一种EMI真空磁控溅射镀膜设备及其镀膜方法技术

本发明专利技术公开了一种EMI真空磁控溅射镀膜设备及其镀膜方法，其中EMI真空磁控溅射镀膜设备包括中真空抽气机组、高真空抽气机组及依次连接的进件升降架、进件过渡架、进件粗抽室、进片轰击室、进片保持室、进片过渡室、进件缓冲室、真空镀膜室、出件缓冲室、出件过渡室、出件粗抽室、出件过渡架、出件升降架和工件托盘返回架，所述进片轰击室与中真空抽气机组连接，所述进片保持室、进片过渡室和出片过渡室均与高真空抽气机组连接。本发明专利技术可对工件进行高效、快速的净化处理，降低了功率消耗，降低了生产成本，同时还提高了生产效率。

A EMI vacuum magnetron sputtering coating equipment and its coating method

The invention discloses a EMI vacuum magnetron sputtering coating equipment and coating method, EMI vacuum magnetron sputtering equipment including vacuum pumping units, high vacuum pumping unit and connected into a lifting frame, into the transition frame, into the roughing room, into the room, into the room to keep bombardment into the room, and the transition into the buffer chamber, vacuum coating chamber, a buffer chamber, a transition chamber, a pumping chamber, a rough transition frame, a lifting frame and a workpiece pallet return frame, the feeding chamber and the bombardment in vacuum pumping unit connected to the feeding keep the room, into the room and a transition transition chamber with high vacuum pumping unit. The invention can efficiently and quickly purify the workpiece, reduce the power consumption, reduce the production cost, and also improve the production efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种EMI真空磁控溅射镀膜设备及其镀膜方法
本专利技术涉及真空镀膜技术，具体涉及一种EMI真空磁控溅射镀膜设备及其镀膜方法。
技术介绍
EMI真空磁控溅射镀膜设备应用在手提电脑外壳、平板电脑外壳、手机外壳的防电磁辐射处理等领域，设备可在手提电脑外壳、平板电脑外壳、手机外壳上镀上金属薄膜，阻挡了电子产品的电磁波向外辐射，设备的传统工艺流程一般为：进件升降架1→进件过渡架2→进件粗抽室3→进件过渡室4→进件缓冲室5→真空镀膜室6→出件缓冲室7→出件过渡室8→出件粗抽室9→出件过渡架10→出件升降架11→工件托盘返回架12，如图1所示。该工艺存在以下缺陷：(1)传统EMI真空磁控溅射镀膜设备的真空镀膜段共有七个真空室，配备了六套真空锁，工作节奏慢，生产效率低，因此快节奏、高生产效率的EMI真空磁控镀膜生产线有待开发；(2)传统EMI真空磁控溅射镀膜设备抽真空气机组要配备深冷系统，对镀膜的工件进行净化处理，该深冷系统为外购的配套设备，其总功率在30KW以上，并要不间断工作，造成设备的功率消耗大，客户的生产成本高。(3)传统EMI真空磁控溅射镀膜设备在对工件进行真空镀膜时，是采用平面磁控靶工作，靶材更换周期约为七天，每次更换靶材均要消耗生产时间和设备的功率；另外，平面靶材的利用率只有20％至30％，因此就推高了客户的生产成本高。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了克服以上现有技术存在的不足，提供了一种生产效率高且生产成本低的EMI真空磁控溅射镀膜设备。同时，本专利技术还提供了一种EMI真空磁控溅射镀膜设备的镀膜方法。本专利技术的目的通过以下的技术方案实现：本EMI真空磁控溅射镀膜设备，包括中真空抽气机组、高真空抽气机组、进件升降架、进件过渡架、进件粗抽室、进片轰击室、进片保持室、进片过渡室、进件缓冲室、真空镀膜室、出件缓冲室、出件过渡室、出件粗抽室、出件过渡架、出件升降架和工件托盘返回架，所述进件升降架、进件过渡架、进件粗抽室、进片轰击室、进片保持室、进片过渡室、进件缓冲室、真空镀膜室、出件缓冲室、出件过渡室、出件粗抽室、出件过渡架、出件升降架和工件托盘返回架依次连接，所述进片轰击室与中真空抽气机组连接，所述进片保持室、进片过渡室和出片过渡室均与高真空抽气机组连接。优选的，所述进片轰击室包括轰击室体、轰击输送带和离子轰击板组件，所述离子轰击板组件和轰击输送带均安装于轰击室内，且所述离子轰击板组件位于轰击输送带的上方。优选的，所述离子轰击板组件包括盖板、绝缘板、铝板和电输入单元，所述盖板固定于轰击室体内的上壁，所述绝缘板固定于盖板的下面，所述铝板固定于绝缘板的下面，所述盖板、绝缘板和铝板依次相贴紧，所述电输入单元的上端固定于盖板的上面，所述电输入单元的另一端依次穿过盖板、绝缘板和铝板，且所述电输入单元的另一端通过螺母旋紧固定。优选的，所述中真空抽气机组包括第一抽气管、第一气动阀、第一真空罗茨泵和第一滑阀泵，所述第一抽气管的一端与轰击室体连接，所述第一抽气管的另一端与第一真空罗茨泵连接，所述第一气动阀安装于第一抽气管，所述第一滑阀泵与第一真空罗茨泵。优选的，所述进片保持室包括保持室体、传输轴组件、第二抽气管、第二气动阀和保持扩散泵，所述传输轴组件安装于保持室体内，所述第二抽气管的一端与保持室体连接，所述第二抽气管的另一端与保持扩散泵连接，所述第二气动阀安装于第二抽气管。优选的，所述高真空抽气机组包括3个油扩散真空泵、3个精抽气动阀、前置抽气管、前置气动阀、抽气弯管、第二真空罗茨泵和第二滑阀泵，3个油扩散真空泵的抽气口分别通过相应的精抽气动阀与进片保持室、进片过渡室和出片过渡室连接，而3个油扩散真空泵的出气口均与前置抽气管连接，所述抽气弯管的一端通过前置气动阀与前置抽气管连接，所述抽气弯管的另一端与第二真空罗茨泵连接，所述第二真空罗茨泵与第二滑阀泵连接。优选的，所述真空镀膜室设有12套圆柱旋转靶，所述圆柱旋转靶包括靶盖板、驱动组件、靶头组件、靶壳圆管、靶尾组件和靶芯组件，所述靶盖板封盖于真空镀膜室的上端，所述驱动组件安装于靶盖板的上面，装而成；所述靶头组件和靶尾组件均安装于靶盖板的下面，所述靶头组件和靶尾组件均位于真空镀膜室的室体内，所述靶头组件与驱动组件连接，所述靶壳圆管的一端与靶头组件连接，所述靶壳圆管的另一端与靶尾组件连接，所述靶芯组件安装于靶壳圆管，且所述靶芯组件通过靶头组件与驱动组件连接。优选的，沿镀膜工件的行进方向，12套圆柱旋转靶中的前10套为铜靶材制成，而后2套为不锈钢靶材制成。一种基于上述的EMI真空磁控溅射镀膜设备的镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)手动将工件放入进件升降架的工件托盘内，进件升降架的进件输送组件就将工件托盘及放置在工件托盘的工件一齐向进件过渡架输送；(2)工件进入进件过渡架后，当进件粗抽室内的气压与粗抽室外的大气压平衡后，工件被送入进件粗抽室内，当进件粗抽室的真空镀达到1X10E3帕后，工件就被送入进片轰击室内；(3)中真空抽气机组对进件轰击室的轰击室体进行抽真空，将轰击室内的真空镀抽到3帕至500帕，此时，进件轰击室内离子轰击板组件对工件进行离子轰击处理，以净化工件表面；(4)进件轰击室的传输组件会将工件传输到进片保持室，工件在进件保持室的保持室内持续放置设定的时间，令工件表面达到了进一步净化的效果后，工件被输送到进片过渡室，再通过进片缓冲室进入真空镀膜室；(5)当真空镀膜室的传感器感应到有工件后，工件按设定的行走速度通过真空镀膜室，在此过程中安装于真空镀膜室的圆柱旋转靶对工件进行镀膜处理；(6)工件自真空镀膜室出来后，依次通过出件缓冲室和出件保持室，当待出件粗抽室内的气压与粗抽室外的大气压平衡后，工件从出片粗抽室被输送到出件过渡架内；(7)当完成镀膜的工件进入出件过渡架后，手动将工件托盘上已完成镀膜的工件取下，而工件托盘被输送到出片升降架上，然后再通过工件托盘返回架返回到进件升降架。本专利技术相对于现有技术具有如下的优点：1、本专利技术在现有的EMI真空磁控溅射镀膜设备增设了进件轰击室和进件保持室，则不需要像现有的EMI真空磁控溅射镀膜设备设置深冷系统，本专利技术利用进件轰击室和进件保持室代替深冷系统对工件进行高效的净化处理，降低了功率消耗，降低了生产成本。2、本专利技术将现有的7个真空室(即进件粗抽室、进件过渡室、进件缓冲室、真空镀膜室、出件缓冲室、出件过渡室和出件粗抽室)增加两个变成9个真空室(即进件粗抽室、进片轰击室、进片保持室、进件过渡室、进件缓冲室、真空镀膜室、出件缓冲室、出件过渡室和出件粗抽室)，这加快了工作节奏，提高了生产效率。3、本专利技术中真空镀膜室采用圆柱旋转靶，这不仅可减少靶材的更换频率，减少了生产时间和设备功率的消耗，进一步提高了生产效率；与现有的平面靶相比，提高了靶材的利用率，进一步降低了生产成本。4、本专利技术的镀膜方法基于本专利技术的EMI真空磁控溅射镀膜设备进行，其生产效率高，且保证工件表面膜层均匀，有效提高工件表面膜层质量。附图说明图1是现有的EMI真空磁控溅射镀膜设备的结构示意图。图2是本专利技术的EMI真空磁控溅射镀膜设备的结构示意图。图3是本专利技术的中真空抽气机组与进片轰击室连接一起的结构示意图。图4是图3中A-A方向的剖视图。图5是本专利技术的中真空抽气机组与进片轰击室本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种EMI真空磁控溅射镀膜设备，其特征在于：包括中真空抽气机组、高真空抽气机组、进件升降架、进件过渡架、进件粗抽室、进片轰击室、进片保持室、进片过渡室、进件缓冲室、真空镀膜室、出件缓冲室、出件过渡室、出件粗抽室、出件过渡架、出件升降架和工件托盘返回架，所述进件升降架、进件过渡架、进件粗抽室、进片轰击室、进片保持室、进片过渡室、进件缓冲室、真空镀膜室、出件缓冲室、出件过渡室、出件粗抽室、出件过渡架、出件升降架和工件托盘返回架依次连接，所述进片轰击室与中真空抽气机组连接，所述进片保持室、进片过渡室和出片过渡室均与高真空抽气机组连接。

【技术特征摘要】
1.一种EMI真空磁控溅射镀膜设备，其特征在于：包括中真空抽气机组、高真空抽气机组、进件升降架、进件过渡架、进件粗抽室、进片轰击室、进片保持室、进片过渡室、进件缓冲室、真空镀膜室、出件缓冲室、出件过渡室、出件粗抽室、出件过渡架、出件升降架和工件托盘返回架，所述进件升降架、进件过渡架、进件粗抽室、进片轰击室、进片保持室、进片过渡室、进件缓冲室、真空镀膜室、出件缓冲室、出件过渡室、出件粗抽室、出件过渡架、出件升降架和工件托盘返回架依次连接，所述进片轰击室与中真空抽气机组连接，所述进片保持室、进片过渡室和出片过渡室均与高真空抽气机组连接。2.根据权利要求1所述的EMI真空磁控溅射镀膜设备，其特征在于：所述进片轰击室包括轰击室体、轰击输送带和离子轰击板组件，所述离子轰击板组件和轰击输送带均安装于轰击室内，且所述离子轰击板组件位于轰击输送带的上方。3.根据权利要求2所述的EMI真空磁控溅射镀膜设备，其特征在于：所述离子轰击板组件包括盖板、绝缘板、铝板和电输入单元，所述盖板固定于轰击室体内的上壁，所述绝缘板固定于盖板的下面，所述铝板固定于绝缘板的下面，所述盖板、绝缘板和铝板依次相贴紧，所述电输入单元的上端固定于盖板的上面，所述电输入单元的另一端依次穿过盖板、绝缘板和铝板，且所述电输入单元的另一端通过螺母旋紧固定。4.根据权利要求2所述的EMI真空磁控溅射镀膜设备，其特征在于：所述中真空抽气机组包括第一抽气管、第一气动阀、第一真空罗茨泵和第一滑阀泵，所述第一抽气管的一端与轰击室体连接，所述第一抽气管的另一端与第一真空罗茨泵连接，所述第一气动阀安装于第一抽气管，所述第一滑阀泵与第一真空罗茨泵。5.根据权利要求1所述的EMI真空磁控溅射镀膜设备，其特征在于：所述进片保持室包括保持室体、传输轴组件、第二抽气管、第二气动阀和保持扩散泵，所述传输轴组件安装于保持室体内，所述第二抽气管的一端与保持室体连接，所述第二抽气管的另一端与保持扩散泵连接，所述第二气动阀安装于第二抽气管。6.根据权利要求1所述的EMI真空磁控溅射镀膜设备，其特征在于：所述高真空抽气机组包括3个油扩散真空泵、3个精抽气动阀、前置抽气管、前置气动阀、抽气弯管、第二真空罗茨泵和第二滑阀泵，3个油扩散真空泵的抽气口分别通过相应的精抽气动阀与进片保持室、进片过渡室和出片过渡室连接，而3个油扩散真空泵的出气口...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏贵方，
申请(专利权)人：肇庆市大力真空设备有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44