The present invention provides a method for displacement effect CCD device test, involving satellite life and reliability analysis of technical field, which comprises the following steps: (1) configuration during the test test conditions and performance indicators; (2) according to the satellite information, determine the conditions in the process of irradiation test; (3) according to the composition the structure of CCD devices in orbit imaging, determine the tested CCD devices work mode; (4) when there is no radiation, obtained in step (3) test index of initial performance of CCD devices to determine the working mode; (5) according to the steps of (1) CCD device working temperature and configuration steps (2) irradiation conditions determined in step (3) to determine the mode of test, test performance index respectively obtained under different irradiation doses; (6) influence the displacement effect and test the performance index of the relationship.
【技术实现步骤摘要】
一种CCD器件位移效应试验验证方法
本专利技术属于卫星寿命与可靠性分析
,涉及一种CCD器件位移效应试验验证方法。
技术介绍
近些年,遥感卫星上配置的相机成像多用CCD器件的拼接来实现,CCD器件的在轨可靠性和寿命直接决定了相机成像质量和寿命,也就是影响了遥感卫星整个任务实现的质量。随着用户要求的提高,遥感卫星研制方对CCD器件的认识也逐步提高,对其在轨成像因素进行了深入分析。分析得知,星上使用的CCD器件工作寿命除了与其他电子元器件一样,会受到热、力学环境影响外,最严重的就是会受空间辐照环境的影响。在空间电子、质子等的辐照下,会对CCD造成严重的辐射效应,包括电离总剂量效应、位移损伤效应等,CCD器件由于其特殊的晶格特点,空间辐射环境对CCD产生作用引起的位移效应会导致CCD的暗电流、转移效率等电学、光学参数的退化,影响CCD的成像质量。目前由于之前CCD器件使用寿命要求低、成像质量要求不高和测试水平有限等的局限,目前还没有对卫星上使用的CCD器件开展位移效应分析的专项研究和通过试验来进行位移效应验证,还没有一种可以定量化给出的CCD器件位移效应与CCD器件性能之间关系的方法。
技术实现思路
本专利技术的技术解决问题是:克服现有技术的不足,提供了一种CCD器件位移效应试验验证方法,实现了定量化CCD器件位移效应与器件性能之间的关系,弥补了现有技术中还没有对卫星上使用的CCD器件开展位移效应分析的专项研究和通过试验来进行位移效应验证的技术空白。本专利技术的技术解决方案是:一种CCD器件位移效应试验验证方法,包括如下步骤:(1)配置试验过程中的测试条件和测 ...
【技术保护点】
一种CCD器件位移效应试验验证方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)配置试验过程中的测试条件和测试性能指标,所述测试条件包括CCD器件工作温度,所述测试性能指标包括CCD器件暗电流、转移效率;(2)根据卫星在轨运行环境信息,确定试验过程中的辐照条件,所述辐照条件包括辐照粒子类型、辐照最大剂量、不同的卫星在轨运行时间分别对应的辐照剂量;(3)根据CCD器件在轨成像时的组成结构,确定参试CCD器件的工作模式;(4)当不存在辐照时,获取在步骤(3)确定的工作模式下CCD器件的初始性能测试指标;(5)根据步骤(1)配置的CCD器件工作温度、步骤(2)中确定的辐照条件以及步骤(3)中确定的工作模式进行试验,得到不同辐照剂量下分别对应的测试性能指标;(6)根据步骤(4)得到的初始测试性能指标以及步骤(5)中得到的不同辐照剂量下分别对应的测试性能指标,得到位移效应与测试性能指标之间的影响关系。
【技术特征摘要】
1.一种CCD器件位移效应试验验证方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)配置试验过程中的测试条件和测试性能指标,所述测试条件包括CCD器件工作温度,所述测试性能指标包括CCD器件暗电流、转移效率;(2)根据卫星在轨运行环境信息,确定试验过程中的辐照条件,所述辐照条件包括辐照粒子类型、辐照最大剂量、不同的卫星在轨运行时间分别对应的辐照剂量;(3)根据CCD器件在轨成像时的组成结构,确定参试CCD器件的工作模式;(4)当不存在辐照时,获取在步骤(3)确定的工作模式下CCD器件的初始性能测试指标;(5)根据步骤(1)配置的CCD器件工作温度、步骤(2)中确定的辐照条件以及步骤(3)中确定的工作模式进行试验,得到不同辐照剂量下分别对应的测试性能指标;(6)根据步骤(4)得到的初始测试性能指标以及步骤(5)中得到的不同辐照剂量下分别对应的测试性能指标,得到位移效应与测试性能指标之间的影响关系。2.根据权利要求1所述的一种CCD器件位移效应试验验证方法,其特征在于,所述步骤(2)中辐照粒子类型为质子。3.根据权利要求1所述的一种CCD器件位移效应试验验证方法,其特征在于,所述步骤(2)中根据卫星在轨运行环境信息,确定试验过程中的辐照最大剂量的方法为:根据卫星的轨道类型、轨道高度、在轨寿命以及在轨期间的太阳活动信息,确定试验过程中的辐照最大剂量。4.根据权利要求1所述的一种CCD器件位移效应试验验证方法,其特征在于,所述步骤(2)中根据卫星在轨运行环境信息,确定...
【专利技术属性】
技术研发人员:宫颖,潘腾,刘红雨,杜洁,罗继强,
申请(专利权)人:北京空间飞行器总体设计部,
类型:发明
国别省市:北京,11
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