数据存储装置及其操作方法制造方法及图纸

技术编号:17735228 阅读:28 留言:0更新日期:2018-04-18 12:10
本发明专利技术公开一种数据存储装置,其包括:非易失性存储器装置,其包括参考存储器区域以及标准存储器区域,并适于基于参考存储器区域确定是否执行刷新操作;以及控制器,其适于基于耗损均衡操作数据确定标准存储器区域中的第一存储器区域,并控制非易失性存储器装置对标准存储器区域中除第一存储器区域之外的第二存储器区域执行刷新操作。

Data storage device and its operation method

The invention discloses a data storage device, which comprises a non-volatile memory device, which comprises a reference memory area and standard memory area, and is based on the reference memory area to determine whether a refresh operation is performed; and a controller adapted to the first memory area in the storage area to determine the standard loss balance operation based on data and control nonvolatile memory device for standard memory area second memory areas in addition to the first memory region performs a refresh operation.

【技术实现步骤摘要】
数据存储装置及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2016年10月10日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2016-0130857的韩国专利申请的优先权,该专利申请通过引用被全部并入本申请。
各种实施例总体涉及一种数据存储装置,且更特别地,涉及一种包括非易失性存储器装置的数据存储装置。
技术介绍
数据存储装置响应于写入请求存储由外部装置提供的数据。数据存储装置也可响应于读取请求向外部装置提供存储的数据。使用数据存储装置的外部装置的示例包括计算机、数码相机、移动电话等。数据存储装置可在制造外部装置期间嵌入在该外部装置中,或者也可单独制造,然后再与外部装置连接。数据存储装置可以如下形式制备:个人计算机存储卡国际协会(PCMCIA)卡、标准闪存(CF)卡、智能媒体卡、存储条、各种多媒体卡(例如,MMC、eMMC、RS-MMC以及MMC-Micro)、各种安全数字卡(例如,SD、Mini-SD以及Micro-SD)、通用闪存(UFS)、固态驱动器(SSD)等。
技术实现思路
本专利技术的多个实施例涉及非易失性存储器装置、使用该非易失性存储器装置的数据存储装置以及操作它们的方法。在实施例中,数据存储装置可包括:非易失性存储器装置,其包括参考存储器区域以及标准存储器区域,且其适于基于参考存储器区域确定是否执行刷新操作;以及控制器,其适于基于耗损均衡操作数据确定标准存储器区域中的第一存储器区域,并控制非易失性存储器装置对标准存储器区域中除第一存储器区域之外的第二存储器区域执行刷新操作。在实施例中,用于操作数据存储装置的方法可包括:基于非易失性存储器装置的参考存储器区域,确定是否执行刷新操作;基于取决于确定结果的耗损均衡操作数据,确定非易失性存储器装置的标准存储器区域中的第一存储器区域;以及对标准存储器区域中除第一存储器区域之外的第二存储器区域执行刷新操作。在实施例中,数据存储装置可包括:参考存储器区域;标准存储器区域;以及控制块,其适于监测参考存储器区域的状态,并基于参考存储器区域的状态,确定是否对标准存储器区域执行刷新操作。在实施例中,用于操作非易失性存储器装置的方法可包括:监测非易失性存储器装置中的参考存储器区域的状态;并基于参考存储器区域的状态,确定是否对非易失性存储器装置中的标准存储器区域执行刷新操作。附图说明通过结合附图对本专利技术的多个实施例进行描述,对本专利技术所属领域的技术人员而言,本专利技术的上述和其它特征以及优点将会更明显,在附图中:图1为示出根据实施例的非易失性存储器装置的框图。图2A以及图2B为示出存储器单元的漂移现象的示例的图。图3A以及图3B为示出用于操作与参考存储器区域相关的状态监测单元的方法的示例的图。图4为示出图1所示的非易失性存储器装置的操作的流程图。图5为示出图1所示的状态监测单元的操作的流程图。图6为示出根据实施例的数据存储装置的框图。图7为示出用于在图6所示的数据存储装置中执行耗损均衡操作以及刷新操作的方法的图。图8为示出用于在图6所示的数据存储装置中执行耗损均衡操作以及刷新操作的方法的图。图9为示出图6所示的控制器的操作方法的流程图。具体实施方式在下文中,将结合附图通过本专利技术的示例性实施例对根据本专利技术的数据存储装置及其操作方法进行描述。然而,本专利技术可以以不同的形式实施并且本文中提出的实施例不应被理解成是对本专利技术的限制。相反,提供这些实施例是为了将本专利技术详细地描述到本专利技术所属领域的技术人员能够实践本专利技术的技术构思的程度。将理解的是,本专利技术的实施例并不局限于附图所示的细节,附图也不一定是按比例绘制的,并且在某些情况下,比例可能已经被夸大以便更清楚地描述本专利技术的某些特征。当使用特定的术语时,应理解使用的术语仅是为了描述特定的实施例,而不旨在限制本专利技术的范围。将理解的是,虽然本文中可能使用“第一”、“第二”、“第三”等术语描述多个元件,但这些术语并不限制这些元件。这些术语的使用是为了将一个元件与另一个元件区分开。因此,下文中描述的第一元件也可被称为第二元件或第三元件,而不脱离本专利技术的精神以及范围。将进一步理解的是,当一个元件被描述成“连接至”或“联接至”另一个元件时,其可以直接在另一个元件上、连接至或联接至另一个元件,或者可能存在一个或多个中间元件。此外,还应理解的是,当一个元件被描述成位于两个元件“之间”时,其可能是所述两个元件之间唯一的元件,或也可能存在一个或多个中间元件。将进一步理解的是,当本说明书中使用术语“包括”、“包括有”、“包含”和“包含有”时,其说明所陈述的元件的存在,但是不排除一个或多个其它元件的存在或增加。语句“……以及……中的至少一个”在本文中与项目列表一起使用时,意思是来自该列表中的单一项目或该列表中的项目的任一组合。例如,“A、B以及C中的至少一个”的意思是,仅A,或仅B,或仅C,或A、B以及C的任一组合。除非另有限定,否则本文中使用的包括技术术语以及科学术语的所有术语都具有与本专利技术所属
的普通技术人员基于本公开通常所理解的意思相同的意思。将进一步理解的是,诸如通用词典中所定义的那些术语的术语应被理解成具有与它们在本公开的上下文中以及相关领域中的意思一致的意思,并且除非在本文中有明确限定,否则将不以理想化或过于正式的意义来理解。在下文的描述中,陈述了诸多具体细节以提供对本专利技术的深入理解。本专利技术可在没有这些具体细节的一些或全部的情况下实施。在其它情况下,并未具体描述熟知的进程结构和/或进程,以避免不必要地模糊本专利技术。还需注意的是,在某些情况下,对相关领域的技术人员显而易见的是,除非以其它方式具体指出,否则结合一个实施例描述的元件(也称为特征)可单独使用或者与另一实施例的其它元件结合使用。在下文中,将结合附图对本专利技术的多个实施例进行详细描述。图1为示出根据实施例的非易失性存储器装置100的框图。即使外部不提供电力,但非易失性存储器装置100也可根据外部控制器(未示出)的控制来存储数据,并保存存储在其中的数据。在下文的描述中,非易失性存储器装置100可以是电阻式随机存取存储器(ReRAM)。然而,本公开的实施例不限于此,并且非易失性存储器装置100可由诸如NAND闪存或NOR闪存、铁电随机存取存储器(FeRAM)、相变随机存取存储器(PCRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)等闪速存储器实现。非易失性存储器装置100可包括控制块110、参考存储器区域120以及标准存储器区域130。控制块110不仅可对参考存储器区域120以及标准存储器区域130执行写入操作和读取操作,而且可根据用于非易失性存储器装置100的控制器(未示出)(例如图6中的控制器10)的控制,执行能够保证非易失性存储器装置100的数据可靠性并延长非易失性存储器装置100的寿命的其它管理操作。管理操作可包括如稍后描述的状态监测操作以及刷新操作。控制块110可包括状态监测单元111以及刷新单元112。状态监测单元111可监测参考存储器区域120的状态衰退,以确定是否应该对标准存储器区域130执行刷新操作。状态监测单元111可确定参考存储器区域120的被写入从而以预定状态存在的参考存储器单元是否由于漂移现象变化至临界状态。换言之,由于参考存储器区域120的参考存储器单元具有与标准存储器区域130本文档来自技高网
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数据存储装置及其操作方法

【技术保护点】
一种数据存储装置,其包括:非易失性存储器装置,其包括参考存储器区域以及标准存储器区域,并且适于基于所述参考存储器区域确定是否执行刷新操作;以及控制器,其适于基于耗损均衡操作数据确定所述标准存储器区域中的第一存储器区域,并控制所述非易失性存储器装置对所述标准存储器区域中除所述第一存储器区域之外的第二存储器区域执行所述刷新操作。

【技术特征摘要】
2016.10.10 KR 10-2016-01308571.一种数据存储装置,其包括:非易失性存储器装置,其包括参考存储器区域以及标准存储器区域,并且适于基于所述参考存储器区域确定是否执行刷新操作;以及控制器,其适于基于耗损均衡操作数据确定所述标准存储器区域中的第一存储器区域,并控制所述非易失性存储器装置对所述标准存储器区域中除所述第一存储器区域之外的第二存储器区域执行所述刷新操作。2.根据权利要求1所述的数据存储装置,其中,所述非易失性存储器装置对所述参考存储器区域中包括的一个或多个参考存储器单元中的至少一个目标参考存储器单元进行计数,并且当所述目标参考存储器单元的计数数值超过阈值数值时,确定执行所述刷新操作,并且其中,所述目标参考存储器单元具有大于或等于电阻值阈值的电阻值。3.根据权利要求2所述的数据存储装置,其中,所述非易失性存储器装置向所述参考存储器单元施加电流,将通过所述参考存储器单元的电流量与对应于所述电阻值阈值的电流量阈值进行比较,并将对应于小于所述电流量阈值的电流量的至少一个参考存储器单元作为所述目标参考存储器单元进行计数。4.根据权利要求2所述的数据存储装置,其中,所述非易失性存储器装置在执行所述刷新操作后,对所述参考存储器单元执行写入操作,使得所述参考存储器单元以预定状态存在。5.根据权利要求1所述的数据存储装置,其中,所述控制器基于所述耗损均衡操作数据,确定前一个刷新操作被执行之后执行交换操作的存储器单元作为所述第一存储器区域。6.根据权利要求1所述的数据存储装置,其中,所述控制器基于所述耗损均衡操作数据,确定前一个刷新操作被执行之后其中每一个被指定为缺口的存储器单元作为所述第一存储器区域。7.一种用于操作数据存储装置的方法,其包括:基于非易失性存储器装置的参考存储器区域,确定是否执行刷新操作;基于取决于确定结果的耗损均衡操作数据,确定所述非易失性存储器装置的标准存储器区域中的第一存储器区域;以及对所述标准存储器区域中除所述第一存储器区域之外的第二存储器区域执行所述刷新操作。8.根据权利要求7所述的方法,其中,确定是否执行所述刷新操作包括:对所述参考存储器区域中包括的...

【专利技术属性】
技术研发人员:安秀洪朴一
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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