高压嵌位保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高压嵌位保护电路，包括高压嵌位芯片U1、稳压管D1、电阻R7、电阻R8、电容C1和分压电路；高压嵌位芯片U1分别与电阻R7、电阻R8的一端、电容C1的一端和分压电路电连接，电阻R8的另一端与稳压管D1的负极电连接，分压电路分别与开关电源的正极和输出嵌位端的正极电连接，稳压管D1的正极、电容C1的另一端和高压嵌位芯片U1均与开关电源的负极电连接，高压嵌位芯片U1与输出嵌位端的负极电连接。本实用新型专利技术使用了高压嵌位芯片U1，降低了电路损耗；减少了发热；提高了保护电路的可靠性；并且体积小，节省PCB电路板空间。

High pressure inlay protection circuit

The utility model discloses a high voltage clamp protection circuit, including high voltage clamped chip U1, D1 regulator, resistor R7, a resistor R8 and a capacitor C1 and a voltage dividing circuit; end of the high pressure embedded chip U1 and a resistor R7 and a resistor R8, a capacitor C1 and one end of the divider circuit is electrically connected with the anode. The other end is electrically connected with the resistor R8 and voltage regulator tube D1, cathode voltage divider circuit electrically connected with the switching power supply output were positive and the clamped end, the other end of the cathode, the capacitor C1 voltage regulator tube D1 and high voltage clamped chip U1 is connected with the negative power switching power supply, high voltage electric connecting the cathode block U1 and the output bit chip and embedded terminal. The utility model uses the high voltage chip U1 to reduce the circuit loss, reduce the fever, improve the reliability of the protection circuit, and save the PCB circuit board space with small volume.

【技术实现步骤摘要】
高压嵌位保护电路
本技术涉及仪器仪表保护
，尤其是涉及一种能够降低损耗，减少发热，提高电路可靠性，体积小，节省PCB电路板空间的高压嵌位保护电路。
技术介绍
现有高压嵌位保护电路通常由MOS管和稳压管等组成，如图1所示。该电路的原理是：当VIN输入端低于阈值电压的时候，稳压管TVS1、稳压管TVS2和稳压管TVS3为断路状态；电流流经电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和稳压管D1回路，稳压管D1两端电压使MOS管Q1导通，并最终使MOS管Q1处于放大状态，从而在漏源极产生较高压降，同时有功率流过Q1，产生一定的损耗；当VIN输入端高于阈值的时候，此时稳压管TVS1、稳压管TVS2和稳压管TVS3处于反向稳压状态，此时输出端被钳位在一定的电压，达到高压钳位的目的。压敏RV2为保护MOS管Q1不被外界高压所击穿，防止高压钳位电路过冲给输出端带来的高压损坏。现有开关电源的高压嵌位保护电路，运用高压MOS管、稳压管TVS、稳压管、压敏电阻等元器件组合而成，因此体积大，占用了PCB电路板的空间；并且在输入端VIN在嵌位阈值电压以下时，MOS管Q1也会存在大的损耗，自身也会发热，从而降低保护电路的可靠性。
技术实现思路
本技术为了克服现有技术中电路损耗大、易发热、保护电路可靠性低和体积大的不足，提供了一种能够降低损耗，减少发热，提高电路可靠性，体积小，节省PCB电路板空间的高压嵌位保护电路。为了实现上述目的，本技术采用了以下技术方案：一种高压嵌位保护电路，包括高压嵌位芯片U1、稳压管D1、电阻R7、电阻R8、电容C1和分压电路；高压嵌位芯片U1分别与电阻R7、电阻R8的一端、电容C1的一端和分压电路电连接，电阻R8的另一端与稳压管D1的负极电连接，分压电路分别与开关电源的正极和输出嵌位端的正极电连接，稳压管D1的正极、电容C1的另一端和高压嵌位芯片U1均与开关电源的负极电连接，高压嵌位芯片U1与输出嵌位端的负极电连接，稳压管D1的正极、电容C1的另一端和高压嵌位芯片U1均接地。本技术采用高压嵌位芯片U1，使用分压电路进行分压后再为高压嵌位芯片U1提供电压，改变了的工作模式，降低了电路损耗，减少了发热，并且体积小，节省PCB电路板空间。作为优选，还包括电阻R9、电阻R10和电阻R11；电阻R9、电阻R10和电阻R11依次电连接，电阻R9分别与高压嵌位芯片U1、电阻R7和电阻R8电连接，电阻R11分别与高压嵌位芯片U1和输出嵌位端的负极电连接。作为优选，分压电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5和电阻R6；电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5和电阻R6依次电连接，电阻R6分别与电容C1、电阻R7和高压嵌位芯片U1电连接，电阻R1分别与开关电源的正极和输出嵌位端的正极电连接。作为优选，电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5和电阻R6的阻值之和等于电阻R9、电阻R10和电阻R11的阻值之和。作为优选，芯片U1的型号为DMHV-1400A。作为优选，还包括PCB电路板，所有电阻、电容C1、稳压管D1和高压嵌位芯片U1均位于PCB电路板上因此，本技术具有如下有益效果：本技术使用了高压嵌位芯片U1，降低了电路损耗；减少了发热；提高了保护电路的可靠性；提高了开关电源的效率；并且体积小，节省PCB电路板空间。附图说明图1是现有技术中的高压嵌位保护电路的一种电路图；图2是本技术的一种电路图。具体实施方式下面结合附图与具体实施方式对本技术做进一步描述：如图2所示的实施例是一种高压嵌位保护电路，包括高压嵌位芯片U1、稳压管D1、电阻R7、电阻R8、电容C1、电阻R9、电阻R10、电阻R11和分压电路；高压嵌位芯片U1分别与电阻R7、电阻R8的一端、电容C1的一端和分压电路电连接，电阻R8的另一端与稳压管D1的负极电连接，分压电路分别与开关电源的正极和输出嵌位端的正极电连接，稳压管D1的正极、电容C1的另一端和高压嵌位芯片U1均与开关电源的负极电连接，高压嵌位芯片U1与输出嵌位端的负极电连接，稳压管D1的正极、电容C1的另一端和高压嵌位芯片U1均接地；电阻R9、电阻R10和电阻R11依次电连接，电阻R9分别与高压嵌位芯片U1、电阻R7和电阻R8电连接，电阻R11分别与高压嵌位芯片U1和输出嵌位端的负极电连接。其中，分压电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5和电阻R6；电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5和电阻R6依次电连接，电阻R6分别与电容C1、电阻R7和高压嵌位芯片U1电连接，电阻R1分别与开关电源的正极和输出嵌位端的正极电连接。此外，电阻R9、电阻R10和电阻R11为平衡电阻，使得电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5和电阻R6的阻值之和等于电阻R9、电阻R10和电阻R11的阻值之和；电容C1用于滤除高压嵌位芯片U1的第2管脚的毛刺电压；电阻R7为高压嵌位芯片内部电路的偏置电阻，电阻R8和稳压管D1用于抑制开机时高压嵌位芯片U1的第3管脚和第5管脚的过冲电压；所有电阻、电容C1、稳压管D1和高压嵌位芯片U1均位于PCB电路板上。本技术以嵌位700VDC，高压嵌位芯片U1的型号为DMHV-1400A为例说明高压嵌位保护电路的工作过程，具体过程如下：当开关电源VIN的输入端低于阈值700VDC的时候，此时流经电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5和电阻R6的电流会小于230uA，当高压嵌位芯片U1的第2管脚检测到流入电流小于230uA时，高压嵌位芯片U1的内部MOS管处于恒定导通的状态，保持VIN≈VO，此时MOS的损耗可以忽略不计。当开关电源VIN的高压输入端高于阈值700VDC的时候，流经电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5和电阻R6的电流会大于230uA,当高压嵌位芯片U1的第2管脚检测到流入电流大于230uA时，高压嵌位芯片U1的内部MOS管工作于限流状态，使输出电压钳位在700VDC。应理解，本实施例仅用于说明本技术而不用于限制本技术的范围。此外应理解，在阅读了本技术讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本技术作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压嵌位保护电路，其特征在于，包括高压嵌位芯片U1、稳压管D1、电阻R7、电阻R8、电容C1和分压电路；高压嵌位芯片U1分别与电阻R7、电阻R8的一端、电容C1的一端和分压电路电连接，电阻R8的另一端与稳压管D1的负极电连接，分压电路分别与开关电源的正极和输出嵌位端的正极电连接，稳压管D1的正极、电容C1的另一端和高压嵌位芯片U1均与开关电源的负极电连接，高压嵌位芯片U1与输出嵌位端的负极电连接，稳压管D1的正极、电容C1的另一端和高压嵌位芯片U1均接地。

【技术特征摘要】
1.一种高压嵌位保护电路，其特征在于，包括高压嵌位芯片U1、稳压管D1、电阻R7、电阻R8、电容C1和分压电路；高压嵌位芯片U1分别与电阻R7、电阻R8的一端、电容C1的一端和分压电路电连接，电阻R8的另一端与稳压管D1的负极电连接，分压电路分别与开关电源的正极和输出嵌位端的正极电连接，稳压管D1的正极、电容C1的另一端和高压嵌位芯片U1均与开关电源的负极电连接，高压嵌位芯片U1与输出嵌位端的负极电连接，稳压管D1的正极、电容C1的另一端和高压嵌位芯片U1均接地。2.根据权利要求1所述的高压嵌位保护电路，其特征在于，还包括电阻R9、电阻R10和电阻R11；电阻R9、电阻R10和电阻R11依次电连接，电阻R9分别与高压嵌位芯片U1、电阻R7和电阻R8电连接，电阻R11分别与高压嵌位芯片U1和输出嵌位端的负极电连接。3.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖五生，孙兆辉，潘小龙，
申请(专利权)人：华立科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33