The invention provides a high integration, high voltage delay and slow start device, which can realize the stable and delayed startup of the high-voltage power simply and reliably, and avoid the damage of the high voltage overshoot to the photoelectric detector. The device comprises a DC power supply VCC, RC charge and discharge circuit, MOS tube, MOS tube, Q1 Q2 MOS Q3 and MOS tube light tube; by adding a slow start circuit between the voltage control end \and\ high power \, including the use of RC, MOS charge and discharge tube with variable resistance as well as light MOS tube. When the MOS tube Q1 gate terminal for high level MOS Q3 MOS Q2 tube tube with slow change, the light conducting MOS MOS tube, then the pressure amplitude control end is a strong pull to land, then the light emitting diode light gradually weakened, MOS by the change as a cut-off voltage control end slow into the effective input of back-end high voltage power supply slow start.
【技术实现步骤摘要】
一种高集成度高压延迟缓启动装置
本专利技术属于高压电源
,具体涉及一种高压电源用缓启动电路。
技术介绍
在条纹管、项增强器和X射线源中等需要高压供电的设备中,对高压电源的启动稳定性呈现不断的增长趋势。高压开关电源是通过将误差信号转换成占空比控制信号驱动开关而工作的。在启动阶段,误差放大器处于非平衡状态,使得环路处于100%占空比,因此会有很大的浪涌电流灌入输出电容,使得输出电压产生较大的过冲,造成高压电源自身或条纹管打火,可能损坏条纹管等光电探测器。为了消除启动时的浪涌电流实现输出软启动,通常有两种方案:一种是电压限制;另外一种是电流限制。电压限制是通过限制误差放大器输出信号的电压值,从而限制启动时的占空比。传统的方法是通过一个电流源给电容充电得到斜坡上升的软启动电压,达到软启动的目的。这种方案优点是简单易用,缺点是需要一个软启动定容来控制启动时间,该电容往往很大,不能集成在芯片上,这将增加应用面积和应用成本。而且这种缓启动电路无法隔离控制信号和高压电源,导致系统可靠性差。电流限制是通过检测开关管的电流并有电流比较电路来限制开关管的电流,消除涌浪。考虑到电流限制值一般大于工作电流的最大值,开始就以电流限制工作可能会造成输出过冲,为此通过阶梯型增加电流限制阈值的方法来实现软启动。这种方法的缺点是需要增加电流检测和电流比较电路,不适合于没有电流限制功能的开关电源电路,而且电流限制值的切换往往并不平稳。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种新的高压延迟缓启动装置,能够简单可靠地实现高压电源的平稳延迟启动,避免高压过冲对光电探测器的损坏。本专利技术的解决方案 ...
【技术保护点】
一种高集成度高压延迟缓启动装置,其特征在于:包括直流电源VCC、RC充放电电路、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3和光控MOS管;所述RC充放电电路包括电容C1和电阻R3,直流电源VCC对电容C1充电,电容C1和电阻R3分别经不同的支路接至直流电源VCC,同时电阻R3一端与电容C1的正端连接,电阻R3另一端分别接至MOS管Q1的漏端和MOS管Q2的栅端,电容C1的负端接地;MOS管Q1的栅端作为该高集成度高压延迟缓启动装置的控制输入端;MOS管Q1的源端接地,使得当控制输入端为有效高电平,MOS管Q1处于导通状态,在所述RC充放电电路的放电作用下,MOS管Q2的栅端电压从初始最大值缓慢降低;MOS管Q2的漏端经电阻R12接至直流电源VCC,MOS管Q2的源端接地,MOS管Q2因RC充放电电路的作用形成一个可变电阻,该可变电阻与R12组成分压电路,对直流电源VCC分压后加载在MOS管Q3的栅端;MOS管Q3的漏端接至直流电源VCC,MOS管Q3的源端经光控MOS管中的光电二极管串联接地;MOS管Q3跟随MOS管Q2状态变化,进而决定光电二极管的导通状态;光控MOS管中的MOS管作为 ...
【技术特征摘要】
1.一种高集成度高压延迟缓启动装置,其特征在于:包括直流电源VCC、RC充放电电路、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3和光控MOS管;所述RC充放电电路包括电容C1和电阻R3,直流电源VCC对电容C1充电,电容C1和电阻R3分别经不同的支路接至直流电源VCC,同时电阻R3一端与电容C1的正端连接,电阻R3另一端分别接至MOS管Q1的漏端和MOS管Q2的栅端,电容C1的负端接地;MOS管Q1的栅端作为该高集成度高压延迟缓启动装置的控制输入端;MOS管Q1的源端接地,使得当控制输入端为有效高电平,MOS管Q1处于导通状态,在所述RC充放电电路的放电作用下,MOS管Q2的栅端电压从初始最大值缓慢降低;MOS管Q2的漏端经电阻R12接至直流电源VCC,MOS管Q2的源端接地,MOS管Q2因RC充放电电路的作用形成一个可变电阻,该可变电阻与R12组成分压电路,对直流电源VCC分压后加载在MOS管Q3的栅端;MOS管Q3的漏端接至直流电源VCC,MOS管Q3的源端经光控MOS管中的光电二极管串联接地;MOS管Q3跟随MO...
【专利技术属性】
技术研发人员:王博,赵卫,白永林,朱炳利,陈震,曹伟伟,缑永胜,白晓红,秦君军,
申请(专利权)人:中国科学院西安光学精密机械研究所,
类型:发明
国别省市:陕西,61
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