一种气密性器件的高可靠性封装结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种气密性器件的高可靠性封装结构，包括：气密性封装管壳，所述气密性封装管壳包括空腔、环绕侧墙和底面；设置在所述气密性封装管壳的空腔内的芯片；将所述芯片焊盘电连接至所述气密性封装管壳底面管脚的导电焊线；覆盖于所述导电焊线表面的绝缘涂层，以及设置在所述气密性封装管壳环绕侧墙上的气密性盖板。

A high reliability package structure and its manufacturing method for air tightness device

The invention discloses a high reliability package structure, an air tightness device includes: a hermetic package shell, the airtight package includes a cavity, surrounded by the side walls and the bottom surface; a cavity is arranged in the hermetic encapsulation shell within the chip; the chip pad is electrically connected to the hermetic pipe welding line conductive shell bottom pin; covered on the surface of the insulating coating the conductive wire, and arranged in the hermetic shell around the side wall of the airtight cover.

【技术实现步骤摘要】
一种气密性器件的高可靠性封装结构及其制造方法
本专利技术涉及集成电路气密性封装
，尤其涉及一种气密性器件的高可靠性封装结构及其制造方法。
技术介绍
气密性封装就是利用不透气及防水材料制成的腔体，将电子器件与周围的环境隔离开，通过消除密封过程中来自封装腔体的水汽，并阻止在工作寿命阶段内器件封装周围潮气的侵入，使器件封装体获得良好的长期可靠性，气密性封装是高可靠性封装的基础。微电子器件的封装从密封方面可以分为气密封装和非密封装。高等级集成电路和分立器件通常采用气密封装，多采用金属、陶瓷、玻璃封装腔体，内部为空腔结构，充有高纯氮气或其它惰性气体，也含有少量其它气体，当然也可以为真空，真空封装是气密性封装的一种。工业级和商业级器件通常采用塑封工艺，没有空腔，芯片是被聚合物材料整个包裹住，属于非气密封装。总体上，气密封装元器件可靠性要比非气密封装高一个数量级以上，气密封装元器件一般按军用标准、宇航标准严格控制设计、生产、测试、检验等多个环节，失效率低，多用于高可靠应用领域。非密封器件，一般适用于环境条件较好，可靠性要求不太高的民用电子产品。气密封装器件散热性好，环境适应性更强，军品级和宇航级元器件额定工作环境温度能达到-55℃～125℃。非气密封装器件散热较差，根据应用领域不同一般分为商业级和工业级，商业级额定工作环境温度为0℃～70℃，工业级额定工作环境温度为-40℃～85℃。气密封装主要工艺步骤通常为背金芯片与陶瓷管壳焊接，焊线，封盖。芯片焊接与封盖均采用金锡预成型焊片Au80Sn20合金焊料，该焊料拥有抗氧化性强，抗蠕变性好，润湿性好，接头强度高及导热性能好等特点，主要用于光电子封装、高可靠性气密封装、大功率电子器件电路气密封装和芯片封装等。焊线采用稳定性及电气性能较好的金线焊接，微波器件通常选择楔形焊接，通过热与压力相结合的方式将芯片焊盘的一端连接到外部引线的另一端。气密封装和工业及商业用途的非密封塑封封装工艺不同，焊线中间无塑封料填充保护，在军工及宇航高速、高冲击性系统下器件容易因外部环境运动导致焊线接触短路问题。同时，气密封装元器件的空腔内部还是会含有少量水汽，中国军用标准和美国军用标准对气密封装元器件的空腔内部水汽含量都做了明确限制，规定内部水汽含量不能超过5000ppm。这是因为水汽含量高可能引起一些可靠性问题，包括内部化学污染，加速对内部金属的腐蚀，主要是对引线和没有钝化层保护的键合区的破坏，也可导致元器件绝缘性能下降或参数超差。低温下可引起继电器功能失效。由于内部水汽含量超标曾经引起多批元器件失效并导致极其严重的系统灾难。气密性元器件因为散热性好、可靠性高，被广泛应用于军用产品及航天航空领域。但传统的气密性封装器件焊线后直接做封盖，应用于一些高速高冲击类环境中时，会因为外界环境的影响而容易导致器件内部的焊线变形接触，从而造成产品短路。如果在焊线后增加一道点胶埋线保护工艺，又会因环氧树脂在高温时产生气体挥发，造成器件内部污染，同时其与水汽还会引起化学和电化学的反应，生成电解质，从而进一步影响产品的电性能。因此，常规的点胶埋线工艺保护焊线也并不适合气密性封装器件产品。因此，急需一种新型的气密性封装结构至少部分地解决上述现有技术中存在的问题。
技术实现思路
针对现有技术中存在的问题，根据本专利技术的一个实施例，提供一种气密性器件的高可靠性封装结构，包括：气密性封装管壳，所述气密性封装管壳包括空腔、环绕侧墙和底面；设置在所述气密性封装管壳的空腔内的芯片；将所述芯片焊盘电连接至所述气密性封装管壳底面管脚的导电焊线；覆盖于所述导电焊线表面的绝缘涂层，以及设置在所述气密性封装管壳环绕侧墙上的气密性盖板。在本专利技术的一个实施例中，所述芯片的裸露表面及所述气密性封装管壳底面的裸露表面覆盖有绝缘涂层。在本专利技术的一个实施例中，所述芯片通过焊料附连到所述气密性封装管壳底面，所述气密性盖板通过焊料附连到气密性封装管壳环绕侧墙上。在本专利技术的一个实施例中，所述焊料为金锡焊料。在本专利技术的一个实施例中，所述绝缘涂层的材料为常用的绝缘介质氧化硅、氮化硅或者绝缘有机物。根据本专利技术的另一个实施例，提供一种气密性器件的高可靠性封装结构的制造方法，包括：提供气密性封装管壳；在封装管壳内焊接芯片；使用含有绝缘涂层的导电焊线引线键合将芯片焊盘电连接到气密性封装管壳上的管脚；以及对封装体进行封盖。在本专利技术的另一个实施例中，所述的在封装管壳内焊接芯片的工艺条件包括：使用Au80Sn20焊料片作为焊料；同时使用氮气或氮气氢气的混合气体防止焊料氧化；焊接温度不高于320℃，最高温停留时间不超过30秒；以及焊接时进行4至6秒的震动。在本专利技术的另一个实施例中，所述引线键合的工艺条件包括：键合温度设定为140℃至160℃；键合超声频率为150-220KHz，时间为20至40毫秒；以及键合压力为20至30克。在本专利技术的另一个实施例中，所述的对封装体进行封盖方法为平行峰焊、激光熔焊或真空回流焊。根据本专利技术的又一个实施例，提供一种气密性器件的高可靠性封装结构的制造方法，包括：提供气密性封装管壳；在封装管壳内焊接芯片；通过引线键合将芯片焊盘电连接到气密性封装管壳上的管脚；在引线、芯片外漏表面、气密性封装管壳底面的外漏表面上形成绝缘涂层；以及对封装体进行封盖。在本专利技术的又一个实施例中，所述的在引线、芯片外漏表面、气密性封装管壳底面的外漏表面上形成绝缘涂层的方法包括化学气相沉积或物理气相沉积。本专利技术在一种气密性器件的高可靠性封装结构中，通过在气密性封装的焊线表面沉积一层绝缘涂层材料，一方面解决了器件在系统中不会因为高速、高冲击环境下焊线接触而短接不良的缺陷；另一方面又不需要采用常规的埋线工艺使用大量的环氧树脂胶水，避免在高温环境中水汽的挥发而导致器件污染及电化学腐蚀等问题。附图说明为了进一步阐明本专利技术的各实施例的以上和其它优点和特征，将参考附图来呈现本专利技术的各实施例的更具体的描述。可以理解，这些附图只描绘本专利技术的典型实施例，因此将不被认为是对其范围的限制。在附图中，为了清楚明了，相同或相应的部件将用相同或类似的标记表示。图1示出根据本专利技术的一个实施例的一种气密性器件的高可靠性封装结构100的剖面示意图。图2示出根据本专利技术的另一个实施例的一种气密性器件的高可靠性封装结构200的剖面示意图。图3A至图3D示出根据本专利技术的一个实施例形成一种气密性器件的高可靠性封装结构100的过程剖面示意图。图4示出的是根据本专利技术的一个实施例形成一种气密性器件的高可靠性封装结构100的流程图。图5A至图5E示出根据本专利技术的一个实施例形成一种气密性器件的高可靠性封装结构200的过程剖面示意图。图6示出的是根据本专利技术的一个实施例形成一种气密性器件的高可靠性封装结构200的流程图。具体实施方式在以下的描述中，参考各实施例对本专利技术进行描述。然而，本领域的技术人员将认识到可在没有一个或多个特定细节的情况下或者与其它替换和/或附加方法、材料或组件一起实施各实施例。在其它情形中，未示出或未详细描述公知的结构、材料或操作以免使本专利技术的各实施例的诸方面晦涩。类似地，为了解释的目的，阐述了特定数量、材料和配置，以便提供对本专利技术的实施例的全面理解。然而，本专利技术可在没有特定细节的情况下实施。此外，应理解附本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气密性器件的高可靠性封装结构，包括：气密性封装管壳，所述气密性封装管壳包括空腔、环绕侧墙和底面；设置在所述气密性封装管壳的空腔内的芯片；将所述芯片焊盘电连接至所述气密性封装管壳底面管脚的导电焊线；覆盖于所述导电焊线表面的绝缘涂层，以及设置在所述气密性封装管壳环绕侧墙上的气密性盖板。

【技术特征摘要】
1.一种气密性器件的高可靠性封装结构，包括：气密性封装管壳，所述气密性封装管壳包括空腔、环绕侧墙和底面；设置在所述气密性封装管壳的空腔内的芯片；将所述芯片焊盘电连接至所述气密性封装管壳底面管脚的导电焊线；覆盖于所述导电焊线表面的绝缘涂层，以及设置在所述气密性封装管壳环绕侧墙上的气密性盖板。2.如权利要求1所述的气密性器件的高可靠性封装结构，其特征在于，所述芯片的裸露表面及所述气密性封装管壳底面的裸露表面覆盖有绝缘涂层。3.如权利要求1所述的气密性器件的高可靠性封装结构，其特征在于，所述芯片通过焊料附连到所述气密性封装管壳底面，所述气密性盖板通过焊料附连到气密性封装管壳环绕侧墙上。4.如权利要求3所述的气密性器件的高可靠性封装结构，其特征在于，所述焊料为金锡焊料。5.如权利要求1所述的气密性器件的高可靠性封装结构，其特征在于，所述绝缘涂层的材料为常用的绝缘介质氧化硅、氮化硅或者绝缘有机物。6.一种气密性器件的高可靠性封装结构的制造方法，包括：提供气密性封装管壳；在封装管壳...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹立强，孙鹏，金国庆，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32