用于OLED应用的金络合物制造技术

本发明专利技术描述显示高发射量子效率和在热分解过程稳定的金(III)发射体。可从这些发射体制造高性能OLED。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于OLED应用的金络合物
本公开涉及一类金发射体、其制备及其在有机发光二极管(OLED)中的应用。专利技术背景一直有关注研究用于OLED应用的发光材料，无论是发现适合掺杂剂材料还是优化装置结构，以实现高量子效率、长装置寿命或颜色调节。Ir(III)和Pt(II)络合物在研究领域占主导。它们因优异的发光量子产率和稳定性而被高度认可。为了具有这些合乎需要的性质，除选择金属离子以外，配位体的结构设计起决定作用。一般做法是使用多齿环金属化配位体。这些多齿配位体通常包含强场供体原子，如C-或O-，以去除低位非发射金属中心(MC)激发态。同时，有多齿配位体而非单齿配位体赋予的螯合效应，这可给予络合物热稳定性。在过去二十年里，对发光金(III)化合物的研究高涨。发光金(III)络合物存在。但结构设计很大依赖伴有辅助强σ-供体(通常为碳阴离子)的环金属化三齿络合物。只有这种金(III)络合物已用于OLED装置。已通过这些络合物的溶液量子效率获得相对少数量的高性能装置。然而，金(III)中心和辅助单齿配位体之间的相对较弱结合力可影响这些OLED的长期稳定性。专利技术概述本文主题涉及具有高溶液发射量子效率的金(III)发射体及其在OLED中的应用。本文所述金(III)发射体大大改善用于OLED制造的金(III)络合物的发射量子和稳定性。在一个实施方案中，金(III)基发射体为具有结构I的化学结构的金属络合物：结构I其中R1-R8独立为氢、卤素、羟基、未取代烷基、经取代烷基、烷基氨基、环烷基、未取代芳基、经取代芳基、酰基、烷氧基、酰氧基、氨基、硝基、酰氨基、芳烷基、氰基、羧基、硫醇(thio)、苯乙烯基、氨基羰基、氨基甲酰基、芳氧基羰基、苯氧基羰基或烷氧基羰基。R1-R8中任何相邻的R基团对可独立与结构I中所示苯基环中的2或4个碳原子形成5-8元环；并且为发射起始(emissionturnon)基团。本文主题也提供从结构I的金(III)发射体制造的装置。附图简述图201：发射体100的合成方案。图202：102的ORTEP图，椭球体以30%概率水平显示。图203：104的ORTEP图，椭球体以30%概率水平显示。图204：107的ORTEP图，椭球体以30%概率水平显示。图205：109的ORTEP图，椭球体以30%概率水平显示。图206：发射体103、105、107、108和109的循环伏安图。图207：发射体102的TGA温谱图。图208：发射体103的TGA温谱图。图209：发射体107的TGA温谱图。图210：发射体101的发射光谱。图211：发射体102的发射光谱。图212：通过发射体102制造的VDOLED和SPOLED的EL光谱。图213：通过发射体102制造的VDOLED和SPOLED的EQE亮度特性。专利技术详述定义为了帮助理解本文公开主题，以下定义本文所用一些术语、缩写或其它简写。未定义的任何术语、缩写或其它简写应理解为具有与本申请的提交同时期本领域的技术人员使用的普通含义。“氨基”指可任选经取代的伯胺、仲胺或叔胺。具体包括作为杂环成员的仲或叔胺氮原子。也具体包括例如由酰基部分取代的仲或叔氨基。氨基的一些非限制实例包括-NR’R”，其中各R’和R”独立为H、烷基、芳基、芳烷基、烷芳基、环烷基、酰基、杂烷基、杂芳基或杂环基。“烷基”指包含碳和氢且可以为支链或直链的完全饱和无环单价基团。烷基的实例包括但不限于甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、正庚基、正己基、正辛基和正癸基。“烷基氨基”指基团-NHR或-NR2，其中各R独立为烷基。烷基氨基的代表性实例包括但不限于甲基氨基、(1-甲基乙基)氨基、甲基氨基、二甲基氨基、甲基乙基氨基和二(1-甲基乙基)氨基。术语“羟基烷基”指用一个或多个羟基取代的本文限定的烷基，优选一、二或三个羟基。羟基烷基的代表性实例包括但不限于羟基甲基、2-羟基乙基、2-羟基丙基、3-羟基丙基、1-(羟基甲基)-2-甲基丙基、2-羟基丁基、3-羟基丁基、4-羟基丁基、2,3-二羟基丙基、2-羟基-1-羟基甲基乙基、2,3-二羟基丁基、3,4-二羟基丁基和2-(羟基甲基)-3-羟基-丙基，优选2-羟基乙基、2,3-二羟基丙基和1-(羟基甲基)2-羟基乙基。本文所用术语“烷氧基”指基团-ORx。示例性烷氧基包括但不限于甲氧基、乙氧基和丙氧基。“芳基”指任选取代的碳环芳族基团。在一些实施方案中，芳基包括苯基、联苯基、萘基、经取代苯基、经取代联苯基或经取代萘基。在其它实施方案中，芳基为苯基或经取代苯基。“芳烷基”指用芳基取代的烷基。芳烷基的一些非限制实例包括苄基和苯乙基。“酰基”指式-C(=O)H、-C(=O)-烷基、-C(=O)-芳基、-C(=O)-芳烷基或-C(=O)-烷芳基的单价基团。“卤素”指氟、氯、溴和碘。“苯乙烯基”指从苯乙烯衍生的单价基团C6H5-CH=CH-。本文所用描述化合物或化学部分的“经取代”指那种化合物或化学部分的至少一个氢原子被第二化学部分取代。取代基的非限制实例为本文公开示例性化合物和实施方案中发现的那些取代基，以及卤素；烷基；杂烷基；烯基；炔基；芳基；杂芳基；羟基；烷氧基；氨基；硝基；硫醇；硫醚；亚胺；氰基；酰氨基；膦酸基；膦；羧基；硫代羰基；磺酰基；磺酰胺；酮；醛；酯；氧代；卤代烷基(例如，三氟甲基)；可以为单环或稠合或非稠合多环的碳环环烷基(例如，环丙基、环丁基、环戊基或环己基)，或可以为单环或稠合或非稠合多环的杂环烷基(例如，吡咯烷基、哌啶基、哌嗪基、吗啉基或噻嗪基)；碳环或杂环、单环或稠合或非稠合多环芳基(例如，苯基、萘基、吡咯基、吲哚基、呋喃基、噻吩基、咪唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、三唑基、四唑基、吡唑基、吡啶基、喹啉基、异喹啉基、吖啶基、吡嗪基、哒嗪基、嘧啶基、苯并咪唑基、苯并噻吩基或苯并呋喃基)；氨基(伯、仲或叔)；o-低级烷基；o-芳基，芳基；芳基-低级烷基；-CO2CH3；-CONH2；-OCH2CONH2；-NH2；-SO2NH2；-OCHF2；-CF3；-OCF3；-NH(烷基)；-N(烷基)2；-NH(芳基)；-N(烷基)(芳基)；-N(芳基)2；-CHO；-CO(烷基)；-CO(芳基)；-CO2(烷基)；和-CO2(芳基)；这些部分也可任选由稠环结构或桥(例如，-OCH2O-)取代。这些取代基可任选进一步被选自这些基团的取代基取代。除非另外说明，本文公开的所有化学基团均可经取代。例如，本文所述“经取代”烷基、烯基、炔基、芳基、烃基或杂环部分为被烃基部分、经取代烃基部分、杂原子或杂环取代的部分。另外，取代基可包括其中碳原子被杂原子取代的部分，杂原子如氮、氧、硅、磷、硼、硫或卤素原子。这些取代基可包括卤素、杂环、烷氧基、烯氧基、炔氧基、芳氧基、羟基、受保护羟基、酮基、酰基、酰氧基、硝基、氨基、酰氨基、氰基、硫醇、缩酮、缩醛、酯和醚。金(III)发射体在一个方面，本文主题提供金(III)发射体。在一个实施方案中，本专利技术提供由结构I表示的有机金属发射体。结构I中的金中心处于+3氧化态，并具有方形平面几何结构。金中心的配位点由两个二齿配位体占据：联苯类型配位体和发射起始单元(发射起始基团)。具有5元稠环特征的联苯类型配位体通过两本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有以下结构I的金(III)基化合物：

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.04.13 US 62/1466361.一种具有以下结构I的金(III)基化合物：结构I其中R1-R8独立为氢、卤素、羟基、未取代烷基、经取代烷基、环烷基、未取代芳基、经取代芳基、酰基、烷氧基、酰氧基、氨基、硝基、酰氨基、芳烷基、氰基、羧基、硫醇(thio)、苯乙烯基、氨基羰基、氨基甲酰基、芳氧基羰基、苯氧基羰基或烷氧基羰基，R1-R8中任何相邻的R基团对可独立与苯基环中的2或4个碳原子形成5-8元环；并且为发射起始基团，其中X为氧原子、氮原子或磷原子。2.权利要求1的金(III)基化合物，其中R1-R8独立为氢、卤素、羟基、包含1至10个碳原子的未取代烷基、包含1至20个碳原子的经取代烷基、包含4至20个碳原子的环烷基、包含6至20个碳原子的未取代芳基、包含6至20个碳原子的经取代芳基、包含1至20个碳原子的酰基、包含1至20个碳原子的烷氧基、包含1至20个碳原子的酰氧基、氨基、硝基、包含1至20个碳原子的酰氨基、包含1至20个碳原子的芳烷基、氰基、包含1至20个碳原子的羧基、硫醇、苯乙烯基、包含1至20个碳原子的氨基羰基、包含1至20个碳原子的氨基甲酰基、包含1至20个碳原子的芳氧基羰基、包含1至20个碳原子的苯氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：支志明，
申请(专利权)人：香港大学，
类型：发明
国别省市：中国香港,81