光感测装置制造方法及图纸

技术编号:17707977 阅读:31 留言:0更新日期:2018-04-14 20:02
一种光感测装置包括非可见光转换基板、感光元件、第一保护层、薄膜晶体管、第一导电图案及第二保护层。感光元件及薄膜晶体管配置于非可见光转换基板。第一保护层覆盖非可见光转换基板以及感光元件的第二电极。第一保护层具有与感光元件的第二电极重叠的开口。第一导电图案设置于第一保护层上且通过第一保护层的开口与感光元件的第二电极电性连接。第一导电图案电性连接于感光元件的第二电极与薄膜晶体管的源极之间。第二保护层覆盖薄膜晶体管、第一导电图案及感光元件。

【技术实现步骤摘要】
光感测装置
本专利技术是有关于一种感测装置,且特别是有关于一种光感测装置。
技术介绍
光感测装置利用不同元件的基板与粘胶来粘着不同的基板。然而,粘胶会使得光感测装置所需要感测的光线散射,而使光感测装置的取像质量不佳。此外,光感测装置的不同元件的基板中,仍需要多个控制元件读取及/或感光元件感测。然而,当控制元件读取及/或感光元件感测异常时,可能造成获取影像的误亮点过多,而无法被使用者接受。虽然,经由修补程序可修补控制元件读取及/或感光元件感测,但仍然可能会产生控制元件读取及/或感光元件感测异常,而修补不易。
技术实现思路
本专利技术提供一种光感测装置,取像质量佳且易修补。本专利技术的光感测装置,包括非可见光转换基板、感光元件、第一保护层、薄膜晶体管、第一导电图案以及第二保护层。非可见光转换基板用以将非可见光转换成可见光。感光元件配置于非可见光转换基板上,以感测可见光。感光元件包括第一电极、第二电极以及设置于第一电极与第二电极之间的光电转换层。第一电极接近非可见光转换基板,第二电极远离非可见光转换基板,且第一电极的材料包括透明或半透明材料。第一保护层覆盖非可见光转换基板以及感光元件的第二电极。第一保护层具有开口,开口与第二电极的至少一部分重叠。薄膜晶体管设置于非可见光转换基板上。薄膜晶体管包括栅极、半导体层、栅极绝缘层、与半导体层电性连接的源极与漏极,其中半导体层位于栅极与源极之间以与门极与漏极之间,而栅极绝缘层位于半导体层与栅极之间。第一导电图案设置于第一保护层上。第一导电图案通过第一保护层的开口与感光元件的第二电极电性连接。第一导电图案电性连接于感光元件的第二电极与薄膜晶体管的源极之间。第二保护层覆盖薄膜晶体管、第一导电图案及感光元件。基于上述,在本专利技术一实施例的光感测装置中,感光元件配置于非可见光转换基板上。意即,感光元件形成在非可见光转换基板上,而感光元件不需利用胶层(例如:粘着层)便能与非可见光转换基板连接。藉此,非可见光转换基板所转换出的可见光不需通过胶层(例如:粘着层)便能传递至感光元件。可见光在传递至感光元件前不会被胶层(例如:粘着层)散射,从而提升光感测装置的取影质量。此外,由于第一导电图案配置于第一保护层上,例如:第一导电图案的修补部比感光元件中较接近非可见光转换基板的电极(例如:第一电极)及/或遮光图案较靠近激光源,因此利用激光断开修补部时,激光可不需经过感光元件中较接近非可见光转换基板的电极(例如:第一电极)及/或遮光图案附近的区域便能传递至修补部。藉此,在断开修补部的过程中,激光可较不易同时传递至修补部及感光元件中较接近非可见光转换基板的电极(例如:第一电极)及/或遮光图案而熔接修补部与感光元件中较接近非可见光转换基板的电极(例如:第一电极)及/或遮光图案,进而可较为降低因断开修补部而造成的源极与感光元件中较接近非可见光转换基板的电极(例如:第一电极)及/或遮光图案短路的风险。再者,于修补步骤期间,更可较不会损伤了感光元件及/或非可见光转换基板中的非可见光波长转换材料,而可让于修补步骤前后的光感测装置感测质量较不会变动太大。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图式作详细说明如下。附图说明图1为本专利技术一实施例的光感测装置的上视示意图。图2为本专利技术一实施例的光感测装置的剖面示意图。图3为本专利技术另一实施例的光感测装置的剖面示意图。图4为本专利技术另一实施例的光感测装置的上视示意图。其中,附图标记为:100、100A、100B:光感测装置110、110A:非可见光转换基板112:第一基底114:非可见光波长转换材料116:第二基底120:感光元件121:第一电极122:第二电极123:光电转换层123a、123b、123c:半导体层130:第一保护层132、134:开口140:第一导电图案140a:第一导电图案表面142:主要部144:修补部150:第二保护层150a:第二保护层表面170:缓冲层180、180A、180B:遮光图案190:导电线192:第二导电图案CL:共享电极线CH:半导体层D:漏极DL:资料线GI:栅极绝缘层G:栅极Ga:栅极表面H1、H2:距离K1、K2:长度L:激光L1:非可见光L2:可见光S:源极SL:扫描线T:薄膜晶体管W1、W2、Ws、Wg:宽度x、y:方向Ⅰ-Ⅰ’、Ⅱ-Ⅱ’:剖线具体实施方式在下文中将参照附图更全面地描述本专利技术,在附图中示出了本专利技术的示例性实施例。如本领域技术人员将认识到的,可以以各种不同的方式修改所描述的实施例,而不脱离本专利技术的精神或范围。应当理解,当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件”上”或”连接到”或”耦接到”另一元件时,其可以直接在另一元件上或与另一元件连接(或耦接),或者中间元件可以也存在。相反,当元件被称为”直接在另一元件上”或”直接连接(耦接)到”另一元件时,不存在中间元件。如本文所使用的,”连接或耦接”可以指物理及/或电性连接(或电性耦接)。本文使用的”约”、”近似”或、”实质上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值,考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即,测量系统的限制)。例如,”约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内,或±30%、±20%、±10%、±5%内。再者,本文使用的“约”、”近似”或“实质上”可依光学性质、蚀刻性质或其它性质,来选择较可接受的偏差范围或标准偏差,而可不用一个标准偏差适用全部性质。除非另有定义,本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本专利技术所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是,诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本专利技术的上下文中的含义一致的含义,并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义,除非本文中明确地这样定义。图1为本专利技术一实施例的光感测装置的上视示意图。图2为本专利技术一实施例的光感测装置的剖面示意图。特别是,图2对应于图1的剖线Ⅰ-Ⅰ’与Ⅱ-Ⅱ’。请参照图1及图2,光感测装置100包括非可见光转换基板110、感光元件120、第一保护层130、薄膜晶体管T、第一导电图案140以及第二保护层150。非可见光转换基板110用以将非可见光L1转换成可见光L2(例如:可见光波段范围约为390纳米(nm)~700纳米(nm))。在本实施例中,非可见光L1例如是X射线。然而,本专利技术不限于此,在其他实施例中,非可见光L1也可以是红外光、紫外光、γ射线或具有其他波长范围的非可见光。感光元件120设置于非可见光转换基板110上,以感测可见光L2。举例而言,在本实施例中,非可见光转换基板110包括第一基底112以及设置于第一基底112上的非可见光波长转换材料114,则感光元件120可直接设置于非可见光转换基板110内表面上,例如:感光元件120直接设置于非可见光转换基板110的非可见光波长转换材料114上。因此,非可见光转换基板110以非可见光波长转换材料114将非可见光L1转换成可见光L2。于其它实施中,光感测装置100可选择性地包括缓冲层170,设置于非可见光转换基板110上,而感光元件120可设置于缓冲层170上,则感光元件120可直接设置于非可见光转换基板11本文档来自技高网...
光感测装置

【技术保护点】
一种光感测装置,其特征在于,包括:一非可见光转换基板,用以将一非可见光转换成一可见光;一感光元件,配置于该非可见光转换基板上,以感测该可见光,该感光元件包括:一第一电极与一第二电极;以及一光电转换层,设置于该第一电极与该第二电极之间,其中,该第一电极接近该非可见光转换基板,该第二电极远离该非可见光转换基板,且该第一电极的材料包括透明或半透明材料;一第一保护层,覆盖该非可见光转换基板以及该感光元件的该第二电极,其中,该第一保护层具有一开口,该开口与该第二电极的至少一部分重叠;一薄膜晶体管,设置于该非可见光转换基板上,其中,该薄膜晶体管包括一栅极、一半导体层、一栅极绝缘层、与该半导体层电性连接的一源极与一漏极,该半导体层位于该栅极与该源极之间以及该栅极与该漏极之间,且该栅极绝缘层位于该半导体层与该栅极之间;一第一导电图案,设置于该第一保护层上,其中,该第一导电图案通过该第一保护层的该开口与该感光元件的该第二电极电性连接,且该第一导电图案电性连接于该感光元件的该第二电极与该薄膜晶体管的该源极之间;以及一第二保护层,覆盖该薄膜晶体管、该第一导电图案以及该感光元件。

【技术特征摘要】
2017.09.04 TW 1061301551.一种光感测装置,其特征在于,包括:一非可见光转换基板,用以将一非可见光转换成一可见光;一感光元件,配置于该非可见光转换基板上,以感测该可见光,该感光元件包括:一第一电极与一第二电极;以及一光电转换层,设置于该第一电极与该第二电极之间,其中,该第一电极接近该非可见光转换基板,该第二电极远离该非可见光转换基板,且该第一电极的材料包括透明或半透明材料;一第一保护层,覆盖该非可见光转换基板以及该感光元件的该第二电极,其中,该第一保护层具有一开口,该开口与该第二电极的至少一部分重叠;一薄膜晶体管,设置于该非可见光转换基板上,其中,该薄膜晶体管包括一栅极、一半导体层、一栅极绝缘层、与该半导体层电性连接的一源极与一漏极,该半导体层位于该栅极与该源极之间以及该栅极与该漏极之间,且该栅极绝缘层位于该半导体层与该栅极之间;一第一导电图案,设置于该第一保护层上,其中,该第一导电图案通过该第一保护层的该开口与该感光元件的该第二电极电性连接,且该第一导电图案电性连接于该感光元件的该第二电极与该薄膜晶体管的该源极之间;以及一第二保护层,覆盖该薄膜晶体管、该第一导电图案以及该感光元件。2.如权利要求1所述的光感测装置,其特征在于,该光感测装置更包括:一数据线,设置于该非可见光转换基板上且与该漏极电性连接;以及一扫描线,设置于该非可见光转换基板上且与该栅极电性连接。3.如权利要求2所述的光感测装置,其特征在于,更包括:一第二导电图案,电性连接于该栅极与该扫描线之间,其中,该第二导电图案设置于该栅极绝缘层上,该第二保护层覆盖该第二导电图案。4.如权利要求3所述的光感测装置,其特征在于,至少部分的该第二导电图案的宽度小于与该栅极的宽度。5.如权利要求1所述的光感测装置,其特征在于,至少部分的该第一导电图案的宽度小于与该源极的宽度。...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈德铭陈宗汉吴声桢周耕群陈盈宪
申请(专利权)人:友达光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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