一种新型的LED透明电极制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新型的LED透明电极，包括外延层和透明导电层，所述透明电极还包括设于外延层与透明导电层之间的金属纳米颗粒层。金属纳米颗粒在GaN接触层和透明导电层之间相互形成共晶结构，出射光与金属纳米颗粒形成的等离激元发生作用从而增强出光效率。由于共晶接触层的形成，透明导电层与GaN层能够形成更好的欧姆接触，从而降低LED的工作电压。

A new type of LED transparent electrode

The utility model discloses a new LED transparent electrode, which comprises an epitaxial layer and a transparent conductive layer. The transparent electrode also comprises a metal nano particle layer between the epitaxial layer and the transparent conductive layer. The metal nanoparticles formed eutectic structure between GaN contact layer and transparent conductive layer. The emission light and the plasmon polaritons formed by metal nanoparticles enhance the optical efficiency. Due to the formation of the eutectic contact layer, the transparent conductive layer and the GaN layer can form better ohmic contact, thus reducing the working voltage of LED.

【技术实现步骤摘要】
一种新型的LED透明电极
本技术属于半导体电子器件
，具体涉及一种新型的LED透明电极。
技术介绍
透明导电材料是具有较高透光率且具有良好导电性的材料。其在光电子领域有着广泛的应用。以ITO为代表的透明导电材料在LED制备中起到了关键性的作用。ITO良好的导电性以及其与GaN材料的良好的欧姆接触使得目前仍然无法有更好的透明导电材料能够替代其在GaN基LED中的应用。然而人们为了获取更高的透光特性从而增强LED的光提取效率使得ITO透明导电层的厚度不断减薄，而ITO透明导电层的厚度减薄就会导致接触电阻的增大，使导电性能减弱，这就使ITO在透光性和导电性方面发生了一定的矛盾。现有技术为了获取更高的透光率而使得ITO透明导电层的厚度不断减薄，从而导致电极的导电性能差，使LED的工作电压增大。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提供一种新型的LED透明电极，目的是实现LED光提取效率增强，增加透明电极及外延层的导电能力。为了实现上述目的，本技术采取的技术方案为：一种新型的LED透明电极，包括外延层和透明导电层，所述透明电极还包括设于外延层与透明导电层之间的金属纳米颗粒层。所述外延层包括第一外延层和第二外延层，量子阱发光层设于第一外延层与第二外延层之间，所述金属纳米颗粒层设于第二外延层与透明导电层之间。所述外延层为GaN外延层。所述金属纳米颗粒层采用Ag、Al、In金属材料制作。金属纳米颗粒也可以是别的具有增强光提取效果的AgO、Al2O3等金属氧化物。所述透明导电层采用ITO、GZO、AZO透明导电材料制作。本技术的有益效果：本技术创新性地在透明导电材料和GaN接触层之间制备金属纳米颗粒。金属纳米颗粒具有熔点低和易扩散的特点。通过对该透明电极结构进行退火处理，金属纳米颗粒在GaN接触层和透明导电层之间相互形成共晶结构。出射光与金属纳米颗粒形成的等离激元发生作用从而增强出光效率。由于共晶接触层的形成，透明导电层与GaN层能够形成更好的欧姆接触，从而降低LED的工作电压。附图说明本说明书包括以下附图，所示内容分别是：图1是本技术的结构示意图；图2是整体LED示意图。图中标记为：1、衬底，2、第一外延层，3、量子阱发光层，4、第二外延层，5、金属纳米颗粒层，6、透明导电层，7、金属电极，8、钝化层。具体实施方式下面对照附图，通过对实施例的描述，对本技术的具体实施方式作进一步详细的说明，目的是帮助本领域的技术人员对本技术的构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解，并有助于其实施。如图1至图2所示，一种新型的LED透明电极，包括衬底1、量子阱发光层3、外延层、透明导电层6、金属电极7和钝化层8，该透明电极还包括设于外延层与透明导电层6之间的金属纳米颗粒层5。该金属纳米颗粒可以采用Ag、Al、In等熔点低易扩散的金属材料制作。金属纳米颗粒也可以是别的具有增强光提取效果的AgO、Al2O3等金属氧化物。透明导电层采用ITO、GZO、AZO透明导电材料制作。外延层包括第一外延层2和第二外延层4，量子阱发光层设于第一外延层2与第二外延层4之间，所述金属纳米颗粒层设于第二外延层与透明导电层之间。具体而言，衬底在最底层，往上依次为第一外延层、量子阱发光层、第二外延层，外延层上表面为金属纳米颗粒，金属纳米颗粒上表面为透明导电层，透明导电层上为金属电极，最上层为钝化层。外延层优选为GaN外延层。第二GaN外延层即为GaN接触层，在GaN接触层上设置金属纳米颗粒，使得金属纳米颗粒介于透明导电层和GaN接触层之间，然后再沉积ITO透明导电层，通过退火处理使得金属纳米颗粒在GaN接触层和透明导电层之间相互形成共晶结构。该结构利用出射光与金属纳米颗粒形成的等离激元光发生作用从而增强出光效率。由于共晶接触层的形成，透明导电层与GaN层能够形成更好的欧姆接触，从而降低LED的工作电压。降低了LED的工作电压。以上结合附图对本技术进行了示例性描述。显然，本技术具体实现并不受上述方式的限制。只要是采用了本技术的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进；或未经改进，将本技术的上述构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型的LED透明电极，包括外延层和透明导电层，其特征在于：所述透明电极还包括设于外延层与透明导电层之间的金属纳米颗粒层。

【技术特征摘要】
1.一种新型的LED透明电极，包括外延层和透明导电层，其特征在于：所述透明电极还包括设于外延层与透明导电层之间的金属纳米颗粒层。2.根据权利要求1所述新型的LED透明电极，其特征在于：所述外延层包括第一外延层和第二外延层，量子阱发光层设于第一外延层与第二外延层之间，所述金属纳米颗粒层设于第二外延层与透明导电层...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙金芳，姚星星，张才富，张士许，杨枭，
申请(专利权)人：安徽信息工程学院，
类型：新型
国别省市：安徽,34