组装方法技术

本发明专利技术公开了一种组装方法，包含以下步骤。在基板上至少形成第一导电结构。在半导体元件上至少形成第二导电结构。压合基板与半导体元件。在压合的前段过程中，第一导电结构与第二导电结构是局部地接触而形成应力集中区，故可利于第一导电结构与第二导电结构的接合，因而可降低第一导电结构与第二导电结构接合过程所需的温度。此外，由于第一导电结构与第二导电结构接合所需的温度被降低，故可进一步地降低基板与半导体元件受热所产生的翘曲量。

Assembly method

The invention discloses an assembly method, which includes the following steps. At least the first conductive structure is formed on the substrate. At least second conductive structures are formed on the semiconductor element. The bonding substrate and the semiconductor element are pressed. In the front pressure of the process, the first conductive structure and second conductive structure is locally formed stress concentration zone, so it can be beneficial to engage the first conductive structure and second conductive structure, thereby reducing the first conductive structure and second conductive structure bonding process required temperature. Besides, because the temperature required for the first conductive structure to engage with the second conductive structure is reduced, the warpage amount generated by the substrate and the semiconductor element heating can be further reduced.

【技术实现步骤摘要】
组装方法
本专利技术涉及一种组装方法，特别涉及一种导电结构接合的组装方法。
技术介绍
近年来，随着电子产业的蓬勃发展，电子产品的外型趋向轻薄短小，在功能上则逐渐迈入高性能、高功能、高速度化的研发方向。一般而言，高效电子元件具有高密度的连接脚位，往往是利用焊锡球(solderballs)或是金属凸块(metalbumps)来达到彼此之间电性和机械性连接的目的。举例来说，半导体元件通常是利用焊锡球与金属凸块与封装基板相连接，此种连接技术又称为覆晶接合(flip-chip)。在现行覆晶技术中，焊锡球须经由回焊工艺或其它高温工艺而将焊锡球转变为融熔状态，以利于后续连接金属凸块。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种组装方法，其可利于降低基板与半导体元件的组装过程所需的温度。依据本专利技术的部分实施方式，一种组装方法包含以下步骤。在基板上至少形成第一导电结构，且在半导体元件上至少形成第二导电结构。接着，压合基板与半导体元件，其中在压合的前段过程中，第一导电结构与第二导电结构是局部地接触而形成应力集中区。依据本专利技术的部分实施方式，其中形成第一导电结构包含：形成第导电结构的起伏状顶面，其中在压合的前段过程中，该应力集中区是形成于起伏状顶面。依据本专利技术的部分实施方式，其中形成第二导电结构包含：形成第二导电结构的起伏状底面，且起伏状底面与起伏状顶面的形状不匹配，其中在压合的前段过程中，应力集中区是形成于起伏状顶面与起伏状底面的接触区。依据本专利技术的部分实施方式，其中形成第二导电结构包含：形成第二导电结构的平坦底面，其中在压合的前段过程中，应力集中区是形成于起伏状顶面与平坦底面的接触区。依据本专利技术的部分实施方式，其中该形成该第二导电结构包含：形成第二导电结构的起伏状底面，其中在压合的前段过程中，应力集中区是形成于起伏状底面。依据本专利技术的部分实施方式，其中形成第一导电结构包含：形成第一导电结构的平坦顶面，其中在压合的前段过程中，应力集中区是形成于平坦顶面与起伏状底面的接触区。依据本专利技术的部分实施方式，其中在压合的过程中，温度介于摄氏60度与摄氏160度之间。依据本专利技术的部分实施方式，还包含：于该第一导电结构、该第二导电结构或两者中至少形成抗氧化层。在上述实施方式中，在压合基板与半导体元件的前段过程中，由于第一导电结构与第二导电结构是局部接触而形成应力集中区，故可利于第一导电结构与第二导电结构的接合，因而可降低第一导电结构与第二导电结构的接合过程的所需温度。此外，由于第一导电结构与第二导电结构的接合所需温度被降低，故可进一步地降低基板与半导体元件受热所产生的翘曲量。依据本专利技术的部分实施方式，一种组装方法包含以下步骤。在基板上至少形成第一铜结构，第一铜结构具有第一接合面。在半导体元件上至少形成第二铜结构，第二铜结构具有第二接合面，且第一接合面与第二接合面的形状不匹配。接着，压合基板与半导体元件，使得第一接合面与第二接合面接合。依据本专利技术的部分实施方式，其中在压合的过程中，温度介于摄氏60度与摄氏160度之间。依据本专利技术的部分实施方式，其中形成第一铜结构与形成第二铜结构包含:形成起伏状的第一接合面，且形成平坦的第二接合面。依据本专利技术的部分实施方式，其中形成第一铜结构与形成第二铜结构包含:形成平坦的第一接合面，且形成起伏状的第二接合面。依据本专利技术的部分实施方式，其中形成第一铜结构与形成第二铜结构包含:形成起伏状的第一接合面的起伏部，且形成起伏状的第二接合面的起伏部。在上述实施方式中，由于第一铜结构的第一接合面与第二铜结构的第二接合面的形状不匹配，因此第一接合面与第二接合面在压合的前段过程中是局部接触的，故可利于第一铜结构与第二铜结构的接合，因而可降低第一铜结构与第二铜结构的接合过程的所需温度。此外，由于第一铜结构与第二铜结构的接合所需温度被降低，故可进一步地降低基板与半导体元件受热所产生的翘曲量。以上所述仅是用以阐述本专利技术所欲解决的问题、解决问题的技术手段、及其产生的功效等等，本专利技术的具体细节将在下文的实施方式及相关附图中详细介绍。附图说明阅读以下详细叙述并搭配对应的附图，可了解本专利技术的多个实施方式。需留意的是，附图中的多个特征并未依照该业界领域的标准作法绘制实际比例。事实上，所述的特征的尺寸可以任意的增加或减少以利于讨论的清晰性。图1至8绘示本专利技术的部分实施方式于不同步骤组装基板与半导体元件的剖面示意图。图2A为图2的另一实施方式。图7A为图7的局部区域A的放大示意图。图7B为图7的局部区域B的放大示意图。图7C为图7的局部区域C的放大示意图。图9为依据的本专利技术的另一实施方式的基板与半导体元件于压合前的剖面示意图。具体实施方式以下将以附图及详细说明清楚说明本专利技术的精神，任何所属
中一般技术人员在了解本专利技术的实施例后，当可由本专利技术所教示的技术，加以改变及修饰，其并不脱离本专利技术的精神与范围。此外，方位相对词汇，如“在…之下”、“下面”、“下”、“上方”或“上”或类似词汇，在本文中为用来便于描述绘示于附图中的一个元件或特征至另外的元件或特征的关系。方位相对词汇除了用来描述装置在附图中的方位外，其包含装置于使用或操作下的不同的方位。当装置被另外设置(旋转90度或者其它面向的方位)，本文所用的方位相对词汇同样可相应地进行解释。图1至8绘示本专利技术的部分实施方式于不同步骤组装基板与半导体元件的剖面示意图。参照图1。提供基板100。在部分实施方式中，基板100的材料可为有机聚合材料，例如:双顺丁烯二酸酰亚胺/三氮阱(Bismaleimidetriazine；BT)、或基板100的材料可为金属，例如:铝、铜或不锈钢，但本专利技术不以此为限。或者，基板100可为可挠性基板，例如:聚酰亚胺(polyimide；PI)、聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethyleneterephthalate；PET)、聚醚(polyethersulfone；PES)或聚间苯二甲酸乙二酯(polyethylenenaphthalate；PEN)等，但本专利技术不以此为限。随后，在基板100上形成剥离层(releaselayer)110，且在剥离层110上形成金属层120。在部分实施方式中，剥离层110可为感压胶(pressuresensitiveadhesive；PSA)，例如:硅氧烷(siloxane)、硅树脂(silicone)或压克力，但本专利技术不以此为限。在部分实施方式中，剥离层110可为有机材料，例如：离型膜(releasefilm)；剥离层110可为金属材料，例如镍；或者剥离层110可为无机材料，例如氧化镍，但本专利技术不以此为限。在部分实施方式中，金属层120是设置在剥离层110上，且金属层120可为铜或其它适合的材料，但本专利技术不以此为限。在部分实施方式中，剥离层110与基板100的结合力大于剥离层110与金属层120的结合力，或者剥离层110与金属层120之间仅存在暂时性的结合力，以利于在后段工艺中分离基板100与金属层120，从而降低整体封装元件的厚度，但本专利技术不以此为限。在其它实施方式中，剥离层110与基板100的结合力也可等于剥离层110与金属层120的结合力，亦即，基板100与金属层120可通过剥离层110黏着而不分离。参照图2，在基板100的金属层120本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种组装方法，其特征在于，包含:在基板上至少形成第一导电结构；在半导体元件上至少形成第二导电结构；以及压合所述基板与所述半导体元件，其中在所述压合的前段过程中，所述第一导电结构与所述第二导电结构是局部地接触而形成应力集中区。

【技术特征摘要】
1.一种组装方法，其特征在于，包含:在基板上至少形成第一导电结构；在半导体元件上至少形成第二导电结构；以及压合所述基板与所述半导体元件，其中在所述压合的前段过程中，所述第一导电结构与所述第二导电结构是局部地接触而形成应力集中区。2.如权利要求1所述的组装方法，其特征在于，所述形成所述第一导电结构包含：形成所述第一导电结构的起伏状顶面，其中在所述压合的前段过程中，所述应力集中区是形成于所述起伏状顶面。3.如权利要求2所述的组装方法，其特征在于，所述形成所述第二导电结构包含：形成所述第二导电结构的起伏状底面，且所述起伏状底面与所述起伏状顶面的形状不匹配，其中在所述压合的前段过程中，所述应力集中区是形成于所述起伏状顶面与所述起伏状底面的接触区。4.如权利要求2所述的组装方法，其特征在于，所述形成所述第二导电结构包含：形成所述第二导电结构的平坦底面，其中在所述压合的前段过程中，所述应力集中区是形成于所述起伏状顶面与所述平坦底面的接触区。5.如权利要求1所述的组装方法，其特征在于，所述形成所述第二导电结构包含：形成所述第二导电结构的起伏状底面，其中在所述压合的前段过程中，所述应力集中区是形成于所述起伏状底面。6.如权利要求5所述的组装方法，其特征在于，所述形成所述第一导电结构包含：形成所述第一导电结构的平坦顶面，其中在所述压合的前段过程...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾子章，林溥如，柯正达，陈裕华，陈冠能，
申请(专利权)人：欣兴电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71