一种晶片载体制造技术

本实用新型专利技术公开了一种晶片载体，包括晶片本体以及位于晶片本体底端的载体，晶片本体的表面设置有P电极，P电极的表面设置有P层，P层的底端设置有P/N结合层，P/N结合层的底端设置有N层，N层的底端设置有N电极，载体的内部设置有若干第一聚光片和若干第二聚光片，载体的外侧设置有封装材。通过设置若干第一聚光片以及若干第二聚光片，使晶片发出的光都聚集到晶片的正前方，加强了晶片的光照效果，并且铂不仅反光性能最好，而且导热性好，可以将晶片产生的热量传导，通过封装材散发出去。本实用新型专利技术设计合理、结构简单、安全可靠、使用方便、实用性高，具有很好的推广使用价值。

【技术实现步骤摘要】
一种晶片载体
本技术涉及晶片载体
，更具体的，涉及一种晶片载体。
技术介绍
晶片是LED最主要的原物料之一，是LED的发光部件，LED最核心的部分，晶片的好坏将直接决定LED的性能。晶片是由是由Ⅲ和Ⅴ族复合半导体物质构成。在LED封装时，晶片来料呈整齐排列在晶片膜上。凹穴形状在该晶片载体的表面中形成圆形。由于晶片经由所包覆的封装材向外照射，导致光线发散，照明效果不佳，现有的技术很难解决以上问题。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是克服现有的晶片经由所包覆的封装材向外照射，导致光线发散，照明效果不佳的问题，提供一种晶片载体。为了解决上述技术问题，本技术提供了如下的技术方案：本技术提供了一种晶片载体，包括晶片本体以及位于所述晶片本体底端的载体，所述晶片本体的表面设置有P电极，所述P电极的表面设置有P层，所述P层的底端设置有P/N结合层，所述P/N结合层的底端设置有N层，所述N层的底端设置有N电极，所述载体的内部设置有若干第一聚光片和若干第二聚光片，所述载体的外侧设置有封装材。作为本技术的一种优选技术方案，所述封装材由环氧树脂制成，所述封装材呈圆柱形。作为本技术的一种优选技术方案，所述第一聚光片和所述第二聚光片的数目均为二。作为本技术的一种优选技术方案，若干所述第一聚光片和若干所述第二聚光片呈下面小、上面大的凹槽状。作为本技术的一种优选技术方案，所述第一聚光片和所述第二聚光片均由铂制成。作为本技术的一种优选技术方案，所述载体与所述晶片本体固定连接。本技术所达到的有益效果是：通过设置若干第一聚光片以及若干第二聚光片，使晶片发出的光都聚集到晶片的正前方，加强了晶片的光照效果，并且铂不仅反光性能最好，而且导热性好，可以将晶片产生的热量传导，通过封装材散发出去。本技术设计合理、结构简单、安全可靠、使用方便、实用性高，具有很好的推广使用价值。附图说明附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。在附图中：图1是本技术的整体结构示意图；图2是本技术的局部结构示意图之一；图3是本技术的局部结构示意图之二；图中：1、晶片本体；2、载体；3、P电极；4、P层；5、P/N结合层；6、N层；7、N电极；8、第一聚光片；9、第二聚光片；10、封装材。具体实施方式以下结合附图对本技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本技术，并不用于限定本技术。实施例1如图1-3所示，本技术提供了一种晶片载体，包括晶片本体1以及位于晶片本体1底端的载体2，晶片本体1的表面设置有P电极3，P电极3的表面设置有P层4，P层4的底端设置有P/N结合层5，P/N结合层5的底端设置有N层6，N层6的底端设置有N电极7，载体2的内部设置有若干第一聚光片8和若干第二聚光片9，载体2的外侧设置有封装材10。封装材10由环氧树脂制成，封装材10呈圆柱形，为晶片本体1提供了一个稳定的工作环境。第一聚光片8和第二聚光片9的数目均为二，便于围城一个凹槽。若干第一聚光片8和若干第二聚光片9呈下面小、上面大的凹槽状，聚光效果好，散热能力强。第一聚光片8和第二聚光片9均由铂制成，铂的反光效果最强。载体2与晶片本体1固定连接，为晶片问题1提供了一个平稳的工作环境。具体的工作时，接通电源后，晶片本体1表面的P层4将电子空穴推向与N层6半导体之间的1至5个周期的量子阱，在量子阱内电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，在发光的同时会有热量的散发，热量通过若干第一聚光片8和若干第二聚光片9组成的发散型凹槽，增加了晶片本体1的散热能力，若干第一聚光片8和若干第二聚光片9由金属铂制成，铂的反光效果最好，所以增加了晶片本体1的亮度表达效果。本技术所达到的有益效果是：通过设置若干第一聚光片以及若干第二聚光片，使晶片发出的光都聚集到晶片的正前方，加强了晶片的光照效果，并且铂不仅反光性能最好，而且导热性好，可以将晶片产生的热量传导，通过封装材散发出去。本技术设计合理、结构简单、安全可靠、使用方便、实用性高，具有很好的推广使用价值。最后应说明的是：以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片载体，包括晶片本体（1）以及位于所述晶片本体（1）底端的载体（2），其特征在于，所述晶片本体（1）的表面设置有P电极（3），所述P电极（3）的表面设置有P层（4），所述P层（4）的底端设置有P/N结合层（5），所述P/N结合层（5）的底端设置有N层（6），所述N层（6）的底端设置有N电极（7），所述载体（2）的内部设置有若干第一聚光片（8）和若干第二聚光片（9），所述载体（2）的外侧设置有封装材（10）。

【技术特征摘要】
1.一种晶片载体，包括晶片本体（1）以及位于所述晶片本体（1）底端的载体（2），其特征在于，所述晶片本体（1）的表面设置有P电极（3），所述P电极（3）的表面设置有P层（4），所述P层（4）的底端设置有P/N结合层（5），所述P/N结合层（5）的底端设置有N层（6），所述N层（6）的底端设置有N电极（7），所述载体（2）的内部设置有若干第一聚光片（8）和若干第二聚光片（9），所述载体（2）的外侧设置有封装材（10）。2.根据权利要求1所述的一种晶片载体，其特征在于，所述封装材...

【专利技术属性】
技术研发人员：周以海，周以兵，周超凡，周非凡，李慧敏，朱元龙，
申请(专利权)人：浙江车路科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33