The present invention relates to a semiconductor device and a manufacturing method and a power conversion system. A semiconductor device, which is cheap but can suppress oscillation, is realized. [means] to solve the set formed on a silicon semiconductor substrate (100) of the anode electrode and the cathode electrode (106) (107), P and the anode electrode layer is formed adjacent to the (102103), type N, and the cathode electrode layer is formed adjacent to the V element diffusion into (104), formed between the P type N type layer and N layer
【技术实现步骤摘要】
半导体装置和其制造方法以及电力变换系统
本专利技术涉及半导体装置和其制造方法以及电力变换系统。
技术介绍
以往,作为抑制由尾电流的急剧减少引起的振荡现象的技术,有导入深的n缓冲层的技术(例如参照专利文献1)。另外,以往,作为形成用于抑制由尾电流的急剧减少引起的振荡现象的深的n缓冲层的技术,有将磷(P)用于深的n缓冲层的掺杂剂的技术(例如参照专利文献2)。另外,以往,作为形成用于抑制由尾电流的急剧减少引起的振荡现象的深的n缓冲层的技术,有形成数层通过质子照射而生成的n缓冲层的技术、在n-层中央部局部地形成通过质子照射生成的n缓冲层的技术(例如参照专利文献3和专利文献4)。另外,以往,作为形成用于抑制由尾电流的急剧减少引起的振荡现象的深的n缓冲层的技术,有将硒(Se)用于深的n缓冲层的掺杂剂的技术(例如参照专利文献5)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2008-251679号公报专利文献2:日本特开2014-146721号公报专利文献3:国际公开第2011/052787号专利文献4:国际公开第2007/055352号专利文献5:美国专利申请公开第2012/0248576号说明书
技术实现思路
专利技术所要解决的课题在电力变换装置中与IGBT(绝缘栅双极晶体管;InsulatedGateBipolarTransistor)或MOS(金属氧化物半导体;Metal-Oxide-Semiconductor)晶体管逆并联连接而作为续流二极管使用的二极管随着装置的驱动频率的增加,更进一步要求开关时的二极管损耗即恢复损耗的降低。恢复损耗可通过减薄晶片厚度来降低,但存在如 ...
【技术保护点】
半导体装置,其特征在于,具有形成于硅半导体基板的一个面的阳极电极、形成于所述硅半导体基板的另一面的阴极电极、与所述阳极电极邻接形成的p型层、与所述阴极电极邻接形成、使V族元素扩散而成的n型层、形成于所述p型层与所述n型层之间的n
【技术特征摘要】
2016.09.27 JP 2016-1877051.半导体装置,其特征在于,具有形成于硅半导体基板的一个面的阳极电极、形成于所述硅半导体基板的另一面的阴极电极、与所述阳极电极邻接形成的p型层、与所述阴极电极邻接形成、使V族元素扩散而成的n型层、形成于所述p型层与所述n型层之间的n-层、和形成于所述n-层与所述n型层之间、含有氧的n缓冲层,从所述阴极电极的所述n型层侧的面向着所述阳极电极的至少30μm的宽度的区域内的氧浓度为1×1017cm-3以上,并且与所述p型层相接的部位处的所述n-层的氧浓度小于3×1017cm-3。2.权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述n型层的厚度为50μm以上,从所述阴极电极的所述n型层侧的面向着所述阳极电极的至少30μm的宽度的区域内的氧浓度为3×1017cm-3以上且小于1×1018cm-3。3.权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,在所述n型层与所述n缓冲层之间具有使V族元素扩散而成的第2n缓冲层,所述第2n缓冲层的氧浓度高于所述第2n缓冲层的n型载流子浓度,所述第2n缓冲层的热施主浓度高于所述n-层的热施主浓度,所述第2n缓冲层的热施主浓度低于所述第2n缓冲层的V族元素的n型载流子浓度。4.权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述n缓冲层在遍及厚度30μm以上的区域连续地含有氧。5.权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,所述n缓冲层在遍及至少10μm以上的区域具有氧浓度向着阴极侧减少的氧浓度减少区域,所述氧浓度减少区域中的氧浓度为5×1017cm-3以上且×1018cm-3以下。6.权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,所述n缓冲层的距所述n型层30μm的位置的氧浓度高于所述n型层的氧浓度。7.权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,在所述n型层与所述n缓冲层之间具有使V...
【专利技术属性】
技术研发人员:若木政利,新井大夏,森睦宏,古川智康,
申请(专利权)人:株式会社日立功率半导体,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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