一种新型石英晶片制造技术

技术编号:17544108 阅读:32 留言:0更新日期:2018-03-25 00:04
本发明专利技术涉及一种新型石英晶片。本发明专利技术:一种新型石英晶片,其特征在于,包括晶片基板、电极、镂空圆孔A和镂空圆孔B,所述的晶片基板上表面镀有所述的电极,所述的电极为镀金属膜电极,所述的晶片基板右上角均匀开设有镂空圆孔A,所述的镂空圆孔A上镀有所述的电极,所述的晶片基板右下角均匀开设有镂空圆孔B。本发明专利技术采用在增设了镂空圆孔的晶片,可以使晶片与银胶结合度更强,从而提高谐振器的频率稳定性,同时也提高的产品的合格率,生产效益高且使用寿命长。

A new type of quartz crystal

The present invention relates to a new type of quartz crystal. The present invention: a new type of quartz crystal, which is characterized in that includes a wafer substrate, electrode, hollow hole A and hole hollow B electrode wafer substrate on the surface of the plating, the electrode is a metal plating film electrode, wafer substrate on the right angle is uniformly provided with hollow hole A A, the hollow hole electrode plated on the wafer substrate, the right lower corner is uniformly provided with hollow hole B. The invention adopts the wafer with hollow holes, which enables the bonding degree between the wafer and the silver glue to be stronger, thereby improving the frequency stability of the resonator, and improving the qualified rate of the product, producing high efficiency and long service life.

【技术实现步骤摘要】
一种新型石英晶片
本专利技术涉及石英晶体谐振器晶片
,具体涉及一种新型石英晶片。
技术介绍
石英晶体谐振器是利用石英晶体的压电效应而制成的谐振元件,随着科技的发展和生活水平的提高,客户对产品的电性参数、可靠性能要求越来越高。行业竞争日益激烈,制造更高可靠性谐振器是产业必要的趋势。石英晶体谐振器的石英晶片通过导电胶固定在基座上,就目前通过导电胶直接粘固得到的石英晶体谐振器,因晶片与导电胶的粘合度不高,使得最终得到的石英晶体谐振器其频率稳定性较差,合格率较低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足,提供一种参数稳定、可靠性更强的新型石英晶体。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的:一种新型石英晶片,其特征在于,包括晶片基板、电极、镂空圆孔A和镂空圆孔B,所述的晶片基板上表面镀有所述的电极,所述的电极为镀金属膜电极,所述的晶片基板右上角均匀开设有镂空圆孔A,所述的镂空圆孔A上镀有所述的电极,所述的晶片基板右下角均匀开设有镂空圆孔B。进一步地,所述的电极由从下往上依次为镀铬膜层、镀银膜层和镀金膜层组成。进一步地,所述的镂空圆孔A和镂空圆孔B是通过激光刻蚀的方法制成,呈有序排列,所述的镂空圆孔A和镂空圆孔B的直径均为8~12um。进一步地,所述的晶体基板还包括寄生抑制点,所述的寄生抑制点设置在晶片基板两侧,所述的寄生抑制点关于所述晶片基板中心轴线对称布置,所述的寄生抑制点的直径为10mm。本专利技术的有益效果是:采用在增设了镂空圆孔的晶片,可以使晶片与银胶结合度更强,从而提高谐振器的频率稳定性,同时也提高的产品的合格率,生产效益高且使用寿命长。附图说明图1为本专利技术的结构示意图;图2为图1的A-A剖视图;图3为图1的B-B剖视图图中,1-晶片基板,2-电极,3-寄生抑制点,4-镂空圆孔A,5-镂空圆孔B。具体实施方式下面结合具体实施例进一步详细描述本专利技术的技术方案,但本专利技术的保护范围不局限于以下所述。如图1-3所示,一种新型石英晶片,其特征在于,包括晶片基板1、电极2、镂空圆孔A4和镂空圆孔B5,所述的晶片基板1上表面镀有所述的电极2,所述的电极2为镀金属膜电极,所述的晶片基板右上角均匀开设有镂空圆孔A4,所述的镂空圆孔A4上镀有所述的电极2,所述的晶片基板1右下角均匀开设有镂空圆孔B5。进一步地,所述的电极2由从下往上依次为镀铬膜层、镀银膜层和镀金膜层组成。主电极层采用银膜,吸附层采用铬膜,与传统的重金属膜相比,具有生产成本低、化学性质稳定、频率稳定度高的优点;在银膜上镀设金膜,提高了晶片的的抗老化性能。进一步地,所述的镂空圆孔A4和镂空圆孔B5是通过激光刻蚀的方法制成,呈有序排列,所述的镂空圆孔A4和镂空圆孔B5的直径均为8~12um。进一步地,所述的晶体基板1还包括寄生抑制点3,所述的寄生抑制点3设置在晶片基板1两侧,所述的寄生抑制点3关于所述晶片基板1中心轴线对称布置,所述的寄生抑制点3的直径为10mm。所述的寄生抑制点3为含吸有波材料的银胶。在晶体基板1上镀上寄生抑制点3,提高对寄生响应起到抑制的作用,和电参数的一致性。本专利技术的制作过程如下:将腐蚀完成的晶体基板1放置在特制的夹具中,然后使用激光刻蚀的方法刻蚀出镂空圆孔A和镂空圆孔B。将增加镂空圆孔A和镂空圆孔B的晶体基板1以不同的速率通过石英晶片多层镀膜机,完成对石英晶体表面铬、银、金膜的镀设,然后寄生抑制点3通过点胶的方式直接点涂在晶体基板1的固定位置。以上所述仅是本专利技术的优选实施方式,应当理解本专利技术并非局限于本文所披露的形式,不应看作是对其他实施例的排除,而可用于各种其他组合、修改和环境,并能够在本文所述构想范围内,通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本专利技术的精神和范围,则都应在本专利技术所附权利要求的保护范围内。本文档来自技高网...
一种新型石英晶片

【技术保护点】
一种新型石英晶片,其特征在于,包括晶片基板(1)、电极(2)、镂空圆孔A(4)和镂空圆孔B(5),所述的晶片基板(1)上表面镀有所述的电极(2),所述的电极(2)为镀金属膜电极,所述的晶片基板右上角均匀开设有镂空圆孔A(4),所述的镂空圆孔A(4)上镀有所述的电极(2),所述的晶片基板(1)右下角均匀开设有镂空圆孔B(5)。

【技术特征摘要】
1.一种新型石英晶片,其特征在于,包括晶片基板(1)、电极(2)、镂空圆孔A(4)和镂空圆孔B(5),所述的晶片基板(1)上表面镀有所述的电极(2),所述的电极(2)为镀金属膜电极,所述的晶片基板右上角均匀开设有镂空圆孔A(4),所述的镂空圆孔A(4)上镀有所述的电极(2),所述的晶片基板(1)右下角均匀开设有镂空圆孔B(5)。2.根据权利要求1所述的一种新型石英晶片,其特征在于,所述的电极(2)由从下往上依次为镀铬膜层、镀银膜层和镀金膜层组...

【专利技术属性】
技术研发人员:张龙
申请(专利权)人:东晶锐康晶体成都有限公司
类型:发明
国别省市:四川,51

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