一种可减少电荷馈通的MOS开关制造技术

本实用新型专利技术公开了一种可减少电荷馈通的MOS开关，其包括：一个主开关管M1和两个尺寸完全相同的MOS电容M1a和M1b；其中：MOS电容M1a分别与主开关管M1的源极和信号输入端Vin相连接，MOS电容M1b分别与主开关管M1的漏极和信号输出端Vout相连接；并且，主开关管M1的栅极与第一时钟信号clk相连接，MOS电容M1a和M1b的栅极均与第二时钟信号xclk相连接。本实用新型专利技术提供的MOS开关由于其中的主开关管M1的馈通电荷可被两侧MOS电容所吸收，且不影响输入信号，因此能明显减少电荷馈通，从而满足开关电容电路的高精度要求，工业应用价值强。

【技术实现步骤摘要】
一种可减少电荷馈通的MOS开关
本技术涉及一种MOS开关，具体说，是涉及一种可减少电荷馈通的MOS开关，属于微电子

技术介绍
开关电容(SC)电路是由受时钟信号控制的开关和电容器组成的电路，它是利用电荷的存储和转移来实现对信号的各种处理功能。高精度开关电容电路是数模混合集成电路的重要组成部分，在滤波器、可调增益放大器、模数转换器和数模转换器中有着广泛应用。而高精度开关电容电路对开关的要求很高，开关的电荷馈通效应会影响整个电路精度，因此，本领域啓需研发一种可减少电荷馈通的MOS开关，以满足开关电容电路的高精度要求。
技术实现思路
针对现有技术存在的上述问题和需求，本技术的目的是提供一种可减少电荷馈通的MOS开关，以满足开关电容电路的高精度要求。为实现上述目的，本技术采用的技术方案如下：一种可减少电荷馈通的MOS开关，包括：一个主开关管M1和两个尺寸完全相同的MOS电容M1a和M1b；其中：MOS电容M1a分别与主开关管M1的源极和信号输入端Vin相连接，MOS电容M1b分别与主开关管M1的漏极和信号输出端Vout相连接；并且，主开关管M1的栅极与第一时钟信号clk相连接，MOS电容M1a和M1b的栅极均与第二时钟信号xclk相连接。作为优选方案，所述主开关管M1为NMOS管。作为优选方案，所述MOS电容为源极、漏极与衬底相连接的NMOS管。作为优选方案，所述两个尺寸完全相同的MOS电容M1a和M1b是指MOS电容M1a的沟道长度与MOS电容M1b的沟道长度相等同，MOS电容M1a的宽度与MOS电容M1b的宽度相等同。作为优选方案，所述第一时钟信号与第二时钟信号为相反信号。作为进一步优选方案，所述第二时钟信号是由第一时钟信号串接反相器得到。相较于现有技术，本技术的有益技术效果在于：本技术提供的MOS开关由于其中的主开关管M1的馈通电荷可被两侧MOS电容所吸收，且不影响输入信号，因此能明显减少电荷馈通，从而满足开关电容电路的高精度要求，工业应用价值强。附图说明图1为本技术提供的一种可减少电荷馈通的MOS开关的结构示意图；图2为本技术提供的第二时钟信号的结构示意图。具体实施方式以下结合附图和实施例对本技术的技术方案做进一步详细描述。实施例如图1所示：本实施例提供的一种可减少电荷馈通的MOS开关，包括：一个主开关管M1和两个尺寸完全相同的MOS电容M1a和M1b；其中：MOS电容M1a分别与主开关管M1的源极和信号输入端Vin相连接，MOS电容M1b分别与主开关管M1的漏极和信号输出端Vout相连接；并且，主开关管M1的栅极与第一时钟信号clk相连接，MOS电容M1a和M1b的栅极均与第二时钟信号xclk相连接。所述主开关管M1优选为NMOS管，所述MOS电容M1a和M1b均优选为源极、漏极与衬底相连接的NMOS管。本实施例中，所述两个尺寸完全相同的MOS电容M1a和M1b是指MOS电容M1a的沟道长度与MOS电容M1b的沟道长度相等同，MOS电容M1a的宽度与MOS电容M1b的宽度相等同。作为优选方案，所述第一时钟信号clk与第二时钟信号xclk为相反信号，即：当clk＝0，xclk＝1；当clk＝1，xclk＝0。所述第二时钟信号xclk是由第一时钟信号clk串接反相器得到(参阅图2所示)。因当NMOS管栅极接高电平1时，源极与漏极会导通；当NMOS管栅极接低电平0时，源极与漏极会断开；因此，当MOS电容M1a和M1b均为源极与漏极相连接的NMOS管时，并且M1a与M1b的尺寸(沟道长度和宽度)完全相同时，可作为MOS电容吸收主开关管M1两侧产生的馈通电荷，从而减少电荷馈通效应对信号的影响，提高开关电容电路的精度。综上所述，本技术提供的MOS开关由于其中的主开关管M1的馈通电荷可被两侧的MOS电容M1a和M1b所吸收，且不影响输入信号，能明显减少电荷馈通，因而可满足开关电容电路的高精度要求，具有很强的工业应用价值；因此，本技术相对于现有技术，已取得明显进步。最后有必要在此指出的是：以上所述仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可减少电荷馈通的MOS开关，其特征在于，包括：一个主开关管M1和两个尺寸完全相同的MOS电容M1a和M1b；其中：MOS电容M1a分别与主开关管M1的源极和信号输入端Vin相连接，MOS电容M1b分别与主开关管M1的漏极和信号输出端Vout相连接；并且，主开关管M1的栅极与第一时钟信号clk相连接，MOS电容M1a和M1b的栅极均与第二时钟信号xclk相连接。

【技术特征摘要】
1.一种可减少电荷馈通的MOS开关，其特征在于，包括：一个主开关管M1和两个尺寸完全相同的MOS电容M1a和M1b；其中：MOS电容M1a分别与主开关管M1的源极和信号输入端Vin相连接，MOS电容M1b分别与主开关管M1的漏极和信号输出端Vout相连接；并且，主开关管M1的栅极与第一时钟信号clk相连接，MOS电容M1a和M1b的栅极均与第二时钟信号xclk相连接。2.根据权利要求1所述的可减少电荷馈通的MOS开关，其特征在于：所述主开关管M1为NMOS管。3.根据权利要求1所述的可减少电荷馈通的MOS开关...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹睿，李洪芹，
申请(专利权)人：上海工程技术大学，
类型：新型
国别省市：上海,31