第一折射层以及多个第二折射层，交替堆叠，其中各第一折射层的折射率异于各第二折射层的折射率，且布拉格反射结构的边缘区的第一折射层及第二折射层的堆叠密度高于布拉格反射结构的内部区的第一折射层及第二折射层的堆叠密度。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管更包括布拉格反射结构及反射结构。第一电流传导层与第二电流传导层皆位于布拉格反射结构的相同一侧。反射结构位于布拉格反射结构与第一电流传导层之间以及布拉格反射结构与第二电流传导层之间，其中反射结构电性隔离于第一电流传导层与第二电流传导层。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管更包括第一绝缘层以及第二绝缘层。第一绝缘层覆盖布拉格反射结构，其中反射结构配置于第一绝缘层上。第二绝缘层覆盖反射结构，其中第一接合层配置于第二绝缘层上。反射结构主要的功能是反射，虽然反射结构可包括导电材料，但反本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，包括：一第一型半导体层；一第二型半导体层；一发光层，位于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间；一第一金属层，位于第一型半导体层上且与该第一型半导体层电性连接；一第一电流传导层，其中该第一金属层位于该第一电流传导层与该第一型半导体层之间，且该第一电流传导层藉由该第一金属层与该第一型半导体层电性连接；一第一接合层，其中该第一电流传导层位于该第一接合层与该第一金属层之间，该第一接合层藉由该第一电流传导层及该第一金属层与该第一型半导体层电性连接，该第一接合层具有多个贯穿开口，该第一接合层的该些贯穿开口的面积与该第一金属层的面积重叠；以及一第二电流传导层，与该第二型半导体层电性连接。

【技术特征摘要】
2016.10.07 US 62/405,2571.一种发光二极管，包括：一第一型半导体层；一第二型半导体层；一发光层，位于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间；一第一金属层，位于第一型半导体层上且与该第一型半导体层电性连接；一第一电流传导层，其中该第一金属层位于该第一电流传导层与该第一型半导体层之间，且该第一电流传导层藉由该第一金属层与该第一型半导体层电性连接；一第一接合层，其中该第一电流传导层位于该第一接合层与该第一金属层之间，该第一接合层藉由该第一电流传导层及该第一金属层与该第一型半导体层电性连接，该第一接合层具有多个贯穿开口，该第一接合层的该些贯穿开口的面积与该第一金属层的面积重叠；以及一第二电流传导层，与该第二型半导体层电性连接。2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，更包括：一第一绝缘层，位于该第一电流传导层与该第一金属层之间且具有多个贯穿开口，其中该第一电流传导层填入该第一绝缘层的该些贯穿开口以电性接触于该第一金属层，该第一绝缘层的一个贯穿开口的面积小于该第一接合层的一个贯穿开口的面积，且该第一绝缘层的该贯穿开口位于该第一接合层的该贯穿开口的面积之内。3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，更包括：一布拉格反射结构，其中该第一电流传导层与该第二电流传导层皆位于该布拉格反射结构的相同一侧；以及一反射结构，位于该布拉格反射结构与该第一电流传导层之间以及该布拉格反射结构与该第二电流传导层之间，其中该反射结构电性隔离于该第一电流传导层与该第二电流传导层。4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，更包括：一第一绝缘层，覆盖该布拉格反射结构，其中该反射结构配置于该第一绝缘层上；以及一第二绝缘层，覆盖该反射结构，其中该第一接合层配置于该第二绝缘层上。5.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄逸儒，许圣宗，郭佑祯，沈志铭，庄东霖，黄琮训，黄敬恩，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71