一种紧密型晶振制造技术

技术编号:17576262 阅读:4 留言:0更新日期:2018-03-28 23:10
本实用新型专利技术涉及一种紧密型晶振,包括晶振本体,所述晶振本体包括导电上盖,所述导电上盖下放设有容置腔,所述导电上盖底面与所述容置腔之间设有预设位置,所述预设位置上涂有绝缘漆;所述容置腔内部设有振动晶体,所述容置腔下方对称设有正负极插塞,所述正负极插塞之间为激励板,所述激励板之间设有两组主控晶振,所述主控晶振下方为连接端,所述主控晶振与所述激励板之间通过所述连接端连接。本实用新型专利技术的优点是,采用了金铜合金作为晶振的电极,在保证导电性能的基础上,降低了生产的成本,提高资源的回收利用率;良品率更高,制造成本更低;产品最终性能精良,可控性强。

A compact crystal oscillator

The utility model relates to a compact type crystal oscillator, including the body, the crystal body comprises a conductive cover, wherein the upper cover is provided with a conductive down holding cavity, the conductive cap on the bottom surface and the containing cavity is provided with a preset position, the preset position is coated with the insulating paint; the cavity is internally provided with the vibration of crystal, the accommodating cavity is symmetrically provided with positive and negative pole plug, the positive and negative pole plate to incentive the plug between the two groups of master oscillator with incentive plates below the master oscillator is a connecting end, wherein the master oscillator and the drive plate between the connecting terminal are connected by the. The utility model has the advantages that the gold copper alloy as crystal electrode, while ensuring the conductive performance, reduces the production cost, improve resource recovery rate; yield higher and lower manufacturing costs; final product performance is excellent, strong controllability.

【技术实现步骤摘要】
一种紧密型晶振
本技术涉及电子领域,尤其涉及一种紧密型晶振。
技术介绍
晶振是石英晶体谐振器和石英晶体振荡器的统称,它是利用具有压电效应的石英晶体片制造的,其作用是产生原始的时钟频率,经过不同的频率发生器的放大或缩小后产生不同的总线频率。由于晶振具有体积小、重量轻、可靠性高、频率稳定度高等优点,被应用于手机、pad等消费类电子中。目前晶振的结构包括基座、设在基座顶部的导电上盖、设在基座内的晶片以及设在基座底部的两个焊盘,所述基座于导电上盖下设有容置腔,容置腔底部设有两个连接焊点与所述焊盘对应连接,所述晶片设在所述容置腔内,晶片表面设有电极与其中一个连接焊点连接,所述导电上盖焊接在基座上。其制造工艺是将陶瓷基座、晶片和导电上盖通过胶黏剂或者焊料按照生产制程连接在一起。但是导电上盖是导体,在跌落、滚筒等应力测试中,晶振整体变形导致晶片与上盖瞬间碰撞导致对地短路,从而导致手机时序混乱等不良现象;因此,需要寻找一种新的方案改善晶片变形与导电上盖短路的问题。虽然近年微机械机电系统(MEMS)技术的发展,已经可以制造出微米甚至纳米级的机械电子器件。晶振片上的金属电极多用金、银或者银铝合金制成,金的价格高,但导电的性能好,而且金不溶于硫酸,容易回收利用,银或者银铝合金比金的导电性能差,而且溶于各种酸,不适合再处理利用。
技术实现思路
本技术的目的是解决上述问题,提供一种内部结构紧凑、电极稳定又可控性高的新型紧密型晶振。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种紧密型晶振,包括晶振本体,所述晶振本体包括导电上盖,所述导电上盖下放设有容置腔,所述导电上盖底面与所述容置腔之间设有预设位置,所述预设位置上涂有绝缘漆;所述容置腔内部设有振动晶体,所述容置腔下方对称设有正负极插塞,所述正负极插塞之间为激励板,所述激励板之间设有两组主控晶振,所述主控晶振下方为连接端,所述主控晶振与所述激励板之间通过所述连接端连接。进一步的,所述晶振本体上表面和下表面分别为金材料和铜材料的合金制成,所述金材料在合金中所占的重量百分比为35%~46%,所述铜材料在合金中所占的重量百分比为54%~65%。进一步的,所述晶振本体俯视外形结构为大致矩形,长边方向两侧的棱部和短边方向两侧的棱部分别经倒角加工,随着接近所述长边方向两侧和所述短边方向两侧各自的端部而逐渐变薄,且随着接近对角线方向的两个拐角部分而逐渐变薄,整体形成接近双凸透镜的剖面的加工形状。作为本技术的一种优选技术方案,所述晶振本体封盖为硼硅酸钙玻璃片。进一步的,所述主控晶振与激励板之间通过部分层间介质层相间隔。作为本技术的一种优选技术方案,所述振动晶体为长方体。作为本技术的一种优选技术方案,所述晶振本体的长边尺寸为2.1mm以上且2.4mm以下,短边尺寸为1.61mm以上且1.75mm以下。本技术的有益效果在于:通过所述预设位置上的绝缘漆,使晶片与导电上盖绝缘,有效解决在跌落、滚筒等过程中,晶片与导电上盖碰撞导致对地短路,从而导致手机时序混乱等不良问题;采用了金铜合金作为晶振的电极,在保证导电性能的基础上,降低了生产的成本,提高资源的回收利用率;使用硼硅酸钙玻璃作为封盖的材料,相对其他品种的玻璃,折光率更高;其热膨胀系数更接近作为封止材料的低熔点玻璃,结合更紧密,不易产生空气透入;可以在真空状态下先完成封盖,然后再进行精准的频率调整,产品最终性能更佳,良品率更高,制造成本更低;产品最终性能精良,可控性强。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术的整体结构示意图;图2为本技术的俯视图。具体实施方式如图1-2所示的一种紧密型晶振,包括晶振本体1,所述晶振本体1包括导电上盖2,所述导电上盖2下放设有容置腔4,所述导电上盖2底面与所述容置腔4之间设有预设位置3,所述预设位置3上涂有绝缘漆,通过所述预设位置3上的绝缘漆,使晶片与导电上盖绝缘,有效解决在跌落、滚筒等过程中,晶片与导电上盖碰撞导致对地短路,从而导致手机时序混乱等不良问题。将合成水晶制成晶片;在晶片表面镀金属层,形成电极,并使金属层厚度达到预设范围;将已形成电极的晶片固定在基座的容置腔内,并固化晶片;调整晶片表面电极的厚度,使晶振的频率达到预设要求;在导电上盖底面的预设位置涂布绝缘漆,并对绝缘漆进行固化;对基座与导电上盖进行封焊。上述所述在导电上盖底面的预设位置涂布绝缘漆,并对绝缘漆进行固化的步骤中,所述预设位置位于所述晶片上方,预设位置的面积小于容置腔的开口面积,且大于所述晶片的上表面面积。上述所述在导电上盖底面的预设位置涂布绝缘漆,并对绝缘漆进行固化的步骤,具体为用点胶机对所述预设位置涂布绝缘漆。上述所述将合成水晶制成晶片的步骤,包括:将合成水晶按预设切割角度切割成薄晶片;将所述薄晶片研磨至预设频率的对应厚度;将所述薄晶片切割成预设尺寸大小的晶片;去除晶片表面不光滑部分。上述所述去除晶片表面不光滑部分的步骤,具体为用化学蚀刻法去除晶片表面不光滑部分。所述容置腔4内部设有振动晶体5,所述容置腔4下方对称设有正负极插塞6,所述正负极插塞6之间为激励板7,所述激励板7之间设有两组主控晶振8,所述主控晶振8下方为连接端9,所述主控晶振8与所述激励板7之间通过所述连接端9连接。激励板7是用于形成电场诱发晶振中振动晶体的振动,因此激励板7可以是金属材料,还可以是其他导电材料,除上述实施例以外,还可以采用其他常规CMOS工艺。进一步的,所述晶振本体1上表面和下表面分别为金材料和铜材料的合金制成,所述金材料在合金中所占的重量百分比为35%~46%,所述铜材料在合金中所占的重量百分比为54%~65%。进一步的,所述晶振本体1俯视外形结构为大致矩形,长边方向两侧的棱部和短边方向两侧的棱部分别经倒角加工,随着接近所述长边方向两侧和所述短边方向两侧各自的端部而逐渐变薄,且随着接近对角线方向的两个拐角部分而逐渐变薄,整体形成接近双凸透镜的剖面的加工形状。作为本技术的一种优选技术方案,所述晶振本体1封盖为硼硅酸钙玻璃片。进一步的,所述主控晶振8与激励板7之间通过部分层间介质层相间隔。作为本技术的一种优选技术方案,所述振动晶体5为长方体。作为本技术的一种优选技术方案,所述晶振本体1的长边尺寸为2.1mm以上且2.4mm以下,短边尺寸为1.61mm以上且1.75mm以下。通过所述预设位置上的绝缘漆,使晶片与导电上盖绝缘,有效解决在跌落、滚筒等过程中,晶片与导电上盖碰撞导致对地短路,从而导致手机时序混乱等不良问题;采用了金铜合金作为晶振的电极,在保证导电性能的基础上,降低了生产的成本,提高资源的回收利用率;使用硼硅酸钙玻璃作为封盖的材料,相对其他品种的玻璃,折光率更高;其热膨胀系数更接近作为封止材料的低熔点玻璃,结合更紧密,不易产生空气透入;可以在真空状态下先完成封盖,然后再进行精准的频率调本文档来自技高网...
一种紧密型晶振

【技术保护点】
一种紧密型晶振,包括晶振本体(1),其特征在于,所述晶振本体(1)包括导电上盖(2),所述导电上盖(2)下放设有容置腔(4),所述导电上盖(2)底面与所述容置腔(4)之间设有预设位置(3),所述预设位置(3)上涂有绝缘漆;所述容置腔(4)内部设有振动晶体(5),所述容置腔(4)下方对称设有正负极插塞(6),所述正负极插塞(6)之间为激励板(7),所述激励板(7)之间设有两组主控晶振(8),所述主控晶振(8)下方为连接端(9),所述主控晶振(8)与所述激励板(7)之间通过所述连接端(9)连接。

【技术特征摘要】
1.一种紧密型晶振,包括晶振本体(1),其特征在于,所述晶振本体(1)包括导电上盖(2),所述导电上盖(2)下放设有容置腔(4),所述导电上盖(2)底面与所述容置腔(4)之间设有预设位置(3),所述预设位置(3)上涂有绝缘漆;所述容置腔(4)内部设有振动晶体(5),所述容置腔(4)下方对称设有正负极插塞(6),所述正负极插塞(6)之间为激励板(7),所述激励板(7)之间设有两组主控晶振(8),所述主控晶振(8)下方为连接端(9),所述主控晶振(8)与所述激励板(7)之间通过所述连接端(9)连接。2.根据权利要求1所述的一种紧密型晶振,其特征在于,所述晶振本体(1)俯视外形结构为大致矩形,长边方向两侧的棱部和短边方向两侧...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈康
申请(专利权)人:金华市创捷电子有限公司
类型:新型
国别省市:浙江,33

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