电容笔发射与应用信号的方法及应用此方法的电容笔技术

技术编号:17733628 阅读:26 留言:0更新日期:2018-04-18 11:13
本发明专利技术公开了一种在触控面板上电容笔发射与应用信号的方法及应用此方法的电容笔。此电容笔与发射信号的方法利用三个不同发射电极的电场信号计算电容笔的倾斜角度与压力阶度。

A method for transmitting and applying the signal of a capacitor pen and a capacitor pen applying this method

The invention discloses a method for transmitting and applying a capacitance pen on a touch panel and a capacitor pen applying the method. The method of the capacitor pen and the transmitting signal uses the electric field signals of three different emissive electrodes to calculate the tilt angle and the pressure order of the capacitor pen.

【技术实现步骤摘要】
电容笔发射与应用信号的方法及应用此方法的电容笔
本专利技术是有关于电容笔发射与应用信号的方法及应用此方法的电容笔,特别是有关于一种使用三个不同电极发射电场信号的电容笔发射与应用信号的方法及应用此方法的电容笔。
技术介绍
以电容笔进行触控输入已是触控技术应用的主流。电容笔可提供使用者进行书写或是在触控面板上以使用者界面执行应用程序。当电容笔接近或接触触控面板时,通过侦测电容笔与触控面板的感应电极之间产生的电容耦合可获得电容笔的坐标、状态等信息。为了要建立电容笔与触控面板的感应电极之间的电容耦合以获得电容笔的坐标,电容笔需接收感应电极的驱动信号并输出信号至感应电极。除了电容笔的坐标之外,电容笔的倾斜角度、方位与角度或笔尖压力阶度信息均为电容笔在触控面板上应用与功能的关键信息。本专利技术提出电容笔发射与应用信号的方法及应用此方法的电容笔,利用三个发射电极的电场信号准确计算电容笔的倾斜角度以及笔尖压力阶度。
技术实现思路
本专利技术提出电容笔发射与应用信号的方法及应用此方法的电容笔,利用三个发射电极的电场信号准确计算电容笔的倾斜角度以及笔尖压力阶度。本专利技术提供了一种电容笔发射与应用信号的方法,包含:提供一电容笔在一触控面板上,所述电容笔包含第一发射电极、第二发射电极与第三发射电极;侦测所述第一发射电极与所述第三发射电极的电场信号强度;比对所述第一发射电极与所述第三发射电极的电场信号强度;根据所述第一发射电极与所述第三发射电极的电场信号强度的比对结果计算所述电容笔的第一倾斜角度;侦测所述第一发射电极、所述第二发射电极与所述第三发射电极的电场信号强度;比对所述第一发射电极与所述第三发射电极以及所述第二发射电极与所述第三发射电极的电场信号强度;根据所述第一发射电极与所述第三发射电极以及所述第二发射电极与所述第三发射电极的电场信号强度的比对结果计算所述电容笔的第二倾斜角度;及根据所述第一倾斜角度与所述第二倾斜角度计算所述电容笔的倾斜角度。优选地,其中所述第一发射电极的电场信号强度大于所述第二发射电极与所述第三发射电极的电场信号强度。优选地,其中所述第一发射电极、所述第二发射电极与所述第三发射电极的电场信号为交流电场信号。优选地,其中所述第二发射电极的交流电场信号频率为所述第一发射电极的交流电场信号频率的整数倍,倍率为2至9倍。优选地,其中所述第一发射电极的交流电场信号频率为所述第三发射电极的交流电场信号频率的100倍以上。优选地,其中侦测所述第一发射电极与所述第三发射电极的电场信号强度以及比对所述第一发射电极与所述第三发射电极的电场信号强度的步骤是在第一时间槽内执行,其间所述第二发射电极不发射信号。优选地,其中侦测所述第一发射电极、所述第二发射电极与所述第三发射电极的电场信号强度以及比对所述第一发射电极与所述第三发射电极以及所述第二发射电极与所述第三发射电极的电场信号强度的步骤系在第二时间槽内执行。优选地,还包含在第三时间槽期间侦测所述第一发射电极与所述第三发射电极的电场信号强度以及比对所述第一发射电极与所述第三发射电极的电场信号强度,其中所述第三时间槽期间所述第一发射电极的交流电场信号频率与所述第一时间槽期间所述第一发射电极的交流电场信号频率不同。优选地,其中在所述第三时间槽期间,所述第二发射电极不发射信号。优选地,还包含比对所述第一发射电极与所述第三发射电极的电场信号强度,以及根据所述第一发射电极与所述第三发射电极的电场信号强度的比对结果计算所述电容笔的压力阶度。优选地,还包含比对所述第一发射电极与所述第二发射电极的电场信号强度,以及根据所述第一发射电极与所述第二发射电极的电场信号强度的比对结果计算所述电容笔的所述第二倾斜角度。本专利技术还提供了一种电容笔,包含:一具有一电路的电路板;一第一发射电极、一第二发射电极与一第三发射电极,其中所述第一发射电极位于邻近所述电容笔笔尖的一端,所述第三发射电极位于所述第一发射电极与所述第二发射电极之间;及一电脑可读取储存媒体位于所述电路板上,储存电脑可执行指令,以执行电容笔电极发射信号的方法,所述方法包含:在第一时间槽期间,所述第一发射电极发射具有一第一频率的一第一交流电场信号,所述第二发射电极不发射信号,所述第三发射电极发射具有一第三频率的一第三交流电场信号;在第三时间槽期间,所述第一发射电极发射具有所述第一频率的所述第一交流电场信号,所述第二发射电极发射具有一第二频率的一第二交流电场信号,所述第三发射电极发射具有所述第三频率的所述第三交流电场信号;及在第三时间槽期间,所述第一发射电极发射具有一第四频率的一第一交流电场信号,所述第二发射电极不发射信号,所述第三发射电极发射具有所述第三频率的所述第三交流电场信号。优选地,其中所述第二频率为所述第一频率的整数倍,倍率为2至9倍。优选地,其中所述第一频率为所述第三频率的100倍以上。附图说明图1为根据本专利技术一实施例在一触控面板(未图标)上使用电容笔100的示意图。图2为根据本专利技术的一实施例电容笔在触控面板上不同电极信号发射的时间槽(TimeSlot)的示意图。图3为根据本专利技术的一实施例利用电容笔不同电极发射信号强度计算电容笔在触控面板上倾斜角度的示意图。图4为根据本专利技术的一实施例的一种侦测电容笔倾斜角度的方法的流程图。【主要组件符号说明】100:电容笔102:第一发射电极104:第三发射电极106:第二发射电极108:电路板110:电池402:侦测第一发射电极(Tx1)与第三发射电极(TSL)的电场信号强度404:比对第一发射电极(Tx1)与第三发射电极(TSL)的电场信号强度406:第一次计算电容笔的倾斜角度408:侦测第一发射电极(Tx1)、第二发射电极(Tx2)与第三发射电极(TSL)的电场信号强度410:比对第一发射电极(Tx1)与第三发射电极(TSL)以及第二发射电极(Tx2)与第三发射电极(TSL)的电场信号强度412:第二次计算电容笔的倾斜角度414:针对第一次与第二次计算电容笔的倾斜角度的结果进行加权平均计算具体实施方式为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例,对依据本专利技术的具体实施方式、结构、特征及其功效,详细说明如后。本专利技术的一些实施例将详细描述如下。然而,除了如下描述外,本专利技术还可以广泛地在其他的实施例施行,且本专利技术的范围并不受实施例的限定,以之后的专利范围为准。再者,为提供更清楚的描述及更易理解本专利技术,图式内各部分并没有依照其相对尺寸绘图,某些尺寸与其他相关尺度相比已经被夸张;不相关的细节部分也未完全绘出,以求图式的简洁。在本专利技术的一实施例中,提出一种电容笔发射与应用信号的方法,包含以下步骤。首先提供一电容笔在一触控面板上,该电容笔包含第一发射电极、第二发射电极与第三发射电极。接着侦测第一发射电极与第三发射电极的电场信号强度。然后比对第一发射电极与第三发射电极的电场信号强度。接着根据第一发射电极与第三发射电极的电场信号强度的比对结果计算电容笔的第一倾斜角度。然后侦测第一发射电极、第二发射电极与第三发射电极的电场信号强度。接着比对第一发射电极与第三发射电极以及第二发射电极与第三发射电极的电场信号强度。根据第一发射电极与第三发射电极以及第二发射电极与第三发射电极的电场信号本文档来自技高网...
电容笔发射与应用信号的方法及应用此方法的电容笔

【技术保护点】
一种电容笔发射与应用信号的方法,包含:提供一电容笔在一触控面板上,所述电容笔包含第一发射电极、第二发射电极与第三发射电极;侦测所述第一发射电极与所述第三发射电极的电场信号强度;比对所述第一发射电极与所述第三发射电极的电场信号强度;根据所述第一发射电极与所述第三发射电极的电场信号强度的比对结果计算所述电容笔的第一倾斜角度;侦测所述第一发射电极、所述第二发射电极与所述第三发射电极的电场信号强度;比对所述第一发射电极与所述第三发射电极以及所述第二发射电极与所述第三发射电极的电场信号强度;根据所述第一发射电极与所述第三发射电极以及所述第二发射电极与所述第三发射电极的电场信号强度的比对结果计算所述电容笔的第二倾斜角度;及根据所述第一倾斜角度与所述第二倾斜角度计算所述电容笔的倾斜角度。

【技术特征摘要】
2016.10.05 TW 1051321261.一种电容笔发射与应用信号的方法,包含:提供一电容笔在一触控面板上,所述电容笔包含第一发射电极、第二发射电极与第三发射电极;侦测所述第一发射电极与所述第三发射电极的电场信号强度;比对所述第一发射电极与所述第三发射电极的电场信号强度;根据所述第一发射电极与所述第三发射电极的电场信号强度的比对结果计算所述电容笔的第一倾斜角度;侦测所述第一发射电极、所述第二发射电极与所述第三发射电极的电场信号强度;比对所述第一发射电极与所述第三发射电极以及所述第二发射电极与所述第三发射电极的电场信号强度;根据所述第一发射电极与所述第三发射电极以及所述第二发射电极与所述第三发射电极的电场信号强度的比对结果计算所述电容笔的第二倾斜角度;及根据所述第一倾斜角度与所述第二倾斜角度计算所述电容笔的倾斜角度。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,其中所述第一发射电极的电场信号强度大于所述第二发射电极与所述第三发射电极的电场信号强度。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,其中所述第一发射电极、所述第二发射电极与所述第三发射电极的电场信号为交流电场信号。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,其中所述第二发射电极的交流电场信号频率为所述第一发射电极的交流电场信号频率的整数倍,倍率为2至9倍。5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,其中所述第一发射电极的交流电场信号频率为所述第三发射电极的交流电场信号频率的100倍以上。6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,其中侦测所述第一发射电极与所述第三发射电极的电场信号强度以及比对所述第一发射电极与所述第三发射电极的电场信号强度的步骤是在第一时间槽内执行,其间所述第二发射电极不发射信号。7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,其中侦测所述第一发射电极、所述第二发射电极与所述第三发射电极的电场信号强度以及比对所述第一发射电极与所述第三发射电极以及所述第二发射电极与所述第三发射电极的电场信号强度的步骤系在第二时间槽内执行。8.根据权利要求1所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员:叶嘉瑞
申请(专利权)人:翰硕电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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