基材通过真空溅射技术制造的新型LED光源的制造方法技术

技术编号:17564156 阅读:31 留言:0更新日期:2018-03-28 14:03
本发明专利技术公开了基材通过真空溅射技术制造的新型LED光源的制造方法,它涉及LED光源技术领域。基材的上方通过基材填充胶材与LED支架固定连接,LED支架采用倒T型或蘑菇头型互扣嵌入装置,所述的支架杯底安装有芯片,芯片上焊接有金线,芯片和金线的上方封装有荧光胶。基材主体选取铝材,通过真空溅射技术

The manufacturing method of a new type of LED light source by vacuum sputtering

The invention discloses a manufacturing method of a new LED light source made by a vacuum sputtering technique, which relates to the technical field of the LED light source. The upper part of the substrate is fixed by the substrate and filled with rubber, and is fixedly connected with the LED bracket. The LED bracket adopts the inverted T type or mushroom head type interlocking and embedding device. The bracket cup bottom is equipped with chips, and the chip is welded with gold wires, and the upper part of the chip and the gold wire is coated with fluorescent adhesive. Selection of aluminum material by substrate main body and vacuum sputtering technology

【技术实现步骤摘要】
基材通过真空溅射技术制造的新型LED光源的制造方法
本专利技术涉及基材通过真空溅射技术制造的新型LED光源的制造方法,属于LED光源

技术介绍
LED自从问世以上,受到广泛重视而得到迅速发展,是与它本身所具有的优点分不开的。这些优点概括起来是:亮度高、工作电压低、功耗小、小型化、寿命长、耐冲击和性能稳定。LED的发展前景极为广阔,目前正朝着更高亮度、更高耐气候性、更高的发光密度、更高的发光均匀性方向发展。但实际在生产使用LED产品的过程中,经常会遭遇“产品硫化(包含硫化、卤化、氧化等污染现象)导致产品失效”等问题,这些问题给客户和生产厂家都带来一定损失,出现硫化反应后,产品功能区会黑化,光通量会逐渐下降,色温出现明显漂移。其原理是:因为贴片LED的支架是在金属基材上镀银(银层会起到发亮,反射光的作用),LED在高温焊接时,碰到了硫或硫蒸气,则会造成支架上的银层与硫发生化学反应2Ag+S=Ag2S↓,形成Ag2S,视反应量的多少,其颜色为黄色或黑色不等。最严重的银层都反应完,金丝断裂,造成LED开路。众所周知,LED支架气密性不佳,尤其是在高温的时候,更容易造成器件污染失效,支架底部镀银层发黑,降低了器件的可靠性。
技术实现思路
针对上述问题,本专利技术要解决的技术问题是提供基材通过真空溅射技术制造的新型LED光源的制造方法。本专利技术的基材通过真空溅射技术制造的新型LED光源。它包含基材1、支架填充胶材a、LED支架2、荧光胶3、芯片4、金线5倒T型或蘑菇头型互扣嵌入装置6,基材1和胶材a通过一定工艺成型LED支架2,支架2的杯底安装有芯片4,正装LED芯片4上焊接有金线5,倒装LED芯片4与支架2杯底焊接,芯片4和金线5的上方封装有荧光胶3。作为优选,所述的LED支架2的底部为倒T型或蘑菇头型互扣嵌入装置6,胶材和金属片相互紧扣,二者相互嵌入不限于倒T型或蘑菇头形状。作为优选,所述的基材1下表面通过真空溅射技术沉积金属铜、银、锡、镍、锌等金属材料一种或几种(同时所沉积金属材料不限于上述几种)。进一步优选,所述的基材1上表面通过真空溅射技术从下至上沉积三氧化二铝、二氧化钛、银、二氧化铝、二氧化钛层(不局限于此,同时可添加其它金属或氧化物保护层)。进一步优选,所述的基材1上表面通过真空溅射技术从下至上沉积三氧化二铝、二氧化钛、银、二氧化钛、二氧化硅、二氧化钛(不局限于此,同时可添加其它金属或氧化物保护层)。本专利技术的有益效果:基材主体选取铝材,通过真空溅射技术,在特定基材表面沉积金属或金属氧化物等材料,形成容易焊接界面,做成LED封装支架铝材,该工艺保护材料表面不容易被硫化,溴化,氧化等,提高基材反射率和光泽度。通过控制表面氧化铝(氧化硅),氧化钛及银层厚度,实现LED支架基板正面表面打线,焊接(正装LED打线焊接工艺,倒装LED共晶或锡膏焊接工艺),支架反面焊锡工艺,且产品尺寸,结构,支架成型,加工艺多样化。附图说明:为了易于说明,本专利技术由下述的具体实施及附图作以详细描述。图1为本专利技术结构示意图;图2为本专利技术中基材的结构示意图;图3为本专利技术中LED支架的结构示意图;图4为图3的左视结构示意图;图5为本专利技术中LED半成品的结构示意图;图6为本专利技术具体实施方式一中基材的具体结构示意图;图7为本专利技术具体实施方式二中基材的具体结构示意图;具体实施方式:具体实施方式一:如图1-6所示,本具体实施方式采用以下技术方案:它包含基材1、支架填充胶材a、LED支架2、荧光胶3、芯片4、金线5和倒T型或蘑菇头型互扣嵌入装置6,基材1和胶材a通过一定工艺成型LED支架2,支架2的杯底安装有芯片4,正装LED芯片4上焊接有金线5,倒装LED芯片4与支架2杯底焊接,芯片4和金线5的上方封装有荧光胶3。作为优选,所述的LED支架2的底部为倒T型或蘑菇头型互扣嵌入装置6,胶材和金属片相互紧扣,二者相互嵌入不限于倒T型或蘑菇头形状。作为优选,所述的基材1下表面通过真空溅射技术沉积金属铜、银、锡、镍、锌等金属材料一种或几种(同时所沉积金属材料不限于上述几种)。进一步优选,所述的基材1上表面通过真空溅射技术从下至上依次沉积三氧化二铝、二氧化钛、银、二氧化铝、二氧化钛层(不局限于此,同时可添加其它金属或氧化物保护层)。本具体实施方式中基材通过真空溅射技术制造的新型LED光源的制造方法为:步骤一:基材工艺处理:选取经过正反表面处理过的基材冲压;步骤二:LED支架制作:用热固或热塑成型方式填充相应结构LED支架2,且LED支架2中部设置有倒T型或蘑菇头型互扣嵌入装置装置6,步骤三:led封装工艺:在LED支架2上通过进行点胶,安装芯片4,焊金线5等工艺制成成型的LED半成品;步骤四:通过调配荧光胶比例,将荧光胶层3灌封在LED半成品上,并且进行烘烤固化成型做成所需的LED光源灯珠。具体实施方式二:参照图7,本具体实施方式与具体实施方式一的不同之处在于:所述的基材1的上表面处理方式不同,其中,所述的基材1上表面通过真空溅射技术从下至上依次沉积三氧化二铝、二氧化钛、银、二氧化钛、二氧化硅、二氧化钛。其它组成和连接关系与具体实施方式一相同。以上显示和描述了本专利技术的基本原理和主要特征和本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解,本专利技术不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理,在不脱离本专利技术精神和范围的前提下,本专利技术还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...
基材通过真空溅射技术制造的新型LED光源的制造方法

【技术保护点】
基材通过真空溅射技术制造的新型LED光源的制造方法,其特征在于:所述的真空溅射技术制造的LED光源:包含基材(1)、支架填充胶材(a)、LED支架(2)、荧光胶(3)、芯片(4)、金线(5) 和倒T型或蘑菇头型互扣嵌入装置(6), 基材(1)和胶材(a)通过一定工艺成型LED支架(2),支架(2)的杯底安装有芯片(4),正装LED芯片(4)上焊接有金线(5),倒装LED芯片(4)与支架(2)杯底焊接,芯片(4)和金线(5)的上方封装有荧光胶(3),所述的LED支架(2)的底部为倒T型或蘑菇头型互扣嵌入装置(6),所述的胶材和金属片相互紧扣,二者相互嵌入不限于倒T型或蘑菇头形状 ;所述的真空溅射技术制造的LED光源的制造方法为:步骤一:基材(1)工艺处理:所述的基材(1)表面通过真空溅射技术沉积金属或金属氧化物等材料;步骤二:LED支架制作:用热固或热塑成型方式填充相应结构LED支架(2),且LED支架(2)中部设置有避空装置(6),步骤三:led封装工艺:在LED支架(2)上通过进行点胶,安装芯片(4),焊金线(5)等工艺制成成型的LED半成品;步骤四:通过调配荧光胶比例,将荧光胶层(3)灌封在LED半成品上,并且进行烘烤固化成型做成所需的LED光源灯珠。...

【技术特征摘要】
1.基材通过真空溅射技术制造的新型LED光源的制造方法,其特征在于:所述的真空溅射技术制造的LED光源:包含基材(1)、支架填充胶材(a)、LED支架(2)、荧光胶(3)、芯片(4)、金线(5)和倒T型或蘑菇头型互扣嵌入装置(6),基材(1)和胶材(a)通过一定工艺成型LED支架(2),支架(2)的杯底安装有芯片(4),正装LED芯片(4)上焊接有金线(5),倒装LED芯片(4)与支架(2)杯底焊接,芯片(4)和金线(5)的上方封装有荧光胶(3),所述的LED支架(2)的底部为倒T型或蘑菇头型互扣嵌入装置(6),所述的胶材和金属片相互紧扣,二者相互嵌入不限于倒T型或蘑菇头形状;所述的真空溅射技术制造的LED光源的制造方法为:步骤一:基材(1)工艺处理:所述的基材(1)表面通过真空溅射技术沉积金属或金属氧化物等材料;步骤二:LED支架制作:用热固或热塑成型方式填充相应结构LED支架(2),且LED支架(2)中部设置有避空装置(6),步骤三:led封装工艺...

【专利技术属性】
技术研发人员:李俊东刘云陈健平柳欢
申请(专利权)人:深圳市斯迈得半导体有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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