The present invention relates to a new type of quartz crystal. The present invention: a new type of quartz crystal, which is characterized in that includes a wafer substrate, electrode, hollow hole A and hole hollow B electrode wafer substrate on the surface of the plating, the electrode is a metal plating film electrode, wafer substrate on the right angle is uniformly provided with hollow hole A A, the hollow hole electrode plated on the wafer substrate, the right lower corner is uniformly provided with hollow hole B. The invention adopts the wafer with hollow holes, which enables the bonding degree between the wafer and the silver glue to be stronger, thereby improving the frequency stability of the resonator, and improving the qualified rate of the product, producing high efficiency and long service life.
【技术实现步骤摘要】
一种新型石英晶片
本专利技术涉及石英晶体谐振器晶片
,具体涉及一种新型石英晶片。
技术介绍
石英晶体谐振器是利用石英晶体的压电效应而制成的谐振元件,随着科技的发展和生活水平的提高,客户对产品的电性参数、可靠性能要求越来越高。行业竞争日益激烈,制造更高可靠性谐振器是产业必要的趋势。石英晶体谐振器的石英晶片通过导电胶固定在基座上,就目前通过导电胶直接粘固得到的石英晶体谐振器,因晶片与导电胶的粘合度不高,使得最终得到的石英晶体谐振器其频率稳定性较差,合格率较低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足,提供一种参数稳定、可靠性更强的新型石英晶体。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的:一种新型石英晶片,其特征在于,包括晶片基板、电极、镂空圆孔A和镂空圆孔B,所述的晶片基板上表面镀有所述的电极,所述的电极为镀金属膜电极,所述的晶片基板右上角均匀开设有镂空圆孔A,所述的镂空圆孔A上镀有所述的电极,所述的晶片基板右下角均匀开设有镂空圆孔B。进一步地,所述的电极由从下往上依次为镀铬膜层、镀银膜层和镀金膜层组成。进一步地,所述的镂空圆孔A和镂空圆孔B是通过激光刻蚀的方法制成,呈有序排列,所述的镂空圆孔A和镂空圆孔B的直径均为8~12um。进一步地,所述的晶体基板还包括寄生抑制点,所述的寄生抑制点设置在晶片基板两侧,所述的寄生抑制点关于所述晶片基板中心轴线对称布置,所述的寄生抑制点的直径为10mm。本专利技术的有益效果是:采用在增设了镂空圆孔的晶片,可以使晶片与银胶结合度更强,从而提高谐振器的频率稳定性,同时也提高的产品的合格率,生产效益高且使用寿命长。 ...
【技术保护点】
一种新型石英晶片,其特征在于,包括晶片基板(1)、电极(2)、镂空圆孔A(4)和镂空圆孔B(5),所述的晶片基板(1)上表面镀有所述的电极(2),所述的电极(2)为镀金属膜电极,所述的晶片基板右上角均匀开设有镂空圆孔A(4),所述的镂空圆孔A(4)上镀有所述的电极(2),所述的晶片基板(1)右下角均匀开设有镂空圆孔B(5)。
【技术特征摘要】
1.一种新型石英晶片,其特征在于,包括晶片基板(1)、电极(2)、镂空圆孔A(4)和镂空圆孔B(5),所述的晶片基板(1)上表面镀有所述的电极(2),所述的电极(2)为镀金属膜电极,所述的晶片基板右上角均匀开设有镂空圆孔A(4),所述的镂空圆孔A(4)上镀有所述的电极(2),所述的晶片基板(1)右下角均匀开设有镂空圆孔B(5)。2.根据权利要求1所述的一种新型石英晶片,其特征在于,所述的电极(2)由从下往上依次为镀铬膜层、镀银膜层和镀金膜层组...
【专利技术属性】
技术研发人员:张龙,
申请(专利权)人:东晶锐康晶体成都有限公司,
类型:发明
国别省市:四川,51
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