一种OLED阳极的制备方法及OLED显示装置的制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种OLED阳极的制备方法及OLED显示装置的制备方法，OLED阳极的制备方法包括下述步骤：在基板上形成阳极膜层，阳极膜层的材料为ITO材料；在阳极膜层上形成光刻胶膜层；图形化光刻胶膜层，得到光刻胶掩膜图案，光刻胶掩膜图案包括：光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域、光刻胶完全去除区域；对阳极膜层进行刻蚀，得到阳极图案；去除光刻胶半保留区域；采用第一气体对阳极图案上位于光刻胶完全保留区域之外的部分进行等离子体处理，第一气体包含O2、N2O、CF4、Ar中的至少一种气体；去除所述光刻胶掩膜图案。本发明专利技术可以提高有机发光层上厚度较小部分的亮度，补偿有机发光层的厚度差异造成的显示不均，提高显示质量。

【技术实现步骤摘要】
一种OLED阳极的制备方法及OLED显示装置的制备方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED阳极的制备方法及OLED显示装置的制备方法。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)显示装置是一种利用有机半导体材料在电流的驱动下产生的可逆变色现象来实现图形显示的设备。OLED显示装置具有超轻、超薄、高亮度、大视角、低电压、低功耗、快响应、高清晰度、抗震、可弯曲、低成本、工艺简单、使用原材料少、发光效率高和温度范围广等优点，因此OLED显示技术被认为是最有发展前途的新一代显示技术。OLED显示装置的基本结构包括：阳极层、阴极层、以及夹在阳极层和阴极层之间的有机发光层。通常，有机发光层是经过蒸镀工艺蒸镀在阳极层上的。然而在进行蒸镀时，由于蒸发源的角度有上限，蒸镀后的有机发光层容易出现不均匀的情况。具体如图1所示，阳极层4’穿过平坦层3’与被平坦层3’覆盖的漏极2’点连接，在阳极层4’上的有机发光层6’的两端区域(也即图1所示的b’区域处)材料的厚度要小于中央区域(也即图1所示的a’区域处)的材料厚度，阳极层4’的下方为平坦层3’。这样就导致OLED在发光时容易出现如图2所示的发光单元四周发光不饱和、亮度低于发光单元中间区域的情况，从而导致OLED发光混色，影响显示效果。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供一种OLED阳极的制备方法及OLED显示装置的制备方法，可以提高有机发光层上厚度较小部分的亮度，补偿有机发光层的厚度差异造成的显示不均，提高显示质量。本专利技术提供的一种OLED阳极的制备方法，包括下述步骤：在基板上形成阳极膜层，其中，所述阳极膜层的材料为ITO材料；在所述阳极膜层上形成光刻胶膜层；图形化所述光刻胶膜层，得到光刻胶掩膜图案，所述光刻胶掩膜图案包括：光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域、光刻胶完全去除区域，其中，所述光刻胶半保留区域位于所述光刻胶完全保留区域与所述光刻胶完全去除区域之间；以所述光刻胶掩膜图案作为抗刻蚀层，对所述阳极膜层进行刻蚀，得到阳极图案；去除所述光刻胶半保留区域；采用第一气体对所述阳极图案上位于所述光刻胶完全保留区域之外的部分进行等离子体处理，其中，所述第一气体包含O2、N2O、CF4、Ar中的至少一种气体；去除所述光刻胶掩膜图案。优选地，图形化所述光刻胶膜层，具体为：采用半透掩膜板或者灰度掩膜板对所述光刻胶膜层进行曝光及显影处理。优选地，在基板上形成阳极膜层，具体为：通过磁控溅射和热蒸发工艺在所述基板上制备所述阳极膜层。优选地，对所述阳极膜层进行刻蚀，具体为：采用湿法刻蚀的方式对所述阳极膜层进行刻蚀。优选地，去除所述光刻胶半保留区域，具体为：采用第二气体对所述光刻胶掩膜图案进行等离子体灰化处理，去除所述光刻胶半保留区，其中，所述第二气体为SF6和O2的混合气体。优选地，采用第二气体对所述光刻胶掩膜图案进行等离子体灰化处理，具体为：往等离子体刻蚀设备中送入所述第二气体，利用所述等离子体刻蚀设备将所述第二气体进行电离，并利用电离的第二气体对所述光刻胶掩膜图案进行等离子体灰化处理，处理时间为30～50秒；其中，所述等离子体刻蚀设备的顶部电极功率设为6000～8000W，底部电极功率设为6000～8000W，腔室压力设为200～250mT，所述第二气体中的SF6和O2的气体流量范围分别为50～150sccm、5000～7000sccm。优选地，采用第一气体对所述阳极图案上位于所述光刻胶完全保留区域之外的部分进行等离子体处理，具体为：往等离子体刻蚀设备中送入所述第一气体，利用所述等离子体刻蚀设备将所述第一气体进行电离，并利用电离的第一气体对所述阳极图案上位于所述光刻胶完全保留区域之外的部分进行等离子体处理，以增大所述阳极膜层上位于所述光刻胶完全保留区域之外的部分的功函数，处理的时间为1～3分钟；其中，所述等离子体刻蚀设备的顶部电极功率设为1000～5000W，底部电极功率设为0W，腔室压力设为100～300mT，所述第一气体的流量为1000～5000sccm。本专利技术还提供一种OLED显示装置的制备方法，包括下述步骤：在基板上形成TFT阵列层；在所述基板上形成平坦层，且所述平坦层覆盖所述TFT阵列层；在平坦层上形成过孔；采用上述的OLED阳极的制备方法，在所述平坦层上制备阳极，所述阳极通过所述过孔与所述TFT阵列层电连接；在所述阳极上形成像素界定层；在所述像素界定层上形成有机发光层；在所述有机发光层上形成阴极。优选地，在所述阳极上形成像素界定层，包括下述步骤：在所述阳极上形成有机绝缘树脂层；将所述有机绝缘树脂层采用光刻曝光处理，得到所述像素界定层；在所述有机发光层上形成阴极，具体为：通过蒸镀的方式在所述有机发光层上形成阴极；所述阳极通过所述过孔与所述TFT阵列层电连接，具体为：所述阳极通过所述过孔与所述TFT阵列层的漏极电连接。优选地，在所述像素界定层上形成有机发光层，具体为：通过蒸镀的方式在所述像素界定层上形成所述有机发光层；所述有机发光层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少一层。实施本专利技术，具有如下有益效果：在图形化光刻胶膜层的时候，将光刻胶半保留区域设置于光刻胶完全保留区域与光刻胶完全去除区域之间，光刻胶完全去除区域对应的阳极膜层被刻蚀掉，从而将阳极膜层划分为若干个阳极图案，光刻胶半保留区域位于阳极图案周边区域的上方，而光刻胶完全保留区域则位于阳极图案中间区域(即周边区域包围的内部区域)的上方，阳极图案周边区域上方的有机发光层的厚度一般要小于阳极图案中间上方的有机发光层的厚度。本专利技术将OLED显示装置的有机发光层厚度较小的部分所对应的阳极采用O2、N2O、CF4、Ar中的至少一种气体进行等离子体处理，增大有机发光层厚度较小的部分对应的阳极的功函数，从而提高该部分阳极对空穴注入层的注入效率，提高有机发光层上厚度较小部分的亮度，补偿有机发光层的厚度差异造成的显示不均，避免OLED发光混色，从而提高显示质量。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术提供的
技术介绍
中OLED显示装置的结构示意图。图2是本专利技术提供的
技术介绍
中OLED显示装置的发光示意图。图3是本专利技术提供的OLED阳极的制备方法的流程图。图4a是本专利技术提供的一实施例中基板和阳极膜层的结构示意图。图4b是本专利技术提供的一实施例中平坦层上设置有过孔的结构示意图。图5是本专利技术提供的一实施例中基板、阳极膜层和光刻胶膜层的结构示意图。图6是本专利技术提供的图形化图5中的光刻胶膜层，得到的光刻胶掩膜图案的示意图。图7是本专利技术提供的以光刻胶掩膜图案作为抗刻蚀层，对阳极膜层进行刻蚀，得到阳极图案的示意图。图8是本专利技术提供的去除图7中的光刻胶半保留区域后对应的结构示意图。图9是本专利技术提供的采用第一气体对阳极图案上位于光刻胶完全保留区域之外的部分进行等离子体处理的示意图。图10a是本专利技术提供的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED阳极的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：在基板上形成阳极膜层，其中，所述阳极膜层的材料为ITO材料；在所述阳极膜层上形成光刻胶膜层；图形化所述光刻胶膜层，得到光刻胶掩膜图案，所述光刻胶掩膜图案包括：光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域、光刻胶完全去除区域，其中，所述光刻胶半保留区域位于所述光刻胶完全保留区域与所述光刻胶完全去除区域之间；以所述光刻胶掩膜图案作为抗刻蚀层，对所述阳极膜层进行刻蚀，得到阳极图案；去除所述光刻胶半保留区域；采用第一气体对所述阳极图案上位于所述光刻胶完全保留区域之外的部分进行等离子体处理，其中，所述第一气体包含O2、N2O、CF4、Ar中的至少一种气体；去除所述光刻胶掩膜图案。

【技术特征摘要】
1.一种OLED阳极的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：在基板上形成阳极膜层，其中，所述阳极膜层的材料为ITO材料；在所述阳极膜层上形成光刻胶膜层；图形化所述光刻胶膜层，得到光刻胶掩膜图案，所述光刻胶掩膜图案包括：光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域、光刻胶完全去除区域，其中，所述光刻胶半保留区域位于所述光刻胶完全保留区域与所述光刻胶完全去除区域之间；以所述光刻胶掩膜图案作为抗刻蚀层，对所述阳极膜层进行刻蚀，得到阳极图案；去除所述光刻胶半保留区域；采用第一气体对所述阳极图案上位于所述光刻胶完全保留区域之外的部分进行等离子体处理，其中，所述第一气体包含O2、N2O、CF4、Ar中的至少一种气体；去除所述光刻胶掩膜图案。2.根据权利要求1所述的OLED阳极的制备方法，其特征在于，图形化所述光刻胶膜层，具体为：采用半透掩膜板或者灰度掩膜板对所述光刻胶膜层进行曝光及显影处理。3.根据权利要求1所述的OLED阳极的制备方法，其特征在于，在基板上形成阳极膜层，具体为：通过磁控溅射和热蒸发工艺在所述基板上制备所述阳极膜层。4.根据权利要求1所述的OLED阳极的制备方法，其特征在于，对所述阳极膜层进行刻蚀，具体为：采用湿法刻蚀的方式对所述阳极膜层进行刻蚀。5.根据权利要求1所述的OLED阳极的制备方法，其特征在于，去除所述光刻胶半保留区域，具体为：采用第二气体对所述光刻胶掩膜图案进行等离子体灰化处理，去除所述光刻胶半保留区，其中，所述第二气体为SF6和O2的混合气体。6.根据权利要求5所述的OLED阳极的制备方法，其特征在于，采用第二气体对所述光刻胶掩膜图案进行等离子体灰化处理，具体为：往等离子体刻蚀设备中送入所述第二气体，利用所述等离子体刻蚀设备将所述第二气体进行电离，并利用电离的第二气体对所述光刻胶掩膜图案进行等离子体灰化处理，处理时间为30~50秒；其中，所述等离子体刻蚀设备的顶部电极功率设为6000~8000W，底部电极功率设为6000~8000W，腔室压力设为200~250mT，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：邢磊，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42